公开(公告)号：CN107075679B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201580053168.1

申请日：2015-10-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  R·T·楚杰洛 ,  K·格里芬 ,  G·K·邝 ,  K·贝拉 ,  夏立群 ,  M·斯里拉姆

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室及方法。

公开(公告)号：CN102414786B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080019364.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·克利里欧科 ,  J·苏 ,  K·格里芬 ,  S·W·田 ,  S·尼杰哈瓦 ,  X·董 ,  T·普恩 ,  L·D·华盛顿 ,  J·格雷森

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属?有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族?V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。

公开(公告)号：CN105474362A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045378.1

申请日：2014-08-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·C·福斯特 ,  J·约德伏斯基 ,  G·K·邝 ,  T·T·恩戈 ,  K·格里芬 ,  K·S·柯林斯 ,  柳韧

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

Abstract: 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极，使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时，同轴RF馈送线处于大气压力下。

公开(公告)号：CN102414786A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019364.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·克利里欧科 ,  J·苏 ,  K·格里芬 ,  S·W·田 ,  S·尼杰哈瓦 ,  X·董 ,  T·普恩 ,  L·D·华盛顿 ,  J·格雷森

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。

公开(公告)号：CN207376114U

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201720975030.3

申请日：2015-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  K·格里芬

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551

Abstract: 本实用新型公开了一种气体分配组件。气体分配组件可以包括输出面和至少一个传感器，所述输出面具有用于引导气流的多个细长的气体端口，所述至少一个传感器经定位以在测量期间接触基座组件。

公开(公告)号：CN206516610U

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201590000446.2

申请日：2015-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  K·格里芬

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551

Abstract: 本实用新型描述了基板处理腔室。本文描述了用于处理半导体晶片的装置，其中传感器(例如，接触式热电偶)定位在气体分配组件中，在沉积之前、期间和/或之后测量温度和/或膜参数。