公开(公告)号：CN101218681B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200680024512.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 下井田良雄 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  山上滋春 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生 ,  中村孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/04 ,  H01L29/772 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1.半导体衬底(1，2)；2.异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3.栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4.源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5.漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i.形成栅极绝缘膜(6)；ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN101263606B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200680033530.X

申请日：2006-08-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  下井田良雄 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。

公开(公告)号：CN101101879B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710122884.8

申请日：2007-07-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN100524662C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610059812.9

申请日：2006-03-15

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。

公开(公告)号：CN101263606A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033530.X

申请日：2006-08-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  下井田良雄 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。

公开(公告)号：CN101083280A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610083496.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

公开(公告)号：CN103548190B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280024914.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 株式会社钟化 ,  日产自动车株式会社

Inventor： 加藤裕介 ,  伊藤卓 ,  柳田正美 ,  奥聪志 ,  荻野弘幸 ,  日下部正人 ,  向井竜太郎 ,  小岛正宽 ,  菊池刚 ,  胁晶子 ,  井上志保 ,  井深重夫 ,  田中康行 ,  下井田良雄 ,  室屋佑二 ,  胁宪尚

IPC: H01M4/66 ,  H01B5/02 ,  H01M4/64

CPC classification number: H01M4/667 ,  H01M4/668 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/029

Abstract: 本发明提供具有由含有高分子材料1以及导电性粒子1的导电性材料1形成的层1的导电膜，其相对于负极的平衡电位环境的稳定性优异，且厚度方向每单位面积的电阻较低，若作为多层导电膜加以使用，则层间密合性更加优异，若将其用作集电体，则可得到兼备轻量化及耐久性的电池，其中，所述高分子材料1包含下述(1)～(4)中的任意材料，(1)胺及环氧树脂(其中，环氧树脂和胺的配合比以胺的活泼氢数相对于环氧树脂的官能团数之比计为1.0以上)、(2)苯氧树脂及环氧树脂、(3)具有羟基的饱和烃类聚合物、(4)固化性树脂及弹性体。

公开(公告)号：CN102349181B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080011649.3

申请日：2010-01-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 宫竹一希 ,  保坂贤司 ,  下井田良雄 ,  堀江英明

IPC: H01M4/66 ,  H01M2/10 ,  H01M2/34 ,  H01M4/64

CPC classification number: H01M4/668 ,  H01M2/348 ,  H01M4/66 ,  H01M4/663 ,  H01M4/666 ,  H01M4/80 ,  H01M10/613 ,  H01M10/637 ,  H01M10/647 ,  H01M10/654 ,  H01M2004/029 ,  H01M2200/10 ,  H01M2200/106

Abstract: 提供一种双极型电池用集电体，包括导电性树脂层，并且所述导电性树脂层被形成为：当所述导电性树脂层的至少一部分达到预定温度时，在达到所述预定温度的部分处沿着所述导电性树脂层的垂直方向流动的电流被阻断。还提供一种使用上述集电体的双极型电池。利用上述集电体可以抑制双极型电池的局部热生成，从而提高了该双极型电池的耐久性。

公开(公告)号：CN102576850B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080038918.5

申请日：2010-07-23

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 宫崎泰仁 ,  木下拓哉 ,  安部孝昭 ,  下井田良雄

IPC: H01M2/26 ,  H01M2/30 ,  H01M10/04 ,  H01M10/0585

CPC classification number: H01M2/26 ,  H01M2/22 ,  H01M2/30 ,  H01M10/0413 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0585

Abstract: 公开一种具有改善寿命的电池。具体公开的是一种电池，包括电力产生元件(21)，所述电力产生元件通过叠置一个或多个单位电池单元层而构成，每个单位电池单元层通过顺序地叠置正电极、电解质和负电极而构成；第一电流收集器板(25)，设置在所述电力产生元件(21)的最外正电极的表面上；第二电流收集器板(27)，设置在所述电力产生元件(21)的最外负电极的表面上；传导凸起部分(41)或(42)，设置在所述第一电流收集器板(25)和/或第二电流收集器板(27)上，宽度不小于收集器板(25)或(27)的端部边缘的宽度的一半；以及端子(44)或(45)，装配至所述凸起部分(41)或(42)，从所述凸起部分(41)或(42)取出的电流。

公开(公告)号：CN102459395B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080027467.5

申请日：2010-06-14

Applicant: 味之素株式会社 ,  日产自动车株式会社

Inventor： 天野博 ,  荻野启志 ,  保坂贤司 ,  仙北谷良一 ,  下井田良雄 ,  堀江英明

IPC: C08G59/24 ,  C08G59/50 ,  H01M2/06 ,  H01M2/08 ,  H01M2/30 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0566 ,  H01M10/0585

CPC classification number: H01M2/06 ,  C08G59/24 ,  C08G59/26 ,  C08G59/4014 ,  C08G59/4021 ,  C08G59/50 ,  C08L63/00 ,  H01M2/08 ,  H01M2/30 ,  H01M4/661 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0585 ,  C08L2666/22

Abstract: 本发明提供一种对金属的粘合性优秀，而且具有较高的耐有机溶剂性的树脂组合物，特别是对不锈钢和镍等高耐热性金属形成的端电极和集流体显示优秀粘合性，而且，即使接触高温的有机电解液也不容易发生劣化，对电解液也不容易产生影响，适合于有机电解液电池的密封剂的树脂组合物，以及基于该树脂组合物防止电解液从电解质层渗出的信赖性高的有机电解液电池。以至少含有具有芳香环和脂环式骨架的环氧树脂(E1)的环氧树脂(A)和潜伏性固化剂(B)为特征的树脂组合物。具有在集流体13上具有导电结合的正极活性物质层2的正极，和在集流体13上具有导电结合的负极活性物质层6的负极，以及配置于正极与负极之间的电解质层7，相向的2个集流体13的边缘部分之间形成被上述树脂组合物的固化物12密闭的密封部的有机电解液电池。