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公开(公告)号：CN1388526A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02121613.4
申请日：2002-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
CPC classification number: G11B7/242 , B82Y30/00 , G11B7/244 , G11B7/245 , G11B7/252 , G11B7/253 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/258 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24326 , Y10T428/21
Abstract: 一种化学吸附分子群通过在基体(1)表面共价键合而化学键合的单分子层状光记录膜(2),上述光记录膜具有化学吸附分子的长轴方向按照偏振光照射方向变化的特性。在基体(1)表面也可以形成反射膜(5)。化学吸附分子采用比如CH3－COO－C6H4－(CH2)6－SiCl3。该分子引起基体材料表面的活性氢和脱氯化氢反应,通过基体材料表面共价键合而被化学键合。记录层的形成不采用真空蒸镀法,通过化学吸附法可以低成本提供高密度的可擦型及一次性写入型光记录媒体。
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公开(公告)号：CN1357584A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01138496.4
申请日：2001-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: C09D183/04 , C09D5/00 , G02F1/13
Abstract: 一种在非水系有机溶剂中溶解硅烷类化学吸附物质的化学吸附溶液,其中,所述非水系有机溶剂是含有第一种非水系有机溶剂和沸点比所述第一种非水系有机溶剂高的第二种非水系有机溶剂的混合溶剂。沸点差优选在10℃以上,第一种非水系有机溶剂的沸点优选在120℃以下,第二种非水系有机溶剂的沸点优选在150℃以上。把所述化学吸附溶液涂布在基材上之后,通过蒸发低沸点溶剂而浓缩,可以在短时间内形成膜厚均匀的化学吸附膜。
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公开(公告)号：CN1294701A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN99804273.0
申请日：1999-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02667 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种即使不进行激光退火,用低温处理也能形成品质优良并且面积大的多晶硅层的方法,还提供一种即使是大画面显示斑也很少的高清晰的多晶硅型TFT阵列基片。为此,在具有在基片上形成将多晶硅半导体层用于沟道区域的多晶硅型TFT的加工工艺的用于液晶显示装置的TFT阵列基片的制造方法中,包括为了在硅粒子在基片上堆积起来的阶段中形成多晶硅层,预先加上能量对硅粒子进行激发,用被激发的硅粒子照射所述的基片,硅粒子在基片堆积起来,形成多晶硅层的步骤。
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公开(公告)号：CN1293765A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN99804157.2
申请日：1999-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1341 , G02F1/133377 , G02F1/13475 , G02F1/13725
Abstract: 在透光性的基板上形成像素电极、连接在像素电极上的开关元件,在上述基板上形成包含感光性预聚合物和液晶的混合体膜。从与上述基板相反的一侧,用第一波长的光对上述混合体膜进行暴光,使上述混合体膜中的感光性预聚合物聚合硬化,在上述混合体膜的表面上形成保护树脂膜。其次,从上述基板的内侧通过基板,用第三波长的光对混合体膜进行暴光,使感光性预聚合物聚合硬化,在基板一侧形成基板侧树脂膜。另外,通过保护树脂膜用第三波长的光对上述混合体膜的表面进行暴光,使混合体膜中剩余的感光性预聚合物聚合硬化,在保护树脂膜的内面侧形成第一树脂膜,由第一树脂膜和保护树脂膜构成相对树脂膜,将相分离后的液晶配置在第一树脂膜和基板侧树脂膜之间。因此,不需要花费时间长的液晶注入工序,就能形成液晶层,能谋求简化制造工序及降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1279411A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN00106391.X
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: B82Y30/00 , C07F7/025 , G02F1/133719 , G02F1/133788 , Y10T428/1014
Abstract: 本发明提供可形成单分子层状薄膜的化学吸附物质(它是查尔酮骨架的苯环的4’位有COO基且COO基一侧的分子末端有－SiX3(X为卤素)基,并在其查尔酮骨架的苯环的4位与直链烃基成醚键而此烃基又与－SiX3(X为卤素)基团成醚键的化合物),它在可见光区透明、稳定、并有在紫外区起光化学反应的感光基团。用此实现了取向热稳定性和限定力优异的液晶取向膜,用此液晶取向膜实现了低驱动电压下宽视角且图像鲜明的液晶显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1272184A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN98809682.X
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: B82Y30/00 , G02F1/133719 , G02F1/133788 , G02F2001/133761
Abstract: 提供一种取向控制性和耐久性优良的多畴取向的液晶取向膜,以及用其制成的、画质好、对比度高、视角广而且响应性优良的多畴型液晶显示装置。此目的可由以下方法制成的液晶取向膜实现:使用含有感光性基团、硅、以及直碳链或直链硅氧烷键合链的化学吸附物质,使此物质化学吸附在具有显示电极的基板表面上形成单分子层状薄膜,再使构成此薄膜的吸附分子沿特定方向倾斜后,照射图案状偏振光,用感光性基团部分将吸附分子交联键合,使构成薄膜分子的长轴相对于基板表面的倾斜和/或取向方向,在一个像素被分割成多个分割区而得到的每个分割区内各异。
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公开(公告)号：CN1200961A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN97122585.0
申请日：1997-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: B05D5/00 , B05D7/00 , B05D3/06 , G11B5/72 , C09D183/04
Abstract: 提供了一种在基板表面形成的覆膜,构成上述覆膜的分子具有所期望的倾斜并且沿特定方向使方向一致,以一端结合固定在基板表面上。另外,在形成化学吸附膜时,向化学吸附液中添加化学吸附剂和同一体系的交联剂,使吸附分子交联,能提供耐磨性优良的覆膜。将作为化学吸附剂的例如：CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3(5重量%)、作为交联剂的例如六氯二硅氧烷(3重量%)和非水系溶剂的环己烷(bp.80℃)(92重量%)混合,制成化学吸附液,在干燥氛围中涂布在铝基体材料11上,蒸发除去溶剂后,分子以相互缠绕的状态交联,形成与基体材料表面进行共价键结合的聚合物状的覆膜12。
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公开(公告)号：CN1192458A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN97126413.9
申请日：1997-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/283 , B05D3/0486 , B82Y40/00
Abstract: 采用由至少一种硅烷系化合物和溶剂构成的溶液与基材通过硅烷系化合物形成硅氧烷键在基材上形成膜厚度为0.1纳米—1微米的分子膜。在表面上有活性氢的基材(2)的表面上涂覆含有例如氯硅烷系化合物的涂覆溶液,在基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间发生脱除氯化氢的反应,在基材表面上制备共价键硅烷系化合物的分子膜的方法,在保持低水蒸气浓度的气氛状态下的展开槽(11)内,送入上述基材,使用转印装置(6,7),在上述基材表面上涂覆含有硅烷系化合物和溶剂的涂覆溶液,在上述基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间进行脱除氯化氢的反应,之后在展开槽内或在外除去上述涂覆之后未反应的涂覆溶液。
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公开(公告)号：CN100338517C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN00106391.X
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1337 , C07F7/12 , C07F7/02
Abstract: 本发明提供可形成单分子层状薄膜的化学吸附物质(它是查尔酮骨架的苯环的4′位有COO基且COO基一侧的分子末端有-SiX3(X为卤素)基，并在其查尔酮骨架的苯环的4位与直链烃基成醚键而此烃基又与-SiX3(X为卤素)基团成醚键的化合物)，它在可见光区透明、稳定、并有在紫外区起光化学反应的感光基团。用此实现了取向热稳定性和限定力优异的液晶取向膜，用此液晶取向膜实现了低驱动电压下宽视角且图像鲜明的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN100334497C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410039973.2
申请日：1998-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N1/00129 , G02F1/135 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2300/0434 , G09G2300/0809 , G09G2310/0235 , H04N1/00127 , H04N1/028 , H04N1/02805 , H04N1/486 , H04N2201/0081
Abstract: 连接在透明象素电极24上的n沟道的TFT(L)26、以及连接在光电二极管25的阴极侧的p沟道TFT(D)27都连接在共用的源连接线22及栅连接线23上，通过将正电压VL或负电压VD加在栅连接线23上，能分别单独地控制成导通状态。另外，设置在有源矩阵面板13的背面一侧的背照光18备有分别发出红、蓝或绿色的单色光的单色光源18a～18c，以分时方式显示各色图象。在读取图象时，依次使用各单色光源18a～18c，由此对各个单体象素读取红、蓝及绿色分量的图象。另外，通过只使与液晶层14上的纵横相隔一个象素P1对应的部分呈透光状态，同时使规定的电荷只蓄积在象素P1的光电二极管25中并进行曝光，由此读取象素P1的图象，对与象素P1相邻的象素分别重复进行同样的工作，由此对全部象素读取原稿图象。
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