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公开(公告)号：CN102640293B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080053607.6
申请日：2010-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 经受脱水或脱氢的步骤和添加氧的步骤以使得载流子浓度小于1×1012 /cm3的本征或基本上本征半导体用于其中形成沟道区的绝缘栅晶体管的氧化物半导体层。氧化物半导体层中形成的沟道的长度设置为0.2μm至3.0μm(包括两端)，以及氧化物半导体层和栅绝缘层的厚度分别设置为15nm至30nm(包括两端)和20nm至50nm(包括两端)或者分别为15nm至100nm(包括两端)和10nm至20nm(包括两端)。因此，能够抑制短沟道效应，并且阈值电压的变化量在上述沟道长度的范围之内能够小于0.5V。
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公开(公告)号：CN101840937B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010130038.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置硅层，而且在该硅层上形成杂质半导体层，并且设置电连接于该杂质半导体层的源电极层及漏电极层。
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公开(公告)号：CN102246310B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980150030.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L29/04
Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。
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公开(公告)号：CN101521233B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910126408.2
申请日：2009-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L29/36 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101393919B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810149495.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102511082A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041841.7
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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公开(公告)号：CN101882668A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010224591.2
申请日：2003-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/524 , H01L51/5253
Abstract: 提供一种显示装置，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101807600A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010130051.8
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置和它们的制造方法。目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置有硅层。另外，至少接触于氧化物半导体层中的形成沟道的区域地设置有硅层，而且接触于氧化物半导体层中的不设置有硅层的区域地设置有源电极层及漏电极层。
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公开(公告)号：CN1757052B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200480005539.0
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3267 , G06F1/1616 , G06F1/1637 , G06F1/1647 , G06F1/1677 , G06F1/1686 , G06F3/1423 , G06F2200/1614 , G09G2300/023 , G09G2340/0492 , H01L27/3209 , H01L27/3234 , H01L51/5262 , H01L51/5281 , H01L2251/5323 , H01L2251/558 , H04M1/0214 , H04M1/0245 , H04M1/72519 , H04M2250/16
Abstract: 本发明的课题是：提供实现了高功能化与高附加值化的显示装置、便携终端。在具有透光性的基板的一表面上具有矩阵状配置的多个像素及第1显示画面，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2显示画面，上述多个像素的各个具有在上述第1显示画面及第2显示画面方向上发光的发光元件。而且，该课题是提供具有下述特征的显示装置、便携终端：在上述基板的一表面上具有第1偏振片，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2偏振片。
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公开(公告)号：CN1729719A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380106718.9
申请日：2003-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/524 , H01L51/5253
Abstract: 提供一种显示装置及其制作方法，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。
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