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公开(公告)号：CN1230919C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN00103638.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1218403C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN97102281.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤素元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1160758C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97109515.9
申请日：1997-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。
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公开(公告)号：CN1163490A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97102281.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤素元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1037777A
公开(公告)日：1989-12-06
申请号：CN89103243.6
申请日：1989-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 高砂香料工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种新型的非易失性双稳态液晶装置，它具有两块相隔一定距离的基板，选取该距离使得液晶材料的分子排列成螺旋形，从而使该液晶分子能依据所施加的电场有选择性地处于两种稳定的光学各向异性状态之一，在两种稳定状态之间的转换过程经过一个中间态，在中间态时，液晶分子重新排列成螺旋形结构，并呈现为光学各向同性状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN87103981A
公开(公告)日：1987-12-16
申请号：CN87103981
申请日：1987-05-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F15/02
CPC classification number: G06F1/16 , A47B2021/0076 , A47B2200/0073
Abstract: 本发明所揭示的是一种新颖的计算机系统。该系统被装入带有一个处理器、一个键盘、一个存储器和磁盘机的一个整体装置之中。其上表面是做成平的，这样一来，当该系统放在桌子上时，它也可用来作为该桌面的平板。因此该系统独占的空间便显著减小了。
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公开(公告)号：CN1881594B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610099676.6
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN101996904A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010254914.2
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/4007 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11002 , H01L2224/13099 , H01L2224/13139 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K3/045 , H05K3/281 , H05K2201/0367 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49204 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法，为了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分(用绝缘膜密封)的步骤中在该绝缘膜(其通过固化包括增强材料的半固化片而获得)中高准确度地形成开口的方法。突出物使用导体形成。包括增强材料的未固化的半固化片紧密贴附到该突出物并且该半固化片固化，使得包括该增强材料的绝缘膜形成。该绝缘膜的顶面的一部分由于该突出物而突出。该突出部分连同增强材料通过研磨处理等优先去除以在绝缘膜中形成开口，使得暴露突出物的开口在绝缘膜中形成。
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公开(公告)号：CN1252805C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01103022.4
申请日：1995-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67236
Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450～750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
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