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公开(公告)号：CN115259222A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210667751.3
申请日：2022-06-14
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C01G31/00 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种插层钒酸盐复合纳米材料的制备方法与应用，该插层钒酸盐复合纳米材料的具体制备方法为：将含有金属离子的化合物与分子插层钒基前驱体搅拌混合均匀，通过自牺牲模板策略简单一锅煮水热方法和固态自支持热解技术得到所述插层钒酸盐复合纳米材料。本发明的制备方法简单，成本低，易规模化制备。本发明所得的插层钒酸盐复合纳米材料可以应用于电池电极。
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公开(公告)号：CN113249696B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110418028.7
申请日：2021-04-19
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法，光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体，在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶，控制Ar和N2的流量比，使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶；光刻方法包括：S1：在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶，控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量，使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶；S2：利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光；S3：利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影，得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。
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公开(公告)号：CN114682285A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210147834.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 苏州科技大学
IPC: B01J27/24 , C01B3/04 , C01B32/40 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了SnNb2O(6‑x)Nx及其与金属单原子纳米复合材料的制备方法与应用，SnNb2O6‑xNx的制备方法包括以下步骤：(1)将尿素与水混匀，再加入铌酸锡纳米片，超声后进行水热反应；(2)将水热反应得到的产物经干燥处理后置于NH3和N2的混合气氛下，加热焙烧得到SnNb2O6‑xNx纳米片。本发明通过氮取代铌酸锡晶格氧形成空位得到所述SnNb2O6‑xNx，利用SnNb2O6‑xNx中的空位锚定金属原子，可提高金属单原子的稳定性，制备得到具有高催化活性、稳定性的单原子M‑SnNb2O6‑xNx纳米复合材料，M为铂、钯、铜、钌或铋；本发明制备的纳米复合材料具有可见光响应，可作为可见光光催化剂应用于光催化降解有机污染物、光解水产氢、CO2还原以及各类异相催化反应等。
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公开(公告)号：CN111403922A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010245240.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带可调谐完美吸收器的制备方法及完美吸收器，该方法包括：S1、在基片上沉积第一层相变薄膜；S2、在第一层相变薄膜上沉积一层透明介质薄膜；S3、在透明介质薄膜上沉积第二层相变薄膜；S4、在第二层相变薄膜上放置一层阳极氧化铝纳米结构模板；S5、在阳极氧化铝纳米结构模板上沉积一层金属薄膜；S6、移除阳极氧化铝纳米结构模板；S7、刻蚀第二层相变薄膜；S8、移除金属薄膜，得到完美吸收器。本发明通过利用相变材料的晶态和非晶态显著光学对比度对完美吸收器的吸收特性进行调节，拓展了器件的功能；采用全介质结构设计，避免了金属结构容易腐蚀的缺点，拓展了器件的应用范围；同时可实现300～800nm波段的完美吸收。
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公开(公告)号：CN119725577A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411905233.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01M4/90 , C01G39/06 , C01B32/194 , C01B32/168 , C01B21/082 , C25B1/02 , C25B11/091 , C25B11/052 , H01M4/88
Abstract: 本发明公开了一种缺陷碳材料负载二硫化钼基复合材料X‑CTAB‑Y及其制备与应用。本发明的二硫化钼基电催化剂为包含以下组分的复合体系：一种碳材料和二硫化钼基复合材料；所述碳材料为缺陷碳材料，优选为氧化石墨烯GO，在复合过程中变为还原氧化石墨烯rGO；所述二硫化钼基复合材料为二硫化钼与镍单原子、三氧化钼、硫缺陷硫化钼复合物。本发明的石墨烯负载二硫化钼基电催化剂具有高析氢性能、高循环稳定性能和强耐腐蚀性等多重效果，可有效提高电催化剂在酸性介质中的析氢性能和循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111367146B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010305390.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 一种相变‑热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法：在基片(1)上沉积一层相变薄膜(2)，在相变薄膜(2)上沉积一层热分解型薄膜(3)，得到相变‑热分解型复合光刻胶；利用激光直写光刻系统(4)对相变‑热分解型复合光刻胶进行曝光，相变薄膜受激光照射产生相变形成相变区，并释放相变潜热，相变潜热加热相变区(5)上方的热分解型薄膜并使其分解，从而在热分解型薄膜上直接形成纳米通孔(6)；利用反应离子刻蚀系统(7)刻蚀相变‑热分解型复合光刻胶，使纳米通孔(6)下方的相变薄膜被刻蚀，最终得到纳米结构。本发明提供了一种操作简单、成本低廉、加工速度快，光刻分辨率高的纳米光刻方法。
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公开(公告)号：CN114791449A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210312858.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 苏州科技大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器及其制备方法与应用，涉及气体传感器技术领域。本发明气体传感器，包括基体，所述基体的表面还设置有GeTeOx薄膜和元素共掺的CuO薄膜；所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的中部重叠并形成异质结构，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜部分均延伸到基体上，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的端部设置有导电金属薄膜，其中，0＜x≤4。本发明所述的气体传感器对H2S、NH3、NO2具有高灵敏度和较低的检测限。测试温度越高，检测极限越低，且灵敏度越高。本发明操作简便，反应条件简易，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大规模的制备器皿传感器元器件，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113372612B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110639646.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明属于节能材料技术领域，具体涉及一种纤维素基辐射调温材料的制备方法，包括以下步骤：将纤维素材料均匀分散在溶剂中，对纤维素材料进行功能化改性得到功能化改性纤维材料素分散液；将功能化改性纤维素材料分散液进行化学交联获得纤维素基凝胶；将相变材料封装在纤维素基凝胶中，干燥后得到所述纤维素基辐射调温材料。本发明以可再生的纤维素为基础制备辐射调温材料，在相变材料优异的储释热能力和纤维素基体辐射制冷特性的协同作用下，可实现优异的辐射调温效果；制备工艺简单、成本低廉且环保无毒，在建筑节能等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113253575A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110367219.5
申请日：2021-04-06
Applicant: 苏州科技大学
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种基于Ge2Sb2Te5光刻胶的全干法光刻与刻蚀方法及应用，该方法包括以下步骤：在基片上沉积一层掺杂的Ge2Sb2Te5光刻胶，对所述掺杂的Ge2Sb2Te5光刻胶进行曝光；对曝光后的所述Ge2Sb2Te5光刻胶进行干法显影，形成图形窗口；对基片上与所述图形窗口对应的区域进行干法刻蚀；除去残留的所述Ge2Sb2Te5光刻胶，最终得到具有所述图形窗口的所述基片。本申请所采用的光刻与刻蚀工艺简单，成本低廉，无污染，同时整个光刻与刻蚀过程不涉及腐蚀溶液，具有全干法的特征，为在全真空环境进行半导体器件制造提供了条件。
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