公开(公告)号：CN114791449A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210312858.6

申请日：2022-03-28

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 胡敬 ,  林聪 ,  刘波 ,  李楠 ,  魏涛 ,  殷晨鸣 ,  程淼 ,  刘倩倩 ,  李宛飞 ,  凌云

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器及其制备方法与应用，涉及气体传感器技术领域。本发明气体传感器，包括基体，所述基体的表面还设置有GeTeOx薄膜和元素共掺的CuO薄膜；所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的中部重叠并形成异质结构，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜部分均延伸到基体上，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的端部设置有导电金属薄膜，其中，0＜x≤4。本发明所述的气体传感器对H2S、NH3、NO2具有高灵敏度和较低的检测限。测试温度越高，检测极限越低，且灵敏度越高。本发明操作简便，反应条件简易，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大规模的制备器皿传感器元器件，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN114791449B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210312858.6

申请日：2022-03-28

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 胡敬 ,  林聪 ,  刘波 ,  李楠 ,  魏涛 ,  殷晨鸣 ,  程淼 ,  刘倩倩 ,  李宛飞 ,  凌云

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器及其制备方法与应用，涉及气体传感器技术领域。本发明气体传感器，包括基体，所述基体的表面还设置有GeTeOx薄膜和元素共掺的CuO薄膜；所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的中部重叠并形成异质结构，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜部分均延伸到基体上，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的端部设置有导电金属薄膜，其中，0＜x≤4。本发明所述的气体传感器对H2S、NH3、NO2具有高灵敏度和较低的检测限。测试温度越高，检测极限越低，且灵敏度越高。本发明操作简便，反应条件简易，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大规模的制备器皿传感器元器件，适用于工业化生产。