-
公开(公告)号：CN106501489A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611132423.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 长安大学
IPC: G01N33/24
Abstract: 本发明公开了一种粗颗粒盐渍土盐胀和溶陷多功能试验装置，目的在于，适用于开放系统下，且适应范围广、自动化程度高、测试数据准确，所采用的技术方案为：包括工作台，工作台上设置有用于放置土样的有机试筒，有机试筒外设有保温层，有机试筒底部连接有补水装置，有机试筒底部设置透水石，有机试筒内预埋有若干个TDR探头，TDR探头连接至数据采集与控制系统，有机试筒的顶部和底部连接有冻融循环装置，所述工作台上设置有固定架，固定架上设置有滑动机构，滑动机构上设置压力头，压力头位于有机试筒顶部的上端，所述滑动机构上还设置有用于压实土样的击实装置。
-
公开(公告)号：CN106098767A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610496818.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/47 , H01L29/66363
Abstract: 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
-
公开(公告)号：CN106024877A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610497794.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/47 , H01L29/66363
Abstract: 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触，所述P型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述N型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
-
公开(公告)号：CN105448375A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786191.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。
-
公开(公告)号：CN119822394A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510077119.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种基于基于污泥热解液和混凝土浆料废料(CSW)制备生物微纳米CaCO3的方法及其应用，首先调控生活废水反应器于碱性环境，在恒温条件下加入污泥热解液进行水解。反应一段时间后生物曝气，之后静置取其上清液，与CSW结合生成CaCO3微纳米颗粒。通过离心、干燥、富集并称重沉淀物。利用扫描电镜对制备的微纳米颗粒进行结构和粒径分析，分析其组成和晶体结构。生物曝气和静置后，收集上清液，对其中碳酸根和碳酸氢根含量进行分析，测量上清液和CaCO3沉淀中的重金属残留，确保该工艺的应用环保性和安全性。该方法既能满足污泥固废资源化处理的需求，又能够实现CSW的资源化利用。并且，该制备方法工艺简单、操作便捷，有良好的生物微纳米CaCO3生产效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459340B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811269908.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种H‑3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，P型SiC外延层，在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂层的顶部设有P型欧姆接触电极，在P型SiC外延层上部除去P型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H‑3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H‑3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
-
公开(公告)号：CN110491541A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201811271325.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法，包括自下而上包括N型高掺杂SiC衬底，P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部的部分区域设有第一N型SiC外延层，在第一N型SiC外延层的上方设第二N型SiC外延层，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部除了第一N型SiC外延层的区域设有P型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层上方部分区域设有N型欧姆接触掺杂区，N型欧姆接触掺杂区的上方设有N型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层的上方除了N型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H-3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H-3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
-
公开(公告)号：CN108962418A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810130364.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，包括衬底，衬底下方设置N型欧姆接触电极，衬底上部设置第一N型SiC外延层，第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层，在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极，在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型，通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场，将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合，有利于减少辐照生载流子的复合损耗，从而提升电池的输出功率。
-
公开(公告)号：CN106501489B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611132423.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 长安大学
IPC: G01N33/24
Abstract: 本发明公开了一种粗颗粒盐渍土盐胀和溶陷多功能试验装置，目的在于，适用于开放系统下，且适应范围广、自动化程度高、测试数据准确，所采用的技术方案为：包括工作台，工作台上设置有用于放置土样的有机试筒，有机试筒外设有保温层，有机试筒底部连接有补水装置，有机试筒底部设置透水石，有机试筒内预埋有若干个TDR探头，TDR探头连接至数据采集与控制系统，有机试筒的顶部和底部连接有冻融循环装置，所述工作台上设置有固定架，固定架上设置有滑动机构，滑动机构上设置压力头，压力头位于有机试筒顶部的上端，所述滑动机构上还设置有用于压实土样的击实装置。
-
公开(公告)号：CN105448375B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786191.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.047 seconds)
