公开(公告)号：CN206349369U

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201620670487.9

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 张赞 ,  胡笑钏 ,  高恬溪 ,  张林

IPC: H01L29/749 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/161

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触。

公开(公告)号：CN206349367U

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201620669188.3

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 张赞 ,  高恬溪 ,  胡笑钏 ,  张林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅功率晶体管，目的在于，能够降低器件开态电阻、提升功率特性，具有实用性强优点，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极。

公开(公告)号：CN205319759U

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201620059709.3

申请日：2016-01-21

Applicant: 长安大学

Inventor： 李演明 ,  柴红 ,  张豪 ,  刘雨鑫 ,  张赞 ,  胡笑钏

IPC: H02J7/00

Abstract: 本实用新型公开了一种电池充电转换器电路，包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元，本实用新型的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路单元，可以有效地解决转态过程连续性不平顺问题；采用输入电压低钳位设计使得充电电压降低时不至于降到太低导致停止充电，本实用新型先合多环路再补偿的设计可大大减少电路的占用面积。

公开(公告)号：CN211718515U

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202020085783.9

申请日：2020-01-15

Applicant: 长安大学

Inventor： 罗崔月 ,  黄兆武 ,  杨虎宁 ,  刘栩滔 ,  岳凡 ,  张赞

IPC: G01S11/12 ,  G01S17/42

Abstract: 一种基于手机摄像头的可见光室内定位系统，包括发送端子系统以及接收端子系统，发送端子系统包括依次相连的微控制器、串口模块、缓存电路、LED驱动电路和LED光源，接收端子系统包括带有摄像头以及室内定位模块的手机。首先通过微控制器将所要传送的位置坐标信息进行编码，编码后的数据流经过缓存后再输入到LED驱动电路的输入端口中，从而控制LED光源的高速闪烁，然后再通过手机对LED光源发出的光进行拍照，得到明暗变化的条纹图像，图片聚类之后采用曲线拟合产生一条动态的门限来判断当前亮度所代表的信息为“0”还是“1”，解码获得坐标信息。本实用新型的可靠性高，并且抗干扰能力较强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207198022U

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201720980541.4

申请日：2017-08-07

Applicant: 长安大学

Inventor： 高恬溪 ,  张春红 ,  胡笑钏 ,  张赞

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/39

Abstract: 本实用新型涉及一种用于测试材料双输入光信号光学记忆特性的光学装置，分别在两个波长固定的泵浦激光器的输出端后侧依次布置偏振片、衰减片、分光镜和反射镜，形成第一泵浦光路和第二泵浦光路；在波长连续可调的探测激光器的输出端后侧布置一个偏振片，形成探测光路；第一泵浦光路、第二泵浦光路和探测光路的激光光束最终汇聚于一点，将测试样品放置于该点，在测试样品的后侧布置滤光片；分光镜的反射光路以及滤光片均连接探测器，通过对两个泵浦激光器发出的激光进行先后遮挡或布置光学斩波器，通过三个探测器分别探测光信号变化，即可测试材料双输入光信号光学记忆特性，能够用于多信号全光信息处理特性的表征。

公开(公告)号：CN205140532U

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201520912516.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  高攀 ,  张赞 ,  张林

IPC: G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种横向沟槽结构的同位素电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本实用新型采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，P型SiC欧姆接触掺杂区的上部设置有P型欧姆接触电极。

公开(公告)号：CN207663088U

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201721821739.4

申请日：2017-12-23

Applicant: 长安大学

Inventor： 张赞 ,  高恬溪 ,  胡笑钏 ,  徐小波 ,  张林

IPC: G02B6/126 ,  G02B6/14 ,  G01J4/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本实用新型所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205264349U

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201520911612.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  张赞 ,  胡笑钏 ,  张林

IPC: G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基辐射伏特电池，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。