公开(公告)号：CN205264349U

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201520911612.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  张赞 ,  胡笑钏 ,  张林

IPC: G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基辐射伏特电池，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。

公开(公告)号：CN206349369U

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201620670487.9

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 张赞 ,  胡笑钏 ,  高恬溪 ,  张林

IPC: H01L29/749 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/161

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触。

公开(公告)号：CN205140531U

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201520910990.2

申请日：2015-11-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  高攀 ,  胡笑钏 ,  张林

IPC: G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种高输出功率的横向埋层结构微型核电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本实用新型的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。