公开(公告)号：KR1020040041237A

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1020020069400

申请日：2002-11-09

Applicant: 백홍구

Inventor： 백홍구 ,  노순준

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788 ,  C08G73/10 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/133753

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a liquid crystal alignment layer of a liquid crystal display is provided to supply a new liquid crystal alignment film capable of substituting for a polyimide. CONSTITUTION: After forming a vacuum within a chamber by a vacuum pump, inert gases such as helium and argon are induced within the quartz tube(4) wound an RF coil(2). When applying RF power, a plasma forming region(6) is produced within the quartz tube(4). A carbon gas is induced through a gas distribution ring(8) and a PLC(Polymer-Like Carbon) thin film in which hydrogen content on a glass substrate(10) placed on a substrate holder(12) exceeds 30 atom % is deposited. On the surface of the PLC thin film, an ionic beam of an ion gun is irradiated through a shutter, thereby obtaining a surface-treated PLD thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示器的液晶取向层的制造方法，以提供能够代替聚酰亚胺的新的液晶取向膜。 构成：通过真空泵在室内形成真空后，在缠绕RF线圈（2）的石英管（4）内引入诸如氦和氩的惰性气体。 当施加RF功率时，在石英管（4）内产生等离子体形成区域（6）。 通过气体分配环（8）和放置在基板保持件（12）上的玻璃基板（10）上的氢含量超过30原子％）的PLC（聚合物状碳）薄膜引起碳气。 在PLC薄膜的表面上，通过快门照射离子枪的离子束，得到表面处理的PLD薄膜。

公开(公告)号：KR1020040022639A

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：KR1020020054250

申请日：2002-09-09

Applicant: 백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이덕연

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C23C14/358 ,  C23C14/0611 ,  C23C14/0658 ,  C23C14/3407

Abstract: PURPOSE: A method for forming a carbon based material thin film is provided to form a diamond-like carbon thin film on the surface of an object using micro-hallow emission or ion beam assisted deposition so that the diamond-like carbon thin film is used as a medical implant material or advanced material. CONSTITUTION: The method for forming a carbon based material thin film is characterized in that the carbon based material thin film is formed by producing carbon ion plasma from carbon based material projected in the vacuum state using micro-hallow emission and pressing the produced carbon ion plasma onto an object to be coated, wherein the carbon based material is carbon nitride (C3N4) gas. The method for forming a carbon based material thin film is characterized in that the carbon based material thin film is formed by subsidiarily depositing ions in the high energy state on an object to be coated as evaporating the carbon based material using electron beam by ion beam assist depositing the carbon based material projected in the vacuum state, wherein the carbon based material is carbon nitride (C3N4) gas.

Abstract translation: 目的：提供一种形成碳基材料薄膜的方法，以使用微型发光或离子束辅助沉积在物体的表面上形成类金刚石碳薄膜，从而使用类金刚石碳薄膜 作为医疗植入材料或先进材料。 构成：用于形成碳基材料薄膜的方法的特征在于，通过使用微型卤代发生在真空状态下投射的碳基材料制造碳离子等离子体，并且对生成的碳离子等离子体进行加压而形成碳基材料薄膜 其中碳基材料是碳氮化物（C 3 N 4）气体。 形成碳基材料薄膜的方法的特征在于，碳基材料薄膜是通过在待涂覆物体上辅助地沉积高能态的离子而形成的，因为通过离子束辅助使用电子束蒸发碳基材料 沉积在真空状态下投影的碳基材料，其中碳基材料是碳氮化物（C 3 N 4）气体。

公开(公告)号：KR1020030094633A

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020020031862

申请日：2002-06-07

Applicant: 이성만 ,  백홍구

Inventor： 이성만 ,  백홍구 ,  이승주 ,  이헌영 ,  김영래

IPC: H01M4/1395 ,  B82Y30/00

Abstract: PURPOSE: A negative electrode for a lithium secondary thin film battery and its preparation method are provided, to improve the stability by using Si instead of Li and to enhance the charge/discharge performance by suppressing the volume change due to the reaction with Li. CONSTITUTION: The negative electrode comprises a nanocompound matrix of Si and a metal which does not react with Li and has a strong affinity with Si; and a nano-sized silicon dispersed in the matrix. Preferably the metal which does not react with Li is selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Cr, Fe, Hf, Mn, Mo, Nb, Ti, V, Zr, Ta, W and Re. The method comprises the steps of forming a thin film on a substrate with Si and the metal which does not react with Li; and impressing energy the substrate. Preferably the energy impressing is carried out by impressing direct bias, heating, irradiating an ion beam or treating plasma.

Abstract translation: 目的：提供锂二次电池用负极及其制备方法，通过使用Si代替Li来提高稳定性，通过抑制与Li的反应引起的体积变化来提高充放电性能。 构成：负极包含Si的纳米复合基体和不与Li反应并与Si具有强亲和性的金属; 和分散在基质中的纳米尺寸的硅。 优选不与Li反应的金属选自Ni，Co，Fe，Cr，Fe，Hf，Mn，Mo，Nb，Ti，V，Zr，Ta，W和Re。 该方法包括以下步骤：在具有Si和不与Li反应的金属的基板上形成薄膜; 并将基材压印能量。 优选地，通过施加直接偏压，加热，照射离子束或处理等离子体来进行能量施加。

公开(公告)号：KR1020020063681A

公开(公告)日：2002-08-05

申请号：KR1020010004262

申请日：2001-01-30

Applicant: 백홍구 ,  배준현 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  배준현 ,  이승주 ,  김우진 ,  정상헌

IPC: H01M6/18

Abstract: PURPOSE: Provided is a thin film electrolyte having at least two network former, which is excellent in cycle property and stability and has low reactivity with electrodes and long cycle lifetime. CONSTITUTION: The thin film electrolyte contains Li, P, O, X, and Y atoms, wherein one of X and Y is a substance forming a network structure, such as Si, B, S, and the other is a substance modifying the network structure, such as Ag, N, S. And the thin film electrolyte containing Li, P, O, Si, and N is produced by forming a target giving Li, P, O, Si and then sputtering under high vacuum and N2 atmosphere.

Abstract translation: 目的：提供具有至少两种网络形成剂的薄膜电解质，其循环性能和稳定性优异，与电极的反应性低，循环寿命长。 构成：薄膜电解质含有Li，P，O，X和Y原子，其中X和Y中的一个是形成网络结构的物质，例如Si，B，S，另一个是修饰网络的物质 结构，如Ag，N，S。通过形成提供Li，P，O，Si的靶，然后在高真空和N 2气氛下溅射，产生含有Li，P，O，Si和N的薄膜电解质。

公开(公告)号：KR100345080B1

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：KR1020000033594

申请日：2000-06-19

Applicant: 한화나노텍 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이승종 ,  유재은

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 회전 전극 아크방전 장치 및 이를 이용한 탄소 나노튜브 합성 방법을 제공한다. 본 발명의 회전 전극 아크방전 장치는 진공 용기 내에 위치하고 외부와 절연체에 의하여 절연된 챔버와, 상기 챔버의 상부 좌측에 저온 액체, 예컨대 액체 질소, 액체 헬륨, 또는 극저온 상태의 물을 주입할 수 있는 저온 액체 주입구와, 상기 챔버의 중앙에 음극과 회전하는 양극을 구비하여 아크를 발생시킬 수 있는 아크 발생 장치를 끼울수 있는 개폐구와, 상기 챔버의 바닥에 저온 액체나 상기 아크 발생 장치를 이용하여 합성된 탄소 나노튜브를 배출할 수 있는 배출구를 포함한다. 본 발명의 회전 전극 아크방전 장치는 상기 아크 발생 장치를 이용하여 음극 표면에만 탄소 나노튜브가 합성되지 않고 플라즈마로 인하여 발생하는 열을 저온 액체를 이용하여 효율적으로 냉각시킬 수 있어 음극 면적에 제한없이 탄소 나노튜브를 연속적으로 대량 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100335382B1

公开(公告)日：2002-05-06

申请号：KR1020000027751

申请日：2000-05-23

Applicant: 한화나노텍 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이승종 ,  유재은

IPC: H05H1/48 ,  B82Y30/00

Abstract: 회전 전극 플라즈마 장치 및 이를 이용한 탄소 나노체 합성 방법을 제공한다. 본 발명의 회전 전극 플라즈마 장치는 진공 챔버 내의 일측 내부에 설치된 음극과, 상기 음극과 대향되어 상기 진공 챔버 내에 배치되고 회전할 수 있는 양극과, 상기 진공 챔버 내의 양극 및 음극의 상하로 위치하고 상하 및 전후로 이동할 수 있는 기판을 포함한다. 상기 음극에 음전압을 인가하고 상기 양극에 양전압을 인가하여 음극과 양극간에 아크 방전을 발생시켜 양극을 소모시킬 수 있고 음극과 양극 사이에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 전원 장치를 포함한다. 따라서, 아크 방전과 플라즈마 발생시 상기 양극에서 증발한 탄소가 상기 플라즈마에 의하여 활성화되고 상기 회전하는 양극에 의해 발생하는 원심력에 의해 기판 상에 탄소 나노 튜브나 나노 그라파이트를 합성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010108542A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020000028975

申请日：2000-05-29

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이승주 ,  정상헌 ,  이헌영 ,  황성민

IPC: H01M4/04

Abstract: 본 발명은 리튬 이차전지용 음극 제조방법에 관한 것으로, 리튬의 삽입/탈리가 가능한 주석에 리튬과 반응하지 않는 금속을 스퍼터링하여 박막 음극을 열처리 없이 제조하므로, 리튬의 삽입과 탈리 과정에서 주석의 응집과 부피변화로 인해 발생하는 사이클 특성의 문제와 고체 전해질인 리폰의 결정화 문제를 해결한다.

公开(公告)号：KR100292621B1

公开(公告)日：2001-09-17

申请号：KR1019980023075

申请日：1998-06-19

Applicant: 이명범 ,  허성주 ,  구영 ,  최용창 ,  류인철 ,  한종현 ,  백홍구 ,  정종평

Inventor： 정종평 ,  한종현 ,  허성주 ,  최용창 ,  류인철 ,  구영 ,  김명호 ,  백홍구

IPC: A61K6/00

Abstract: 본 발명은 Ti 금속 및 그 합금으로 구성된 임플란트의 표면처리방법에 관한 것으로, 임플란트의 표면을 숏 블라스트(Shot Blast) 처리로 개질하여 표면이 균일한 거칠기를 가지도록 하고, 식각 용액(Etching Solution)으로 식각(etching)한 다음 열산화(Thermal Oxidation)하여 밀착력이 우수한 금속 산화물 피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 본 발명의 임플란트의 표면처리 방법은, 임플란트 모재 위에 임의로 피막을 코팅하는 방법과 달리 모재를 직접 열산화하여 산화피막을 형성시킴으로써 산화피막과 모재와의 밀착력이 우수하여 매우 안정된 임플란트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 비용이 적게 소요되는 생산성이 우수한 방법이다. 또한 본 발명의 임플란트 표면처리방법은 숏 블라스트 처리 후 열처리 실시전에 식각공정을 수행함으로써 치밀하고 기계적 강도가 우수한 산화피막을 형성할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020000002363A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023075

申请日：1998-06-19

Applicant: 이명범 ,  허성주 ,  구영 ,  최용창 ,  류인철 ,  한종현 ,  백홍구 ,  정종평

Inventor： 정종평 ,  한종현 ,  허성주 ,  최용창 ,  류인철 ,  구영 ,  김명호 ,  백홍구

IPC: A61K6/00

CPC classification number: A61C8/0015 ,  A61L27/06 ,  A61L2430/12

Abstract: PURPOSE: A surface processing method is provided to form a stable metal oxidation film for the HA coating layer on the surface of a metal implant. CONSTITUTION: The surface processing method of the implant comprises: a process of modifying a surface of an implant formed by a Ti metal and a compound Ti metal by a short blast process; a process of etching an etching solution; a process of thermal oxidizing; the short blast process shocked a size of 40¯60 micro-meter of alumina powder at a pressure of 4¯6 atmospheric pressure into the basic material of the implant; the etching process by an etching solution at 80¯100°C for 50 seconds ¯ 2 minutes; the thermal oxidation proceeded in a pure oxygen surrounding at 400¯800°C within 2 hours.

Abstract translation: 目的：提供表面处理方法，以在金属植入物的表面上形成用于HA涂层的稳定的金属氧化膜。 构成：植入物的表面处理方法包括：通过短冲击法改变由Ti金属和化合物Ti金属形成的植入物的表面的工艺; 蚀刻溶液的工序; 热氧化过程; 短冲击过程在大气压力为4〜6的大气压下冲击了40〜60微米的氧化铝粉末进入植入物的基础材料; 通过蚀刻溶液在80〜100℃下腐蚀50秒〜2分钟; 热氧化在400〜800℃左右的纯氧气中进行2小时。

公开(公告)号：KR1020000002362A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023074

申请日：1998-06-19

Applicant: 이명범 ,  허성주 ,  구영 ,  최용창 ,  류인철 ,  한종현 ,  백홍구 ,  정종평

Inventor： 정종평 ,  한종현 ,  허성주 ,  최용창 ,  류인철 ,  구영 ,  김명호 ,  백홍구

IPC: A61K6/00

CPC classification number: A61K6/0017 ,  A61K6/04 ,  A61L27/025 ,  A61L27/06 ,  A61L2430/12

Abstract: PURPOSE: A surface processing method of an implant is provided to form a metal oxide film having an excellent sticking force. CONSTITUTION: The surface processing method of the implant comprises: thermal oxidized after modifying the surface of an implant formed in a Ti metal or the compound Ti metal by a process of a short blast; the short blast process shocked a size of 40¯60 micro-meter of alumina powder at a pressure of 4¯6 atmospheric pressure into the basic material of the implant; the thermal oxidation proceeded in a pure oxygen surrounding at 400¯800°C within 2 hours.

Abstract translation: 目的：提供植入物的表面处理方法以形成具有优异粘附力的金属氧化物膜。 构成：植入物的表面处理方法包括：通过短冲击过程改性在Ti金属或化合物Ti金属中形成的植入物的表面之后进行热氧化; 短冲击过程在大气压力为4〜6的大气压下冲击了40〜60微米的氧化铝粉末进入植入物的基础材料; 热氧化在400〜800℃左右的纯氧气中进行2小时。