광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자
    33.
    发明授权
    광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자 有权
    一种具有用于提高光提取效率的电极的发光二极管器件

    公开(公告)号:KR101725783B1

    公开(公告)日:2017-04-11

    申请号:KR1020160091166

    申请日:2016-07-19

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광다이오드소자는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된금속반사층; 상기금속반사층상에배치된투명절연층; 상기투명절연층에형성된복수의관통홀의하부에배치된 n 오믹콘택플러그; 상기관통홀의상부에배치된 n형갈륨아세나이드(GaAs) 플러그; 상기투명절연층상에배치된 n 클래딩층; 상기 n 클래딩층 상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p 클래딩층; 상기 p 클래딩층 상에배치된 p형 GaP 창문층; 상기 p형 GaP 창문층상에배치된 p 오믹콘택패턴; 상기 p 오믹콘택층상에배치된투명전도성금속산화막패턴; 및상기투명전도성금속산화막상에배치된 p 전극패드를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的发光二极管器件包括导电衬底; 设置在导电基板上的金属反射层; 设置在金属反射层上的透明绝缘层; 设置在透明绝缘层中形成的多个通孔下方的n欧姆接触插塞; 设置在通孔上部的n型砷化镓(GaAs)插塞; 设置在透明绝缘层上的n覆层; 设置在n-覆层上的有源层; 设置在有源层上的p-覆盖层; p型GaP窗口层,设置在p型包层上; 设置在p型GaP窗口层上的p欧姆接触图案; 设置在p欧姆接触层上的透明导电金属氧化物膜图案; 以及设置在透明导电金属氧化物膜上的p电极焊盘。

    고출력 노킹센서용 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
    35.
    发明公开
    고출력 노킹센서용 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 无效
    用于高输出接头传感器的压电陶瓷组合物和制造压电陶瓷的方法

    公开(公告)号:KR1020160044085A

    公开(公告)日:2016-04-25

    申请号:KR1020140138139

    申请日:2014-10-14

    CPC classification number: C04B35/48 C04B35/46

    Abstract: 본발명은고출력노킹센서용압전세라믹조성물및 이의제조방법에관한것으로 xPb(ZrTi)O-(1-x)Pb(NiZn)NbO(0.60

    Abstract translation: 本发明涉及一种高输出爆震传感器的压电陶瓷组合物及其制造方法。 用于高输出敲击传感器的压电陶瓷组合物具有xPb(Zr_(1-y)Ti_y)O_3-(1-x)Pb(Ni_0.4Zn_0.6)_(1/3)Nb(2 / 3)O_3,其中x大于0.60且小于0.69; y大于0.500且小于0.525。 压电陶瓷组合物具有高的压电应变常数并且具有低介电常数,从而能够具有高的压电电压常数。

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