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公开(公告)号：KR101845611B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
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公开(公告)号：KR20180003916A
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR20160083698
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 본발명은수평형발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치되고, 복수의홀들이형성된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기홀들의하부면에배치된씨앗층; 상기씨앗층상에서결정상태로성장되고상기복수의홀들을채우는금속산화물구조체들; 및상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여노출된 n형 GaN층상에배치되는 n 전극;을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种侧向发光二极管器件及其制造方法。 横向发光二极管器件包括衬底; 设置在基板上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的活化层; 设置在激活层上的p型GaN层，在p型GaN层中形成多个孔; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 布置在所述多个孔的底表面上的种子层; 金属氧化物结构，以结晶状态生长在晶种层上以填充多个孔; 以及设置在通过去除电流扩展层，p型GaN层，激活层和n型GaN层的部分而暴露的n型GaN层上的n电极。
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公开(公告)号：KR1020180007621A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种水平平板型发光二极管器件，包括：衬底; 设置在衬底上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 通过去除所述电流扩展层的一部分，所述p型GaN层，所述有源层和所述n型GaN层而形成的台面区域; 设置在部分或全部存储区中的n型GaN层上的透明窗口层; 多个接触插塞，其穿透透明窗口层并接触n型GaN层; 以及设置在透明窗口层上并连接接触插塞的n电极。 电流扩展层，p型GaN层和有源层彼此垂直对准以提供发光区域。
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公开(公告)号：KR1020170136348A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160068311
申请日：2016-06-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/24 , H01L2933/0016 , H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/38 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은수평형발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이수평형발광다이오드소자는사파이어기판; 상기사파이어기판상에배치된 n형 GaN 층; 상기 n 형 GaN 층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN 층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN 층, 및상기활성층을관통하여상기 n형 GaN층을노출시키는복수의홀들; 및상기노출된 n형 GaN 층상에배치되고상기복수의홀들의하부면에서상기노출된 n형 GaN 층과복수의위치에서오믹접합하는 n 전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR101166870B1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：KR1020090092699
申请日：2009-09-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은, 하우징; 상기 하우징에 배치되는 구동 모터와, 상기 하우징에 회동 가능하게 장착되고 상기 구동 모터와 연결되어 구동력을 전달받아 상기 하우징을 위치 이동시키기 위한 구동 휠을 포함하는 구동 유니트; 상기 하우징에 배치되어 상기 하우징의 주변 환경을 감지하는 감지 유니트; 상기 감지 유니트에 의하여 감지된 정보에 기초하여 상기 하우징을 도약시켜 위치 변동 가능하게 하는 도약 유니트;를 구비하는 도약 로봇 및 이를 구비하는 도약 로봇 제어 방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101933761B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020160083698
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 수평형 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 수평형 발광다이오드 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되고, 복수의 홀들이 형성된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 배치된 p 전극; 상기 홀들의 하부면에 배치된 씨앗층; 상기 씨앗층 상에서 결정 상태로 성장되고 상기 복수의 홀들을 채우는 금속산화물 구조체들; 및 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 노출된 n형 GaN층 상에 배치되는 n 전극;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101766588B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160083693
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드소자, 및이의제조방법을제공한다. 상기수직형발광다이오드소자는, p 전극으로동작하는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치되는활성층; 상기활성층상에배치되는 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치되는 n 전극패턴; 상기 n형 GaN층에형성된복수의홀들을채우는금속산화물구조체; 및상기홀들의하부면에배치되어상기금속산화물구조체의결정성장의씨앗으로동작하는씨앗층을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种垂直型发光二极管器件及其制造方法。 垂直发光二极管器件包括：作为p电极操作的导电衬底; 设置在导电基板上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的n电极图案; 填充形成在n型GaN层中的多个孔的金属氧化物结构; 以及设置在孔的下表面上并且用作用于金属氧化物结构的晶体生长的晶种的晶种层。
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公开(公告)号：KR101763072B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160071679
申请日：2016-06-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은 GaN 발광다이오드소자를제공한다. 이 GaN 발광다이오드소자는기판; 상기기판상에적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층상에적층된활성층; 상기활성층에적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에적층된투명전도성금속산화물을포함하는전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에서로이격되어배치된복수의상부전류주입전극들; 상기상부전류주입전극들을덮도록연장되는상부전극패턴; 및상기상부전극패턴과전기적으로연결하는상부전극패드를포함한다. 상기상부전극패턴은차례로적층된제1 상부전극패턴및 제2 상부전극패턴을포함하고, 상기제1 상부전극패턴은은(Ag) 또는은 합금박막이고, 상기제2 상부전극패턴은투명전도성금속산화물박막을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110035129A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020090092699
申请日：2009-09-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A jumping robot and a control method thereof are provided to variously select a jumping range by increasing the adjustment freedom of jumping angle. CONSTITUTION: A jumping robot comprises a housing(100), a driving unit(200), a sensing unit, and a jumping unit(300). The driving unit comprises a drive motor(220) and a drive wheel(210). The drive motor is arranged in the housing. The drive wheel is installed in the housing to rotate. The drive wheel receives driving force from the drive motor and transfers the housing. The sensing unit is arranged in the housing and surrounds the environment of the housing. The jumping unit varies the location of the housing by jumping the housing based on the sensed information.
Abstract translation: 目的：提供跳跃机器人及其控制方法，通过增加跳跃角度的调节自由度来不同地选择跳跃范围。 构成：跳跃机器人包括壳体（100），驱动单元（200），感测单元和跳跃单元（300）。 驱动单元包括驱动马达（220）和驱动轮（210）。 驱动电机布置在壳体中。 驱动轮安装在外壳内旋转。 驱动轮从驱动马达接收驱动力并转移壳体。 感测单元布置在壳体中并且围绕壳体的环境。 跳跃单元通过基于所感测的信息跳转壳体来改变壳体的位置。
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公开(公告)号：KR101814283B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020160068311
申请日：2016-06-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/24 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은수평형발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이수평형발광다이오드소자는사파이어기판; 상기사파이어기판상에배치된 n형 GaN 층; 상기 n 형 GaN 층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN 층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN 층, 및상기활성층을관통하여상기 n형 GaN층을노출시키는복수의홀들; 및상기노출된 n형 GaN 층상에배치되고상기복수의홀들의하부면에서상기노출된 n형 GaN 층과복수의위치에서오믹접합하는 n 전극을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种卧式发光二极管装置及其制造方法。 各向同性发光二极管器件包括蓝宝石衬底; 设置在蓝宝石衬底上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 穿过电流扩展层，p型GaN层和有源层的多个孔以暴露n型GaN层; 以及设置在暴露的n型GaN层上并且在多个孔的下表面上的多个位置处欧姆接合到暴露的n型GaN层的n电极。
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