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公开(公告)号：WO2017188658A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004218
申请日：2017-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극과 상기 드렌인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 절연체로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속 나노 구조체; 및 절연체로 구성되고 상기 금속 나노 구조체 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 以及设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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公开(公告)号：WO2009148253A2
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/KR2009/002938
申请日：2009-06-02
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 성태연
Inventor： 성태연
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L33/642
Abstract: 본 발명은 다층 발광구조체 박막을 이용한 반도체 발광소자 제조용 지지기판및 상기 반도체 발광소자 제조용 지지기판을 이용하여 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 반도체 발광소자 제조용 지지기판은 선택지지기판 위에 순차적으로 적층 형성된 희생층, 히트 씽크층 및 본딩층으로 이루어진다. 상기 반도체 발광소자 제조용 지지기판을 이용한 반도체 발광소자 제조 방법은, 최초 성장기판의 상부에 반도체 다층 발광구조체가 적층/성장된 제 1 웨이퍼를 준비하는 단계; 반도체 발광소자 제조용 지지기판(prepared supporting substrate)인 제 2 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 제 1 웨이퍼의 상부에 상기 제 2 웨이퍼를 본딩하는 단계; 상기 본딩된 결과물로부터 제 1 웨이퍼의 최초 성장기판을 분리하는 단계; 상기 최초 성장기판이 분리된 제1 웨이퍼의 상부에 제 1 오믹접촉 전극을 형성하고 패시베이션(passivation)하는 단계; 및 상기 패시베이션 결과물을 절단하여 단일 칩으로 제작하는 단계를 구비한다.
Abstract translation: 本发明是用于制造使用发光多层结构膜的半导体发光器件的支撑衬底和使用该支撑衬底的半导体发光器件的制造方法。 支撑衬底包括牺牲层，散热层和接合层，其依次层压在选定的支撑衬底上。 制造半导体发光器件的方法包括：在第一生长衬底上制备第一晶片，所述第一晶片具有在其上层压/生长的发光多层结构; 制备用作半导体发光器件的制造用支撑基板的第二晶片; 将所述第二晶片接合到所述第一晶片上; 将第一晶片的第一生长衬底与所得到的结合物体分离; 在所述第一晶片上形成第一欧姆接触电极，所述第一生长衬底从所述第一欧姆接触电极被去耦并进行钝化; 并切割被钝化的物体以制造单个芯片。
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公开(公告)号：WO2017057902A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/KR2016/010870
申请日：2016-09-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: P형 반도체층 상에 형성된 전극 구조체는, 상기 P형 반도체 층에 형성되며, 금속 베이스와 확산 물질을 포함하는 금속 베이스 반사층, 상기 금속 베이스 반사층의 상부에 형성되며, 금속으로 이루어진 금속 전극, 상기 금속 베이스 반사층 및 상기 금속 전극 사이에 개재되며, 상기 금속 베이스 반사층을 열처리하여 상기 확산 물질이 상기 P형 반도체층 내에 확산되어 상기 P형 반도체층 내에 어셉터로서 기능시키는 열처리 공정 중 상기 확산 물질이 상기 금속 전극을 향하여 확산되는 것을 억제하는 확산 억제막을 포함한다.
Abstract translation: 形成在p型半导体层上的电极结构包括：金属基底反射层，其形成在p型半导体层上，并且包括金属基底和漫射材料; 金属电极，其形成在金属基底反射层的上部，并且由金属制成; 以及插入在金属基底反射层和金属电极之间的扩散抑制膜，以在用于热处理金属基底反射层的热处理过程中抑制扩散材料向金属电极的扩散，使得漫射材料扩散到 p型半导体层，作为p型半导体层内的受体发挥作用。
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公开(公告)号：WO2016098978A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/KR2015/007077
申请日：2015-07-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: P형 반도체 박막 구조물의 형성 방법에 있어서, 반극성 또는 비극성을 갖는 평면이 노출된 기판을 준비한다. 상기 평면 상에 제1 온도에서 Ⅲ족 금속 소스 및 제1 유량을 갖는 질소 소스를 공급하여 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 반도체 박막을 형성한다. 이후, 상기 Ⅲ족 금속 소스 및 상기 제1 보다 작은 제2 유량의 질소 소스를 공급하여 상기 제1 반도체 박막 상에 상기 제1 표면 거칠기보다 큰 제2 표면 거칠기를 갖는 제2 반도체 박막을 형성한다.
Abstract translation: 在形成p型半导体薄膜结构的方法中，准备了暴露半极性或非极性平面的衬底。 通过在第一温度下提供具有第一流量的III族金属源和氮源，在该平面上形成具有第一表面粗糙度的第一半导体薄膜。 然后，通过提供第III族金属源和第二流量小于第一流量的氮源，在第一半导体薄膜上形成第二表面粗糙度大于第一表面粗糙度的第二半导体薄膜 。
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公开(公告)号：WO2017183911A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2017/004204
申请日：2017-04-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 GaN 발광 다이오드 소자를 제공한다. 이 GaN 발광 다이오드 소자는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층; 상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 형성된 상부 전극 패턴; 및 상기 상부 전극 패턴 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함한다. 상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고, 상기 제1 상부 전극 패턴은 적층된 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고, 상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 상부 전극 패턴과 상기 전류 퍼짐층은 청색 또는 녹색 영역에서 85 퍼센트 이상의 투과도를 가지는 광학 필터로 동작한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种GaN发光二极管器件。 GaN发光二极管器件包括蓝宝石衬底; 堆叠在蓝宝石衬底上的n型GaN层; 堆叠在n型GaN层上的有源层; 堆叠在有源层上的p型GaN层; 包括堆叠在所述p型GaN层上的透明导电金属氧化物的电流扩展层; 形成在电流扩展层上的上电极图案; 并且在上电极图案上形成上电极焊盘。 其中，上电极图案包括顺序堆叠的第一上电极图案和第二上电极图案，第一上电极图案为叠层银（Ag）或银合金薄膜，第二上电极图案为透明 其中上电极图案和电流扩展层用作在蓝色或绿色区域中具有85％或更多的透射率的光学滤波器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017030352A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/KR2016/009005
申请日：2016-08-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 AZO/Ag/AZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 금속층; 및 상기 Ag 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 Al이 도핑된 ZnO층을 포함하는 플렉시블 투명 전극으로서, 상기 Ag 금속층의 두께는 15 nm 내지 23 nm이며, 상기 Al이 도핑된 ZnO층의 두께는 15 nm 내지 60 nm인 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명 전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 ITO 전극에 비견할 만한 높은 투과도를 지니면서도, 낮은 면저항값을 갖고, 상온 증착 공정에 의해서 제조되어 고온 열처리가 필요 없이 폴리머 기판에 그대로 제조가 가능한 플렉시블 투명전극을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有AZO / Ag / AZO多层薄膜结构的柔性透明电极，更具体地说，涉及柔性透明电极，其包括：Ag金属层; 和分别层压在Ag金属层的上表面和下表面上的Al掺杂的ZnO层，其中Ag金属层的厚度为15nm至23nm，并且Al掺杂的ZnO层的厚度为 15nm至60nm。 本发明能够提供具有与常规ITO电极相当的高透射率并且具有低表面电阻值的柔性透明电极。 此外，柔性透明电极通过室温沉积工艺制造，因此可以在聚合物基材上制造而不需要高温热处理。
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公开(公告)号：WO2011065723A2
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/KR2010/008281
申请日：2010-11-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 성태연
Inventor： 성태연
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079
Abstract: 본 발명은 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 금속후막 또는 금속호일로 구성되는 고성능 히트싱크 지지대를 구비하는 수직구조 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 수직구조 반도체 발광소자는 고성능 히트싱크 지지대를 구비하여 미세한 마이크로 크랙(micro-crack)이 발생하지 않고, 열처리 및 측면 패시배이션 박막 등의 후속공정을 자유롭게 할 수 있어 열적 및 기계적 손상이 전혀 없는 고신뢰성의 발광소자이다.
Abstract translation: 垂直结构半导体发光元件及其制造方法技术领域本发明涉及垂直结构半导体发光元件及其制造方法，更具体地说，涉及具有厚金属膜或金属箔的高性能散热器支架的立体结构半导体发光元件。 根据本发明制造的垂直结构半导体发光元件构成了高度可靠的发光元件，绝对没有热或机械损伤，因为它具有高性能散热器支撑，因此不受微细微裂纹的影响，并且可以自由地 热处理和后处理，包括侧表面钝化薄膜。
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公开(公告)号：WO2010008209A2
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/KR2009/003905
申请日：2009-07-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 성태연
Inventor： 성태연
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 발광소자 제조시 사파이어 기판으로부터 분리되는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막의 손상을 최소화시키고, 그 결과 반도체 발광소자의 전체적인 성능이 향상될 수 있는 수직구조 반도체 발광소자 제조용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조 반도체 발광소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 수직구조 반도체 발광소자 제조용 지지기판은 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성되는 다층발광구조체 박막이 적층되는 사파이어 기판과의 열팽창 계수 차이가 5ppm 이하인 물질로 이루어진 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상에 형성되는 희생층(sacrificial layer); 상기 희생층의 상부에 형성되는 금속후막(thick metal film); 및 상기 금속후막의 상부에 형성되며, 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing) 합금 물질로 이루어진 본딩층을 구비하여 이루어진다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制造垂直结构的半导体发光元件的支撑衬底，其最小化对在生产过程中与蓝宝石衬底分离的III-V族氮化物基半导体的层状发光结构薄膜的损害最小化 的半导体发光元件，从而可以提高半导体发光元件的整体性能。 本发明还涉及采用该支撑基板的垂直构造的半导体发光元件。 根据本发明的用于制造垂直构造的半导体发光元件的支撑衬底包括：选择性支撑衬底，其包括热膨胀系数不超过与其上蓝宝石衬底的蓝宝石衬底不同的5ppm的物质， 覆盖包括III-V族氮化物基半导体的层状发光结构薄膜; 形成在所述选择性支撑衬底上的牺牲层; 形成在牺牲层上的厚金属膜; 以及形成在厚金属膜上并包含焊接或钎焊合金物质的接合层。
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公开(公告)号：WO2021101242A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2020/016261
申请日：2020-11-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/306 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 다층 채널 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 제1 채널층; 상기 제1 채널층의 상에 형성되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극; 상기 제1 채널층, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 상에 형성되는 제1 게이트 절연막; 상기 제1 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성되는 제2 게이트 절연막; 상기 제2 게이트 절연막 상에 형성되는 제2 채널층; 및 상기 제2 채널층 상에 형성되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극;을 포함하고, 상기 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극은 소스 전극 연결부를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극은 드레인 전극 연결부를 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2019078460A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/KR2018/008604
申请日：2018-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/62
Abstract: 본 발명은 LED 플립칩을 제공한다. 이 LED 플립칩은, 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판 상에 배치되고 메사 구조를 가지는 n형 GaN층; 상기 n형 반도체층과 정렬된 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층과 정렬되고 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층; 투명 전도성 산화물로 구성되고 상기 p형 GaN층과 정렬되고 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 가시광선 영역에서 제1 반사도를 가지고 상기 전류 퍼짐층 상에 국부적으로 배치된 p-패드; 상기 p-패드와 동일한 물질로 형성되고 상기 전류 퍼짐층 상에 배치되고 상기 p-패드와 이격되어 배치된 복수의 제1 전류 주입 금속 닷들; 및 상기 제1 반사도 보다 높은 제2 반사도를 가지고 상기 p-패드에 접촉하면서 상기 p-패드를 노출시키고 상기 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 연장되어 배치되고 상기 활성층에서 발광된 광을 상기 사파이어 기판 방향으로 반사하는 복수의 p-핑거들;을 포함한다.
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