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公开(公告)号：WO2014129709A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/KR2013/006804
申请日：2013-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전극 패드와 반도체층 사이에, 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성하였다. 따라서, 본 발명은 전극 패드로 주입되는 전류가 투명 전극에서 발광 소자 전체 영역으로 확산되도록 하여 전류 집중 문제를 해결할 뿐만 아니라, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타태고, 전도성 필라멘트의 형성으로 인하여 투명 전극의 전도도가 높아지므로, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에서 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 더 형성하는 경우, 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지에 더 효율적이다.
Abstract translation: 本发明公开了一种垂直发光装置及其制造方法。 本发明提供了一种插入在电极焊盘和半导体层之间的透明电极，该透明电极由对整个光的全部区域具有高透光率的电阻变化材料制成，当接收到大于固有阈值电压 形成用于使电流流动从而从高电阻状态转换为低电阻状态的导电细丝。 因此，本发明能够使注入电极焊盘的电流在透明电极中的发光元件的整个区域扩散，从而解决电流集中的问题。 透明电极对于由发光元件产生的可见光和紫外线（特别是波长340nm〜280nm，低于280nm的紫外线）的透光性高，形成导电性细丝，从而 增加其导电性，从而显示与半导体层的优异的欧姆接触特性。 此外，根据本发明，如果透明电极的上部或下部附加地具有由具有优异的导电和透光特性的CNT或石墨烯组成的电流扩散层，则形成在透明电极中的导电元件被连接 以便使通过所有半导体层流入透明电极的电流扩散，从而更有效地防止电流集中。
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公开(公告)号：WO2011159001A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/KR2010/008324
申请日：2010-11-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L29/66833
Abstract: 본 발명은 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 종래 기술의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자가 점점 소형화됨에 따라서 전하 포획층에서 포획되는 전하의 양이 감소하고, 이로 인해서 메모리 소자의 프로그램 상태 및 프로그램 소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우 마진을 확보하기 어려운 문제점을 해소하기 위해서, 전하 포획층 중 주로 전하가 포획되는 영역인 전하 포획층과 블로킹 절연막의 접합면에 요철 패턴과 같은 나노 패턴을 형성하였다. 본 발명은 별도의 복잡한 공정의 추가없이, 기존의 SONOS 공정에서 나노 패턴을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 전하 포획층 중 전하가 포획되는 영역인 블로킹 절연막과의 계면을 확장하여, 단위 길이당 전하가 포획되는 영역을 증가시킬 수 있게 되었고, 이로 인해, 45nm 이하의 초소형 메모리 소자에서도 큰 메모리 윈도우 마진을 확보할 수 있게 됨으로써, 보다 신뢰성있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及SONOS非易失性存储器件及其制造方法。 为了解决现有技术中较小的SONOS非易失性存储器件的问题，例如，电荷量的减少被俘获在电荷俘获层中，这导致难以确保用于识别程序条件的存储器窗口余量 存储器件和程序擦除条件，在电荷俘获层和阻挡绝缘膜之间的接合表面上形成诸如凹凸图案的纳米图案，其中电荷主要在电荷俘获层的其它区域中 被困。 本发明仅对常规SONOS工艺增加纳米图案形成工艺，而不涉及单独的附加复杂工艺，以扩大电荷捕获层和阻挡绝缘膜之间的界面，其对应于电荷 被俘获在电荷俘获层的其他区域中。 因此，可以增加每单位长度的电荷捕获面积，并且因此即使在不大于45nm的超小型存储器件中也能够确保足够大的存储窗边缘，从而提供具有较高的非易失性存储器件 可靠性。
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公开(公告)号：KR101718944B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020150036772
申请日：2015-03-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은금속메쉬구조를갖는투명전극제조방법및 이를이용하여제조된투명전극을공개한다. 본발명의바람직한실시예에따른, 금속메쉬구조를갖는투명전극제조방법은, 기판위에제 1 금속을증착하여기판위에서로분리된복수의제 1 금속결정체들을형성하고, 제 1 금속결정체들사이를금속메쉬를구성할제 2 금속들로채운후 열처리를수행하여, 선폭이나노사이즈인제 2 금속으로형성된금속메쉬를형성하고, 금속메쉬사이공간을투명하면서도전도도가높은제 1 금속과제 2 금속의산화물인투명결정체로채운다. 따라서, 본발명의바람직한실시예에따른투명전극은사진시각공정과같은복잡한공정을적용하지않고서도기판위에선폭이나노사이즈인금속메쉬를형성할수 있을뿐만아니라, 기판상부면전체를금속메쉬와높은전도도및 투과도를갖는투명결정체로형성함으로써용이하게전류를기판전체로확산시키면서도기존의금속메쉬의문제점인금속메쉬의투과도편차또는 Haze 현상을제거하는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101508574B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130077913
申请日：2013-07-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 본발명은이미지센서용웨이퍼레벨패키지및 그제조방법에관한것으로서, 일측면과상기일측면으로부터이격되는타측면을가지며, 상기일측면에패드가구비된웨이퍼; 상기패드상에형성되는캐비티격벽층; 및상기캐비티격벽층과결합되는커버글라스기판을포함하되, 상기캐비티격벽층은상기웨이퍼의상기일측면에드라이필름을이용하여포토리소그래피공정으로형성한다.
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公开(公告)号：KR101321353B1
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120050932
申请日：2012-05-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/45 , H01L33/005 , H01L51/442 , H01L51/444 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a transparent electrode and a semiconductor device using the same are provided to form a transparent electrode of conductivity by performing a forming process. CONSTITUTION: One surface of a transparent electrode (20) is in contact with a semiconductor layer. The resistance state of the transparent electrode is changed from a high resistance state to a low resistance state. A metal electrode pad (30) is made of a metal. A metal electrode pad is formed on a surface opposite to one surface touching the semiconductor layer. A forming process is performed on the transparent electrode to form a conductive filament (22).
Abstract translation: 目的：提供一种制造透明电极的方法和使用其的半导体器件，以通过进行成形工艺形成导电性的透明电极。 构成：透明电极（20）的一个表面与半导体层接触。 透明电极的电阻状态从高电阻状态变为低电阻状态。 金属电极焊盘（30）由金属制成。 金属电极焊盘形成在与接触半导体层的一个表面相对的表面上。 在透明电极上进行形成工艺以形成导电丝（22）。
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公开(公告)号：KR101311772B1
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020120055854
申请日：2012-05-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A transparent electrode and a method for fabricating the same are provided to improve the transmittance of light by forming a thin film on a current spreading layer including grapheme. CONSTITUTION: A current spreading layer (21) is made of graphene. The current spreading layer is arranged on a semiconductor layer. A first electrode (22a) with a predetermined pattern is formed on the current spreading layer. The height of a second electrode (23) is same as the height of the first electrode. The transmittance of the second electrode is greater the transmittance of the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供透明电极及其制造方法，以通过在包括图形的电流扩展层上形成薄膜来提高光的透射率。 构成：电流扩散层（21）由石墨烯制成。 电流扩散层布置在半导体层上。 具有预定图案的第一电极（22a）形成在电流扩展层上。 第二电极（23）的高度与第一电极的高度相同。 第二电极的透射率大于第一电极的透射率。
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公开(公告)号：KR101286211B1
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020120015703
申请日：2012-02-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a light emitting device and a light emitting device fabricated by using the same are provided to improve light extraction efficiency by reducing the total reflection of the light generated from an active layer. CONSTITUTION: A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer is prepared (S10). A light extraction layer having a recess pattern is formed on the upper part of the second conductive semiconductor layer (S20). The light emitting structure is dipped into a solution including nanomaterials (S30). The nanomaterials are adsorbed onto the light extraction layer (S40). An electrode is formed on the light extraction layer (S50). [Reference numerals] (S10) Light emitting structure is prepared; (S20) Light extraction layer is formed; (S30) Dipping; (S40) Adsorption; (S50) Electrode is formed
Abstract translation: 目的：提供一种制造发光器件的方法和使用该方法制造的发光器件，以通过减少由有源层产生的光的全反射来提高光提取效率。 构成：制备包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构（S10）。 在第二导电半导体层的上部形成具有凹凸图案的光提取层（S20）。 将发光结构浸入包括纳米材料的溶液中（S30）。 纳米材料被吸附到光提取层上（S40）。 在光提取层上形成电极（S50）。 （附图标记）（S10）准备发光结构体; （S20）形成光提取层; （S30）浸渍; （S40）吸附; （S50）形成电极
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公开(公告)号：KR101179133B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020110015521
申请日：2011-02-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 종래 기술의 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 경우에, 1mA 이상의 높은 동작 전류가 이용되어 소비 전력이 증가되고, 소자의 계면 트랩이 쉽게 열화되는 문제점이 발생하였으나, 본 발명은 전하 충전층과 전극층 사이에 기존의 저항 변화층에 비하여 barrier height가 높은 절연층을 삽입함으로써 동작 전류를 감소시켜 저전력의 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래의 금속 전극층과 저항 변화층의 계면 대신에 CNT로 구현되는 전하 충전층을 커패시터로 이용함으로써, 안정적인 전하 구속효과를 제공할 수 있어 기억 유지 특성을 개선할 수 있고, 이에 따라서 메모리 소자 전체의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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