公开(公告)号：KR1020090070988A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020070139169

申请日：2007-12-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  최창학 ,  최주영

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/475

CPC classification number: H01L21/02172 ,  H01L21/02266 ,  H01L27/108

Abstract: An MIM capacitor employing dielectric thin films is provided to be deposited within a low temperature range from room temperature to 300°C and to show high dielectric constant and low dielectric loss. An MIM capacitor(10) comprises: a bottom electrode layer(120); a dielectric thin film(150) comprising dielectric compositions represented by the formula 1 of Bi6Ti5TeO22; and a top electrode layer(170) patterned so as to overlap with the bottom electrode layer. The dielectric thin film is formed on the bottom electrode layer in 50-300nm thickness. The top electrode layer is formed on the dielectric thin film. The MIM capacitor shows high dielectric constant of 50 or greater and low dielectric loss of 1% or less.

Abstract translation: 提供使用电介质薄膜的MIM电容器，其在从室温至300℃的低温范围内沉积并显示高介电常数和低介电损耗。 MIM电容器（10）包括：底部电极层（120）; 包含由Bi6Ti5TeO22的式1表示的电介质组合物的电介质薄膜（150） 以及图案化以与底部电极层重叠的顶部电极层（170）。 电介质薄膜形成在厚度为50-300nm的底部电极层上。 顶电极层形成在电介质薄膜上。 MIM电容器具有50或更大的高介电常数和1％以下的低介电损耗。

公开(公告)号：KR1020090047246A

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：KR1020070113306

申请日：2007-11-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  조경훈 ,  정영훈

IPC: C04B35/495 ,  H01B3/10

CPC classification number: H01B3/12 ,  H01H13/704 ,  H01L28/75

Abstract: 본 발명에 따른 스위칭 소자는 화학식1 Bi
5 Nb
3 O
15 의 유전체 조성물로 형성되는 유전체 박막층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 유전체 조성물은 화학식 1의 Bi
5 Nb
3 O
15 조성을 갖으며, 400℃ 이하의 저온 공정에서 형성할 수 있는 유전 박막 재료를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 조성물 및 이로 형성되는 유전체 박막층을 구비하는 스위칭 소자는 고유전율, 저유전손실 및 저온에서 용이한 증착공정으로 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020090005765A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：KR1020070069063

申请日：2007-07-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  박휘열

IPC: H01L41/16 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

Abstract: The piezoelectric material and manufacturing method thereof are provided to perform easily the process and to improve the piezoelectric characteristic by mixing CT with the NKN series. The material powder including the K2CO3, Na2CO3, Nb2O5, CaCO3, TiO2 is put into the jar. It wet-mixes for 30 hours through 15 and then the mixture is formed (S100). The mixture is sintered in the thermal annealing temperature 700°C or 1000°C after drying and the first powder((1-x)NKN-x(0%

Abstract translation: 提供压电材料及其制造方法，以便通过将CT与NKN系列混合来容易地进行工艺和改善压电特性。 将包括K 2 CO 3，Na 2 CO 3，Nb 2 O 5，CaCO 3，TiO 2的材料粉末放入罐中。 通过15次湿混合30小时，然后形成混合物（S100）。 混合物在干燥后在700℃或1000℃的热退火温度下烧结，形成第一粉末（（1-x）NKN-x（0％<< 20％））（S200）。 将第一粉末在100小时内经50次湿混合并干燥以形成第二粉末（S300）。 在第二粉末的压制成型之后，在烧结温度700℃-1500℃下烧结1小时或25小时以形成压电材料（S400）。