公开(公告)号：KR100902870B1

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：KR1020070113306

申请日：2007-11-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  조경훈 ,  정영훈

IPC: C04B35/495 ,  H01B3/10

Abstract: 본 발명에 따른 스위칭 소자는 화학식1 Bi
5 Nb
3 O
15 의 유전체 조성물로 형성되는 유전체 박막층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 유전체 조성물은 화학식 1의 Bi
5 Nb
3 O
15 조성을 갖으며, 400℃ 이하의 저온 공정에서 형성할 수 있는 유전 박막 재료를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 조성물 및 이로 형성되는 유전체 박막층을 구비하는 스위칭 소자는 고유전율, 저유전손실 및 저온에서 용이한 증착공정으로 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100850642B1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：KR1020070010745

申请日：2007-02-01

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  정영훈 ,  임종봉

IPC: H01L27/108

Abstract: 2010년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)의 요구조건인 4.0 fF/㎛
2 이상의 정전 용량 밀도, 7 fA/pFV 이하의 낮은 누설전류, 100 ppm/V
2 이하의 정전용량 전압계수(VCC), 50 이상의 품질계수를 모두 만족시킬 수 있는 MIM 캐패시터가 제공된다. 본 발명에 따른 MIM 캐패시터는 상부전극과 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi
4 O
9 박막을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조방법도 제공된다.
MIM, 캐패시터, ITRS, 정전용량, 누설전류, VCC, TCC