公开(公告)号：KR1020000044198A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980060689

申请日：1998-12-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the TMA device is provided to increase the driving angle of the actuator and to prevent bending phenomena of the actuator by disallowing the first and second electrodisplacive being formed on the connection part of the lower electrode and to improve screen image. CONSTITUTION: A device comprises an active matrix(100), a substrate(101), a transistor(120), a first metal layer(135), a first protection layer(140), a second metal layer(145), a second protection layer(150), an etching preventing layer(155), a first sacrificial layer(160), a supporting layer(170), a first anchor(171), and a supporting line(174). A manufacturing method comprises a step of providing the active matrix including the first metal layer which has the drain pad extended from the drain of the transistor; a step of forming a first layer, a second layer, a lower electrode layer and upper electrode layer on the upper part of the active matrix; a step of forming the actuator including the first and second upper electrode, first and second electrodisplacives and the lower electrode by patterning the lower part electrode layer, the second layer and the upper part electrode layer sequentially; and a step of forming a first and second aperture part which penetrates the supporting layer.

Abstract translation: 目的：提供TMA装置的制造方法，以增加致动器的驱动角度，并且通过不允许形成在下电极的连接部分上的第一和第二电致位移体并改善屏幕图像来防止致动器的弯曲现象。 构造：器件包括有源矩阵（100），衬底（101），晶体管（120），第一金属层（135），第一保护层（140），第二金属层（145），第二 保护层（150），防蚀层（155），第一牺牲层（160），支撑层（170），第一锚固件（171）和支撑线（174）。 一种制造方法包括提供包括从晶体管的漏极延伸的漏极焊盘的第一金属层的有源矩阵的步骤; 在有源矩阵的上部形成第一层，第二层，下电极层和上电极层的步骤; 通过顺序地构图下部电极层，第二层和上部电极层，形成包括第一和第二上部电极，第一和第二电致位移器和下部电极的致动器的步骤; 以及形成穿透所述支撑层的第一和第二开口部的步骤。

公开(公告)号：KR100256789B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019970056259

申请日：1997-10-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method forms a mirror on a step-removed post and the second sacrificial layer, thereby stably connecting the mirror with a top electrode of an actuator and preventing the diffusion of an incident light around the post. CONSTITUTION: The patterning of the second sacrificial layer exposes the portion formed in one side of a top electrode and in the contour of an actuator of a common electrode(200). Thus, the step is formed between the second sacrificial layer-patterned portion and the adjacent portion. To remove the step of the second sacrificial layer, one side of the exposed top electrode and both sides of a common electrode line(200) are put into a plating tank(235) including a plating solution, then the electroplating is performed to a post for supporting a mirror(230). A blue vitriol plating solution including a blue vitriol of 60 to 100g/l, a sulphuric acid of 150 to 225g/l and a chlorine of 20 to 80mg/l is used in the electroplating process. Therefore, the post formed by the electroplating removes the step of the second sacrificial layer pattern portion.

Abstract translation: 目的：薄膜微镜阵列致动（TMA）制造方法在逐步去除的柱和第二牺牲层上形成反射镜，从而将反射镜与致动器的顶部电极稳定地连接，并防止入射光的扩散 周围的帖子。 构成：第二牺牲层的图案化暴露出在顶部电极的一侧和公共电极（200）的致动器的轮廓中形成的部分。 因此，在第二牺牲层图案部分和相邻部分之间形成台阶。 为了去除第二牺牲层的步骤，将暴露的顶部电极的一侧和公共电极线（200）的两侧放入包括电镀液的电镀槽（235）中，然后将电镀进行到电极 用于支撑反射镜（230）。 在电镀工序中，使用含有60〜100g / l的蓝色硫醇，150〜225g / l的硫酸和20〜80mg / l的氯的蓝色硫酸镀液。 因此，由电镀形成的柱移除第二牺牲层图案部分的台阶。

公开(公告)号：KR1020000003886A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019980025186

申请日：1998-06-29

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirrors array in an optical projection system is provided to increase a degree of horizontal of the mirror formed on the top of a second sacrificial layer. CONSTITUTION: The method for manufacturing a thin film actuated mirrors array comprising the step of: providing an active matrix (100) including a first metal layer (135), which a MOS transistor is built-in and a drain pad extending from a drain of the transistor; forming and patterning a first sacrificial layer (160) onto the active matrix by using an amorphous silicon, and then forming a support layer (170) on the first sacrificial layer; forming a first actuating layer (210) including a first lower electrode (180), a first deformable layer (190), and a upper electrode (200) and a second actuating layer (211) including a second electrode (181), a second deformable layer (191), and a upper electrode layer (201) onto the support layer; forming a amorphous silicon layer onto the support layer, the first actuating layer and the second actuating layer and then a second sacrificial layer (300) including the step of the forming the amorphous silicon; forming a mirror (260) on the second sacrificial; and removing the first and second sacrificial layers.

Abstract translation: 目的：提供一种在光学投影系统中制造薄膜致动反射镜阵列的方法，以增加形成在第二牺牲层顶部上的反射镜的水平度。 构造：制造薄膜致动反射镜阵列的方法，包括以下步骤：提供包括内置MOS晶体管的第一金属层（135）和从漏极延伸的漏极焊盘的有源矩阵（100） 晶体管; 通过使用非晶硅形成和图案化第一牺牲层（160）到有源矩阵上，然后在第一牺牲层上形成支撑层（170）; 形成包括第一下电极（180），第一变形层（190）和上电极（200）的第一致动层（210）和包括第二电极（181）的第二致动层（211） 可变形层（191）和上电极层（201）到支撑层上; 在所述支撑层，所述第一致动层和所述第二致动层上形成非晶硅层，然后形成第二牺牲层（300），所述第二牺牲层包括形成所述非晶硅的步骤; 在所述第二牺牲物上形成反射镜（260）; 以及去除第一和第二牺牲层。

公开(公告)号：KR100233996B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960064442

申请日：1996-12-11

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 광학적인 화상투영 시스템에 사용되는 박막형 광로조절 장치에서 포토리쏘그래피 공정의 적용이 불필요하며 도전성 재료의 접착성과 두께의 균일성을 향상시킨 개선된 비어콘택 형성방법이 개시되어 있다. 광로조절 장치는, 화상신호가 인가되는 액티브매트릭스를 마련한 후, 인가된 화상신호에 의해서 작동되는 액츄에이터를 형성하고, 액티브매트릭스에 인가되는 화상신호를 액츄에이터로 전달하기 위한 비어콘택을 형성함으로써 제조된다. 비어콘택은, 하부전극을 패터닝한 후, 액츄에이터의 지지부에서 멤브레인, 식각방지층 및 보호층을 순차적으로 식각하여 비어홀을 형성하고, 전기도금법 또는 무전해도금법을 이용하여 비어홀 내에 도전성 재료, 바람직하게는 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)을 도금하여 액티브매트릭스의 금속성 드레인패드와 하부전극을 전기적으로 연결함으로써 형성된다. 비어콘택을 형성한 후에는, 리프트-오프(lift-off) 방법을 이용하여 변형부와 상부전극을 순차적으로 증착시킨다.

公开(公告)号：KR100225585B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019970006129

申请日：1997-02-27

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호 ,  최윤준

IPC: H01L27/146

Abstract: 2개의 액츄에이팅부를 가지는 박막형 광로 조절 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 트랜지스터가 내장되고, 양측 상부에 패드가 형성된 액티브 매트릭스, 상기 액티브 매트릭스의 일측 상부에 형성된 제1 하부 전극, 상기 제1 하부 전극의 상부에 형성된 제1 변형층, 상기 제1 변형층의 상부에 형성된 제1 상부 전극 및 상기 제1 상부 전극의 상단에 형성된 제1 지지부를 갖는 제1 액츄에이팅부, 상기 액티브 매트릭스의 타측 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제2 하부 전극, 상기 제2 하부 전극의 상부에 형성된 제2 변형층, 상기 제2 변형층의 상부에 형성된 제2 상부 전극 및 상기 제2 상부 전극의 상단에 형성된 제2 지지부를 갖는 제2 액츄에이팅부, 그리고 거울을 포함한다. 상기 장치는 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부가 대칭적으로 형성되어 있으므로 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부의 초기 기울어짐에 관계없이 거울을 항상 수평하게 유지할 수 있다. 또한 액츄에이팅부들이 서로 반대 방향으로 구동하므로 2배의 구동 각도로 거울을 구동시켜 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990035341A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057137

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘으로 형성된 희생층을 XeF
2 가스로 제거하여 에어갭을 형성한다. 종래의 박막형 광로조절장치에서 희생층은 인의 농도가 높은 인실리케이트유리로 형성한 후 불산가스로 제거하였으므로, 강산인 불산가스에 의해 구동기판의 하부가 손상되는 것을 방지하기 위하여 별도의 식각 방지층을 형성하였다. 그러나, 식각 방지층은 고온 공정에 의해 형성되므로 구동기판에 내장된 트랜지스터가 고온에 의해 손상되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 박막형 광로조절장치는 희생층을 불산가스가 아닌 XeF
2 가스로 제거하므로 상부전극과 변형층이 손상되지 않으며, 별도의 식각 방지층을 형성할 필요가 없으므로 제조 공정이 단순해진다.

公开(公告)号：KR1019990035318A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057113

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 거울의 수명을 증가시키며 그 수평도를 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 액티브 매트릭스의 상부에 액츄에이터를 형성한 후, 액츄에이터의 상부에 제2 희생층을 형성한다. 제2 희생층의 상부에 포토레지스트를 도포하고 상기 포토레지스트가 완만한 경사를 갖는 패턴을 갖도록 상기 포토레지스트를 150∼170℃ 정도의 온도에서 베이킹하여 리플로우시키고 건식 식각을 한다. 제2 희생층에 완만한 경사를 갖는 패턴을 형성하고 포스트 및 거울을 형성한다. 거울 및 포스트를 형성하는 동안 포스트에 응력이 집중되는 모서리 부분이 형성되지 않고 포스트가 제2 희생층 패턴의 완만한 경사를 따라 같은 형상을 갖게 된다. 포스트로부터 발생하는 균열이 거울로 전파되는 것을 방지할 수 있고, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 거울의 열화도 최소화하여 거울의 수명을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990035312A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057107

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 제1 희생층 및 제2 희생층의 제거 시 거울, 변형층 및 액티브 매트릭스가 손상되는 것을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 액티브 매트릭스 전면의 상부에 제1 희생층을 형성한 후, 액츄에이터를 형성한다. 액츄에이터의 상부에 평탄한 제2 희생층을 형성하고 거울을 형성한다. 제1 희생층 및 제2 희생층을 BrF
3 또는 XeF
2 를 사용하여 동시에 제거한다. 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘을 사용하여 제2 희생층이 평탄한 표면을 갖도록 형성한 후, 제2 희생층의 상부에 거울을 형성함으로써 거울의 수평도를 향상시켜 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, BrF
3 또는 XeF
2 를 사용하여 제1 희생층 및 제2 희생층을 동시에 식각함으로써 액티브 매트릭스, 변형층 및 거울이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990035305A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057100

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 희생층의 평탄화율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. M×N (M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 상부에 평탄화층을 형성한 후, 평탄화층을 화학 기계적 연마(CMP) 방법으로 평탄화시킨다. 평탄화층의 상부에 폴리 실리콘을 사용하여 희생층을 형성한 후, 희생층의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 포함하는 액츄에이터를 형성한다. 상기 희생층을 플루오르화 브롬(BrF
3 ) 또는 플루오르화 크세논(XeF
2 )을 사용하여 제거한다. 평탄화층의 표면을 평탄화함으로써, 액티브 매트릭스로부터 기인하는 단차를 보상하여 후속 공정에서 제거되는 희생층의 평탄화율을 향상시킬 수 있다. 또한, 액티브 매트릭스 상에 형성된 희생층을 전체적으로 잔류 두께 균일성을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990004768A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019970028909

申请日：1997-06-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호 ,  최윤준

IPC: G02F1/015

Abstract: 액츄에이터의 초기 기울어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는, ⅰ) M×N 개의 트랜지스터가 내장되고 상기 트랜지스터의 드레인으로부터 연장되는 드레인 패드를 갖는 제1 금속층이 형성된 액티브 매트릭스, ⅱ) 액티브 매트릭스의 상부에 형성되며 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 포함하는 액츄에이터, 그리고 ⅲ) 상기 하부 전극의 하부에 부착되어 상기 액츄에이터를 지지하는 지지층, 상기 액티브 매트릭스 중 상기 드레인 패드가 형성된 부분과 상기 지지층의 일측 하부 사이에 형성되어 상기 액츄에이터를 지지하는 지지 부재, 및 상기 지지층의 타측 하부와 상기 액티브 매트릭스 사이에 형성되어 상기 액츄에이터의 초기 기울어짐을 방지하는 보조 지지 수단으로 구성되는 지지 요소를 포함한다. 본 발명에 의하면, 액티브 매트릭스와 지지층 사이에 보조 지지 부재를 형성함으로써, 단차 경계면에서 휨 모멘트가 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 액츄에이터의 초기 기울어짐을 최소화하고 균일하게 할 수 있으며, 스크린에 투영되는 화상의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.