진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
    31.
    发明授权
    진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 有权
    真空加工设备和真空加工方法

    公开(公告)号:KR100921026B1

    公开(公告)日:2009-10-08

    申请号:KR1020070086697

    申请日:2007-08-28

    Abstract: 본 발명의 과제는 용기 본체와 덮개체에 의하여 이루어지는 각진 통 형상의 처리 용기를 가열함에 있어서 처리 용기의 승온시에 상기 용기 본체와 덮개체 사이에 형성되는 간극을 좁히는 것이다. 각형의 처리 용기(40)는 용기 본체(41)와, 이 용기 본체(41) 위에 착탈 가능하게 설치된 덮개체(42)에 의하여 구성된다. 상기 덮개체(42)의 천장부에는 상기 처리 용기(40)의 승온시에 있어서, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가, 처리 용기(40)의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮아지도록 가열하는 제 1 온도 조절 수단(5A)이 설치되는 동시에, 상기 용기 본체(41)의 측벽부(41b)에는 제 2 온도 조절 수단(5B)이 설치된다. 이렇게 하여 상기 접합부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐을 억제하면서 처리 용기(40)를 가열함으로써, 상기 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이의 간극이 좁혀진다.

    진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
    32.
    发明公开
    진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 有权
    真空加工设备和真空加工方法

    公开(公告)号:KR1020080020527A

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:KR1020070086697

    申请日:2007-08-28

    Abstract: A vacuum processing apparatus and a vacuum processing method are provided to prevent a bending effect at a junction part between a main body and a cover body of a processing receptacle in a heating process of the processing receptacle. A processing receptacle(40) includes a main body(41) for storing a substrate and a cover body(42) for opening or closing an opening part of the main body, in order to perform a vacuum process for the substrate. A temperature control unit is installed at a side facing the opening part of the main body in order to heat the processing receptacle. A vacuum exhaust unit exhausts the inside of the processing receptacle. The temperature control unit prevents a bending effect at a junction part between the cover body and the main body in a temperature-rising state of the processing receptacle by forming temperature levels at a center of the side and a sidewall edge of the processing receptacle.

    Abstract translation: 提供一种真空处理装置和真空处理方法,以防止处理容器的加热过程中的处理容器的主体和盖体之间的接合部处的弯曲效应。 处理容器(40)包括用于存储基板的主体(41)和用于打开或关闭主体的开口部分的盖体(42),以便对基板进行真空处理。 温度控制单元安装在面向主体的开口部分的一侧以加热处理容器。 真空排气单元排出处理容器的内部。 温度控制单元通过在处理容器的侧面和侧壁边缘的中心处形成温度水平来防止在处理容器的升温状态下盖体和主体之间的接合部处的弯曲效应。

    플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극
    33.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 有权
    等离子体处理装置和使用的电极

    公开(公告)号:KR1020070115725A

    公开(公告)日:2007-12-06

    申请号:KR1020070052767

    申请日:2007-05-30

    CPC classification number: H01L21/3065 C23C16/455 G02F1/1303 H01L21/205

    Abstract: A plasma processing apparatus and an electrode used in the plasma processing apparatus are provided to insert the partition wall between a support structure and an electrode plate to exchange a partition wall easily with a partition wall of a different loop shape. An electrode plate(310) faces a second electrode, and includes a plurality of gas ejection holes(312) for ejecting a processing gas toward the inside of a processing chamber(200). A support structure supports an electrode plate. A hollow portion is formed between the support structure and the electrode plate, and the processing gas is introduced into the hollow portion. A partition wall(350) having a loop shape divides the hollow portion into a plurality of chambers. The partition wall is inserted between the support structure and the electrode plate.

    Abstract translation: 在等离子体处理装置中使用的等离子体处理装置和电极被设置为将支撑结构和电极板之间的分隔壁插入,以便与不同环形的分隔壁容易地更换分隔壁。 电极板(310)面向第二电极,并且包括用于向处理室(200)的内部喷射处理气体的多个气体喷射孔(312)。 支撑结构支撑电极板。 在支撑结构和电极板之间形成中空部分,并且将处理气体引入中空部分。 具有环形的分隔壁(350)将中空部分分成多个室。 分隔壁插入在支撑结构和电极板之间。

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