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公开(公告)号：KR100968969B1
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：KR1020070097580
申请日：2007-09-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01F27/00
CPC classification number: H01F19/04 , H01F27/2804
Abstract: 본 발명의 일측면은, 적층 기판과, 상기 기판상에 형성되며, 양단이 각각 + 신호 및 - 신호의 입력단으로 제공되는 적어도 하나의 입력 도전 선로와, 상기 적어도 하나의 입력 도전 선로와 전자기적 커플링을 일으키도록 상기 적어도 하나의 입력 도전 선로에 근접하게 형성되며, 일단은 출력단에 연결되고 타단은 접지단에 연결되는 하나의 출력 도전 선로와, 상기 적어도 하나의 입력 도전 선로의 일영역에 형성되는 전원공급용 패드, 및 상기 출력 도전 선로에서 출력되는 신호의 하모닉스 성분을 제거하기 위해 상기 출력 도전 선로의 일단 및 타단 사이에 형성되는 하모닉스 제거부를 포함하며, 상기 적어도 하나의 입력 도전 선로의 일부는 상기 기판의 상면에 형성되고 나머지 일부는 상기 기판의 상면과 다른 층에 형성되어 비아홀을 통해 연결되고, 상기 출력 도전 선로는, 상기 적어도 하나의 입력 도전 선로와 직접 연결되지 않도록 그 일부는 상기 기판의 상면에 형성되고, 나머지 일부는 상기 기판의 상면과 다른 층에 형성되어 비아홀을 통해 연결된 것을 특징으로 하는 트랜스포머를 제공할 수 있다.
트랜스포머(transformer), 커플링(coupling), 하모닉스(harmonics)-
公开(公告)号：KR100691275B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050078425
申请日：2005-08-25
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2924/00014
Abstract: 방열효과가 우수한 다중 칩 모듈을 제공한다. 본 발명에 따른 다중 칩 모듈은, 하면에 MCM 접지를 갖는 기판과 상기 기판에 결합된 다수의 칩을 포함하여 다수의 블럭을 형성하는 다중 칩 모듈로서, 상기 블럭중 특정 블럭의 접지는 상기 MCM 접지와 분리되어 전원층에 연결되고, 상기 기판은 내부에 고유전율의 세라믹층이 삽입된 유기물계 적층 기판이다.
다중 칩 모듈, MCM, 방열, 접지Abstract translation: 提供了具有优异散热效果的多芯片模块。 多芯片模块，其包括多个接合到衬底的芯片和具有MCM地面的多芯片模块，以根据本发明的MCM地面上的块的特定块的下部，接地形成多个块的基片 并且基板是其中插入了具有高介电常数的陶瓷层的有机层压基板。
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公开(公告)号：KR1020070023990A
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050078425
申请日：2005-08-25
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2924/00014 , H01L25/0657 , H01L23/66 , H01L25/0655
Abstract: An MCM(multiple chip module) having an improved heat radiation characteristic is provided to effectively isolate a block from heat by connecting the ground of a block vulnerable to heat to a power layer while separating the ground of the block from an MCM ground. An MCM(100) comprises a plurality of blocks(301,302), including a substrate(101) having an MCM ground(107) on its lower surface and a plurality of chips coupled to the substrate. The ground of a specific one of the blocks is separated from the MCM ground so as to be connected to a power layer(140). The specific block can be an SAW(surface acoustic wave) filter. The substrate can be an organic stack substrate into which a high-dielectric ceramic layer(114) is inserted.
Abstract translation: 提供具有改进的散热特性的MCM（多芯片模块），以通过将易受热的块的接地连接到功率层，同时将块的地面与MCM地分离，从而有效地将块与热隔离。 MCM（100）包括多个块（301,302），包括在其下表面上具有MCM接地（107）的衬底（101）和耦合到衬底的多个芯片。 特定一个块的接地与MCM地分离，以便连接到功率层（140）。 特定的块可以是SAW（表面声波）滤波器。 衬底可以是有机堆叠衬底，高介电陶瓷层（114）插入其中。
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公开(公告)号：KR1020060062542A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101410
申请日：2004-12-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 고용량의 수동 부품을 기판 내에 내재화시키기 용이하고, 우수한 기계적 특성을 구현할 수 있는 다중 칩 모듈을 개시한다. 본 발명에 따른 다중 칩 모듈은, 내부에 고유전율의 세라믹층이 삽입된 유기물계 적층 기판과; 상기 기판에 결합되어 복수의 고주파/중간주파 기능을 실행하도록 구성된 적어도 하나의 고주파/중간주파 능동회로 칩과; 상기 기판에 결합된 수동 소자를 포함한다.
다중 칩 모듈, MCM, 고유전율, 세라믹Abstract translation: 公开了一种能够容易地将高容量无源组件容纳在基板中并且能够实现优异的机械特性的多芯片模块。 根据本发明的多芯片模块包括：其中插入有高k陶瓷层的有机基层压基板; 至少一个高频/中频有源电路芯片，耦合到衬底并被配置为执行多个高频/中频功能; 和一个耦合到衬底的无源元件。
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公开(公告)号：KR101288239B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020110087274
申请日：2011-08-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/78 , H03K17/693 , H01L21/336
Abstract: 본 발명의 과제는 게이트 배선에 양호한 전압 분포를 형성하여, 삽입 손실 특성 및 하모닉 특성을 향상시킨 고주파 반도체 스위치를 제공하는 것이다. 본 발명의 전계 효과형 트랜지스터는 무선 통신을 절환하기 위한 고주파 반도체 스위치에 포함되는 전계 효과형 트랜지스터(50)로서, 기판에 형성된 소스 영역(100)과 전기적으로 연결되고, 일방향으로 연장되는 소스 배선(60)과, 기판에 형성된 드레인 영역(110)과 전기적으로 연결되고, 소스 배선(60)과 대략 평행하게 연장되는 드레인 배선(70)과, 소스 배선(60) 및 드레인 배선(70) 사이에서 소스 배선(60) 및 드레인 배선(70)과 대략 평행하게 연장되는 평행 부분(122)을 갖는 게이트(120)와, 게이트(120)에 전압을 인가하기 위한 게이트 배선(80)과, 게이트(120) 및 게이트 배선(80)을 전기적으로 연결하는 게이트 비아(82)를 가지며, 평행 부분(122)이 2개의 단부(126)를 가지고 있고, 게이트 비아(82)로부터 2개의 단부(126)에 각각 전압의 인가 경로가 형성된다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种高频半导体开关，其中在栅极布线中形成良好的电压分布，并且提高插入损耗特性和谐波特性。 本发明的场效应晶体管被电连接到形成为场效应晶体管50中，包含在高频半导体开关用于切换的基板的无线电通信，在一个方向上延伸的源极布线（源极区域100 与形成在基板中的漏极区域110电连接并且与源极布线60和电连接到源极布线60和漏极布线70的源极布线60基本平行地延伸的漏极布线70， 具有基本上平行于布线60和漏极布线70延伸的平行部分122的栅极120，用于向栅极120施加电压的栅极布线80， 并且将栅极线80和具有两个端部126的平行部分122和栅极通孔82电连接到两个端部126的栅极过孔82， 正在形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101119279B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020100019455
申请日：2010-03-04
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F3/68
Abstract: 본 발명은 전력증폭기에 관한 것으로, 입력신호를 소정의 레벨로 증폭시키는 N개의 전력증폭수단; 상기 전력증폭수단의 출력에 각각 연결되는 N/2 개의 1차 권선과 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결되어 1차 권선에서 전달된 전력을 합산하는 2차 권선로 구성된 트랜스포머; 및 상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수의 출력을 제거하는 하모닉 제거부를 포함하며, 전력증폭기의 출력 특성을 향상시키고, 체배 주파수의 출력을 제어할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR101101551B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020090052333
申请日：2009-06-12
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F3/211 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2223/6677 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H03F3/195 , H03F2200/451 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2203/21142 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 전력 증폭 성능을 향상시킬 수 있는 집적 수동 소자를 갖는 전력 증폭 시스템 및 제조 방법이 제공된다. 상기 전력 증폭 시스템은 신호 증폭부, 신호 결합부 및 상기 신호 증폭부와 신호 결합부를 상호 연결하는 연결 소자부를 포함할 수 있다. 상기 신호 증폭부는 제1 기판 상에 구현되며, 상기 신호 결합부는 제2 기판상에 제조될 수 있다. 상기 제1 기판과 제2 기판은 서로 상이할 수 있다. 상기 신호 결합부는 바이어스 네트워크를 위한 노치 필터, 저역 통과 필터 및/또는 바이패스 캐패시턴스를 포함하는 다양한 기능을 구현하는데 유연성을 갖는 고성능 수동 소자인 집적 수동 소자(IPD)로 의해 구현될 수 있다. 집적 수동 소자로 구현된 상기 신호 결합부는 향상된 신호 결합 효율을 가질 수 있다.
전력 증폭기, 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS), 집적 수동소자(IPD)-
公开(公告)号：KR101101533B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020100090621
申请日：2010-09-15
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/52 , H03F1/523 , H03F3/195 , H03F2200/426 , H03F2200/444
Abstract: PURPOSE: A radio frequency power amplifier is provided to reduce the number of diodes for ESD(Electro Static Discharge) protection, thereby performing ESD protection without signal distortion. CONSTITUTION: An RF(Radio Frequency) power amplifier comprises an RF choke coil(RFCK), a power amplification circuit part(100), and an ESD(Electro Static Discharge) protection part(200). The RF choke coil is connected to a power source terminal which receives an operation power source. The power amplification circuit part receives the operation power source after passing the RF choke coil. An input signal inputted through an input end of the power amplification circuit part is amplified and outputted through an output end. The ESD protection part is connected between ground and a first connection node between the power source end and the RF choke coil. The ESD protection part bypasses ESD voltage to ground from the first connection node.
Abstract translation: 目的：提供射频功率放大器，以减少ESD（静电放电）保护的二极管数量，从而执行ESD保护，无信号失真。 构成：RF（射频）功率放大器包括RF扼流线圈（RFCK），功率放大电路部分（100）和ESD（静电放电）保护部件（200）。 RF扼流线圈连接到接收操作电源的电源端子。 功率放大电路部分在通过RF扼流线圈之后接收操作电源。 通过功率放大电路部分的输入端输入的输入信号被放大并通过输出端输出。 ESD保护部分连接在地与电源端与RF扼流线圈之间的第一连接节点之间。 ESD保护部分将ESD电压从第一个连接节点旁路。
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公开(公告)号：KR1020110051016A
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：KR1020090107658
申请日：2009-11-09
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L24/06 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A printed circuit board including VDD pads is provided to stably operating a semiconductor chip by forming a connection type VDD pad on a package substrate mounting area. CONSTITUTION: A plurality of VDD pads(134) are mounted on a package substrate mounting area of a printed circuit board(130). Voltage is applied to a VDD terminal of the package substrate through the VDD pads. A circuit pattern(136) is connected to two or more VDD pads in which different voltage are applied. The VDD pads and a connection circuit pattern are integrally formed by the same manufacturing processes.
Abstract translation: 目的：提供包括VDD焊盘的印刷电路板，以通过在封装衬底安装区域上形成连接型VDD焊盘来稳定地操作半导体芯片。 构成：多个VDD焊盘（134）安装在印刷电路板（130）的封装衬底安装区域上。 通过VDD焊盘将电压施加到封装衬底的VDD端子。 电路图案（136）连接到施加不同电压的两个或更多个VDD焊盘。 VDD焊盘和连接电路图案通过相同的制造工艺一体地形成。
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公开(公告)号：KR1020110048258A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：KR1020090104992
申请日：2009-11-02
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F3/45179 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/3022 , H03F2200/411 , H03F2200/516 , H03F2200/534 , H03F2200/537 , H03F2200/541
Abstract: PURPOSE: A multi-stage CMOS power amplifier is provided to improve power efficiency between multistage power amplifier by improving power matching between multistage power amplifiers. CONSTITUTION: A driving amplifier(100) has a differential output terminal which outputs a reversed signal by turning reversely the differential signal through first and the second input terminals. A primary coil(L1) of a transformer(200) for the power matching is connected between the differential output terminals of the driving amplifier. A secondary coil(L2) of the transformer for the power matching has a set winding ratio. A tuning voltage(VT) terminal of the direct current of the transformer for the power matching is connected to a secondary coil. A power amplifying unit(300) amplifies A differential signal through one end and the other end of the secondary coil of the transformer.
Abstract translation: 目的：提供多级CMOS功率放大器，以通过改善多级功率放大器之间的功率匹配来提高多级功率放大器之间的功率效率。 构成：驱动放大器（100）具有差分输出端子，其通过第一和第二输入端子反向转换差分信号来输出反转信号。 用于功率匹配的变压器（200）的初级线圈（L1）连接在驱动放大器的差动输出端子之间。 用于功率匹配的变压器的次级线圈（L2）具有设定的绕组比。 用于功率匹配的变压器的直流电的调谐电压（VT）端子连接到次级线圈。 功率放大单元（300）通过变压器的次级线圈的一端和另一端放大A差动信号。
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