Abstract:
디스플레이 장치에 관련된 부분 디스플레이 기능을 제공하는 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예들에 따라 적어도 하나의 구동 제어 신호의 액티브 구간 동안에는 비디오 데이터에 따라 디스플레이 패널이 구동된다. 적어도 하나의 구동 제어 신호의 인액티브 구간 동안에는 디스플레이 패널의 구동 동작 중 적어도 일부가 중단된다.
Abstract:
A semiconductor memory device according to one embodiment of the present invention includes a memory cell array which includes memory cells with variable resistance devices which are arranged in an intersection between word lines and bit lines, a conductor line array which includes conductive lines to form a current path and generates a compensation magnetic field with regard to the memory cell array, a current driver which supplies a current to the conductive lines, a magnetic field sensor which senses an external magnetic field and generates external magnetic field information, and a compensation magnetic field generation and control unit which generates compensation magnetic field information and controls the current driver by using the compensation magnetic field information.
Abstract:
PURPOSE: A hybrid memory device, a computer system including the same, and a method for writing and reading data in the hybrid memory device are provided to quickly read and write data. CONSTITUTION: A hybrid memory device includes a DRAM(222) and a nonvolatile memory. When a program is initially executed by a CPU and data is copied from an external memory device(240) to the DRAM, the data is copied in the nonvolatile memory. The data of the nonvolatile memory is outputted to the outside without passing through the DRAM. The hybrid memory device is a stack memory device in which the DRAM and the nonvolatile memory are three-dimensionally laminated.
Abstract:
본 발명의 데이터 송수신 방법은 데이터 전송시 데이터를 일정한 크기의 블록으로 나누어 전송한 후, 송신 데이터와 상관없는 별도의 에러 체크 데이터를 부가하여 전송한다. 데이터 수신시에는 송신측에서 보낸 데이터 블록을 수신하고 나서 에러 체크 데이터가 정상적으로 수신되었는가를 체크한다. 에러 체크 데이터가 정상적으로 수신되었다면 바로 전에 수신된 데이터 블록이 정상적으로 수신된 것으로 간주한다. 따라서 많은 양의 데이터를 송수신할 때 시스템에 걸리는 부하를 줄일 수 있고 시스템의 효용성을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 웨이퍼내에 반도체 칩들중에서 일부분의 반도체 칩만 비활성화층을 제거하여 웨이퍼 상태에서 반도체 칩의 특성검토를 용이하게 할 수 있는 웨이퍼내에 비활성화층이 없는 반도체 칩의 제조방법에 관한 것이다. 반도체 칩의 제조단계에 있어 마지막 단계인 웨이퍼에 비활성화층을 형성시키고 포토레지스트를 도포한 후 포토레지스트의 제거시 비활성화층을 제거하고자 하는 테그 주위의 하나 또는 두개 정도의 반도체 칩에 대하여 포토레지스트를 완전히 제거하고 비활성화층을 에칭한다.
Abstract:
The present invention relates to a semiconductor memory device and, more specifically, to a nonvolatile memory device and a write method thereof. An aspect of the present invention relates to the nonvolatile memory device comprising: a memory cell array including a plurality of memory cells; a data comparison write unit for supporting comparison write operation and for being connected to the memory cell array; and control logic for determining the operation state of the comparison write according to comparison result between the access number and the disable number for the memory cell array. The aspect of the present invention relates the nonvolatile memory device for selectively executing the comparison write operation or reentry operation based on the access number to prevent the loss of data stored in the nonvolatile memory.