플렉서블 디스플레이 장치 및 디스플레이 제어 방법
    31.
    发明公开
    플렉서블 디스플레이 장치 및 디스플레이 제어 방법 审中-实审
    灵活的显示设备和显示控制方法

    公开(公告)号:KR1020170086321A

    公开(公告)日:2017-07-26

    申请号:KR1020160006021

    申请日:2016-01-18

    CPC classification number: G09F9/30 G09G3/20 H04M1/02 H04M1/73

    Abstract: 전자장치는, 제 1 상면, 제 1 하면, 제 1 측면및 상기제 1 측면의반대편에배치된제 2 측면을포함하는제 1 하우징; 제 3 측면및 제 2 상면을포함하는제 2 하우징; 상기제 1 하우징및 상기제 2 하우징이회동가능하도록연결하는연결부재; 상기제 1 상면부터상기제 1 측면까지연장되며제 1 재질로형성된제 1 윈도우; 상기제 1 하우징의제 1 하면부터상기제 2 상면까지연장되며제 2 재질로형성된제 2 윈도우; 및상기제 1 하우징및 상기제 2 하우징내에장착되고, 상기제 1 윈도우및 상기제 2 윈도우를따라장착된플렉서블디스플레이를포함할수 있다.

    Abstract translation: 该电子装置包括第一壳体,该第一壳体包括第一顶面,第一底面,第一侧面以及与第一侧面相对设置的第二侧面; 包括第三侧和第二侧的第二壳体; 连接构件,连接第一壳体和第二壳体以可旋转; 第一窗口,所述第一窗口从所述第一上表面延伸到所述第一侧面并且由第一材料形成; 第二窗口,其从第一壳体的第一下表面延伸到第二上表面并且由第二材料形成; 以及安装在第一和第二壳体内并沿着第一和第二窗口安装的柔性显示器。

    디스플레이 구동 및 부분 디스플레이 제공 장치와 방법
    32.
    发明公开
    디스플레이 구동 및 부분 디스플레이 제공 장치와 방법 审中-实审
    用于驱动显示和提供部分显示的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020150029182A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:KR1020130108008

    申请日:2013-09-09

    Abstract: 디스플레이 장치에 관련된 부분 디스플레이 기능을 제공하는 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예들에 따라 적어도 하나의 구동 제어 신호의 액티브 구간 동안에는 비디오 데이터에 따라 디스플레이 패널이 구동된다. 적어도 하나의 구동 제어 신호의 인액티브 구간 동안에는 디스플레이 패널의 구동 동작 중 적어도 일부가 중단된다.

    Abstract translation: 公开了用于驱动显示器并提供部分显示的装置和方法。 根据本发明的实施例,根据用于至少一个驱动控制信号的有效间隔的视频数据来驱动显示面板。 对于至少一个驱动控制信号的无效间隔,停止显示面板的驱动操作的至少一部分。

    가변 저항 메모리를 포함하는 반도체 메모리 장치
    33.
    发明公开
    가변 저항 메모리를 포함하는 반도체 메모리 장치 无效
    包含可变电阻存储器的半导体存储器件

    公开(公告)号:KR1020140021781A

    公开(公告)日:2014-02-20

    申请号:KR1020120087836

    申请日:2012-08-10

    Abstract: A semiconductor memory device according to one embodiment of the present invention includes a memory cell array which includes memory cells with variable resistance devices which are arranged in an intersection between word lines and bit lines, a conductor line array which includes conductive lines to form a current path and generates a compensation magnetic field with regard to the memory cell array, a current driver which supplies a current to the conductive lines, a magnetic field sensor which senses an external magnetic field and generates external magnetic field information, and a compensation magnetic field generation and control unit which generates compensation magnetic field information and controls the current driver by using the compensation magnetic field information.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的半导体存储器件包括存储单元阵列,其包括布置在字线和位线之间的交叉点的可变电阻器件的存储器单元,包括导线以形成电流的导体线阵列 并且对存储单元阵列产生补偿磁场,向导线供给电流的电流驱动器,感测外部磁场并产生外部磁场信息的磁场传感器以及补偿磁场产生 以及控制单元,其产生补偿磁场信息,并通过使用补偿磁场信息来控制当前的驱动器。

    하이브리드 메모리 장치, 이를 포함하는 컴퓨터 시스템, 및 하이브리드 메모리장치의 데이터 기입 및 독출 방법
    34.
    发明公开
    하이브리드 메모리 장치, 이를 포함하는 컴퓨터 시스템, 및 하이브리드 메모리장치의 데이터 기입 및 독출 방법 无效
    混合存储器件,包括其的计算机系统以及在混合存储器件中读取和写入数据的方法

    公开(公告)号:KR1020130032772A

    公开(公告)日:2013-04-02

    申请号:KR1020110096563

    申请日:2011-09-23

    Inventor: 김동휘 임선영

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7208

    Abstract: PURPOSE: A hybrid memory device, a computer system including the same, and a method for writing and reading data in the hybrid memory device are provided to quickly read and write data. CONSTITUTION: A hybrid memory device includes a DRAM(222) and a nonvolatile memory. When a program is initially executed by a CPU and data is copied from an external memory device(240) to the DRAM, the data is copied in the nonvolatile memory. The data of the nonvolatile memory is outputted to the outside without passing through the DRAM. The hybrid memory device is a stack memory device in which the DRAM and the nonvolatile memory are three-dimensionally laminated.

    Abstract translation: 目的:提供一种混合存储装置,包括该混合存储装置的计算机系统和用于在混合存储装置中写入和读取数据的方法,以快速读取和写入数据。 构成:混合存储器件包括DRAM(222)和非易失性存储器。 当程序最初由CPU执行并且数据从外部存储器件(240)复制到DRAM时,数据被复制在非易失性存储器中。 非易失性存储器的数据被输出到外部而不通过DRAM。 混合存储器件是其中DRAM和非易失性存储器被三维层压的堆叠存储器件。

    데이터 송수신 방법
    35.
    发明公开
    데이터 송수신 방법 无效
    数据传输/接收方法

    公开(公告)号:KR1019990066132A

    公开(公告)日:1999-08-16

    申请号:KR1019980001783

    申请日:1998-01-21

    Inventor: 김동휘

    Abstract: 본 발명의 데이터 송수신 방법은 데이터 전송시 데이터를 일정한 크기의 블록으로 나누어 전송한 후, 송신 데이터와 상관없는 별도의 에러 체크 데이터를 부가하여 전송한다. 데이터 수신시에는 송신측에서 보낸 데이터 블록을 수신하고 나서 에러 체크 데이터가 정상적으로 수신되었는가를 체크한다. 에러 체크 데이터가 정상적으로 수신되었다면 바로 전에 수신된 데이터 블록이 정상적으로 수신된 것으로 간주한다. 따라서 많은 양의 데이터를 송수신할 때 시스템에 걸리는 부하를 줄일 수 있고 시스템의 효용성을 향상시킬 수 있다.

    웨이퍼내에 비활성화층이 없는 반도체 칩의 제조 방법
    36.
    发明公开
    웨이퍼내에 비활성화층이 없는 반도체 칩의 제조 방법 无效
    用于制造晶圆中不具有无源层的半导体芯片的方法

    公开(公告)号:KR1019970052745A

    公开(公告)日:1997-07-29

    申请号:KR1019950062024

    申请日:1995-12-28

    Inventor: 김동휘

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼내에 반도체 칩들중에서 일부분의 반도체 칩만 비활성화층을 제거하여 웨이퍼 상태에서 반도체 칩의 특성검토를 용이하게 할 수 있는 웨이퍼내에 비활성화층이 없는 반도체 칩의 제조방법에 관한 것이다.
    반도체 칩의 제조단계에 있어 마지막 단계인 웨이퍼에 비활성화층을 형성시키고 포토레지스트를 도포한 후 포토레지스트의 제거시 비활성화층을 제거하고자 하는 테그 주위의 하나 또는 두개 정도의 반도체 칩에 대하여 포토레지스트를 완전히 제거하고 비활성화층을 에칭한다.

    불휘발성 메모리 장치 및 그것의 쓰기 방법
    39.
    发明公开
    불휘발성 메모리 장치 및 그것의 쓰기 방법 无效
    非易失性存储器件及其写入方法

    公开(公告)号:KR1020140008702A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:KR1020120075592

    申请日:2012-07-11

    Abstract: The present invention relates to a semiconductor memory device and, more specifically, to a nonvolatile memory device and a write method thereof. An aspect of the present invention relates to the nonvolatile memory device comprising: a memory cell array including a plurality of memory cells; a data comparison write unit for supporting comparison write operation and for being connected to the memory cell array; and control logic for determining the operation state of the comparison write according to comparison result between the access number and the disable number for the memory cell array. The aspect of the present invention relates the nonvolatile memory device for selectively executing the comparison write operation or reentry operation based on the access number to prevent the loss of data stored in the nonvolatile memory.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体存储器件,更具体地说,涉及一种非易失性存储器件及其写入方法。 本发明的一个方面涉及非易失性存储器件,包括:包括多个存储单元的存储单元阵列; 数据比较写入单元,用于支持比较写入操作并连接到存储单元阵列; 以及用于根据存储单元阵列的访问号码和禁用号码之间的比较结果确定比较写入的操作状态的控制逻辑。 本发明的方面涉及用于基于访问号码有选择地执行比较写入操作或再入操作的非易失性存储器件,以防止存储在非易失性存储器中的数据的丢失。

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