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公开(公告)号：KR1020170139438A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020170007166
申请日：2017-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F13/16 , G06F13/38 , G06F12/0802
CPC classification number: G06F13/1673 , G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F12/0879 , G06F12/0891 , G06F13/1689 , G06F13/4068 , G06F2212/60 , G11C5/04 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/005 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C2207/2245
Abstract: 동작방법은: 비휘발성메모리및 상기비휘발성메모리의 DRAM 캐시로구성된 DRAM을포함하는메모리모듈과호스트메모리컨트롤러사이에 DDR 인터페이스를제공하는단계; 및상기호스트메모리컨트롤러및 상기메모리모듈사이에메시지인터페이스를제공하는단계를포함한다. 상기메모리모듈은비휘발성메모리및 상기비휘발성메모리의 DRAM 캐시로구성된 DRAM을포함한다. 상기메모리모듈의상기비휘발성메모리에저장된데이터는상기메모리모듈의상기비휘발성메모리컨트롤러에의해서비동기적으로액세스되고, 그리고상기 DRAM 캐시에저장된데이터는상기호스트메모리컨트롤러에의해서동기적으로직접액세스된다.
Abstract translation: 该方法包括：在主机存储器控制器和包括非易失性存储器和被配置为非易失性存储器的DRAM高速缓存的DRAM的存储器模块之间提供DDR接口; 并在主机内存控制器和内存模块之间提供消息接口。 存储器模块包括由非易失性存储器和非易失性存储器的DRAM高速缓存构成的DRAM。 存储器模块的非易失性存储器中存储的数据由存储器模块的非易失性存储器控制器异步访问，并且存储在DRAM高速缓存中的数据直接由主机存储器控制器访问。
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公开(公告)号：KR1020170064627A
公开(公告)日：2017-06-12
申请号：KR1020150170119
申请日：2015-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리모듈은제1 메모리, 상기제1 메모리와다른제2 메모리, 상기제1 메모리를제어하도록구성되는제어장치, 및외부장치로부터커맨드및 어드레스를수신하고, 상기수신된커맨드및 어드레스에응답하여제1 버스를통해제1 커맨드및 어드레스를상기제1 메모리로제공하고, 제2 버스를통해제2 커맨드및 어드레스를상기제어장치로제공하는모듈컨트롤러를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的第一存储器，所述第一存储器和所述另一个第二存储器，被配置为控制所述第一存储器控制器的非易失性存储器模块，并且接收命令和从外部装置的地址，并将所接收的命令 以及模块控制器，响应于该地址，经由第一总线向第一存储器提供第一命令和地址，并且经由第二总线向控制器提供第二命令和地址。
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公开(公告)号：KR1020160065468A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140169453
申请日：2014-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1048 , G06F2212/7201 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C29/76 , G11C2029/0409 , G11C2029/4402 , G06F12/06 , G06F11/07 , G06F12/0607
Abstract: 비휘발성메모리, 휘발성메모리및 컨트롤러를포함하는솔리드스테이트드라이브의동작방법에서는컨트롤러가비휘발성메모리에포함되는페일정보영역으로부터휘발성메모리에대한페일정보를독출한다. 컨트롤러가페일정보에기초하여생성되는배드(bad) 어드레스리스트및 클린(clean) 어드레스리스트에따라데이터의논리적어드레스를휘발성메모리의물리적어드레스에매핑한다. 컨트롤러가어드레스매핑에따라데이터를휘발성메모리에로딩한다. 본발명의실시예들에따른솔리드스테이트드라이브의동작방법은페일정보에기초하여생성되는클린(clean) 어드레스리스트및 배드(bad) 어드레스리스트에따라데이터의논리적어드레스를솔리드스테이트드라이브에포함되는휘발성메모리의물리적어드레스에순차적으로매핑함으로써솔리드스테이트드라이브내의불량셀들에상응하는불량어드레스에액세스를차단할수 있다.
Abstract translation: 一种用于操作包括非易失性存储器，易失性存储器和控制器的固态驱动器的方法，包括：由所述控制器从包括在所述非易失性存储器中的故障信息区域读取所述易失性存储器上的失败信息; 根据由控制器根据故障信息产生的不良地址列表和干净地址列表，将数据的逻辑地址映射到易失性存储器的物理地址; 并根据地址映射将数据加载到易失性存储器中。 根据本发明的实施例的用于操作固态驱动器的方法可以通过将数据的逻辑地址顺序地映射到包括在该固态驱动器中的易失性存储器的物理地址，从而阻止对固态驱动器中与坏单元相对应的不良地址的访问 根据清除地址列表和基于失败信息生成的坏地址列表的固态驱动器。
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公开(公告)号：KR1020160007859A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140083900
申请日：2014-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/32 , G06F12/0638 , G06F12/1081 , G06F13/28 , G06F13/4282 , G06F2212/205 , G06F2212/2532
Abstract: 본발명의일실시예에따른컴퓨팅시스템은, 서로다른종류의제1 저장장치, 제2 저장장치를포함하고, 상기제1 저장장치에대한제1 DMA 동작(1st Direct Memory Access)을제어하고, 제2 저장장치에대한제2 DMA 동작을수행하기위한, DMA 요청신호(Direct Memory Access Request)를제공하는제1 통합모듈인터페이스(Unified Module Interface)를포함하는제1 통합모듈부(Unified Module Unit)와상기제1 통합모듈인터페이스로부터상기 DMA 요청신호를수신하여, DMA 요청응답신호(Direct Memory Access Request Response)를상기제1 통합모듈인터페이스에제공하고, 제2 저장장치를대한제2 DMA 동작(2nd Direct Memory Access)을제어하는어플리케이션부(Application Processor)를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，计算系统包括：第一统一模块单元，其包括彼此不同类型的第一存储单元和第二存储单元，控制第一直接存储器访问（DMA）操作 第一存储装置，并且具有用于提供DAM请求信号以对所述第二存储装置执行第二DMA操作的第一统一模块接口; 以及应用处理器单元，其从所述第一统一模块接口接收所述DAM请求信号，向所述第一统一模块接口提供DMA请求响应，并且控制所述第二存储设备的所述第二DMA操作。
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公开(公告)号：KR1020150054373A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136744
申请日：2013-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리컨트롤러를초기화시킨다. 메모리컨트롤러가비휘발성메모리및 휘발성메모리를포함하는하이브리드메모리장치의페일(fail) 정보영역으로부터비휘발성메모리및 휘발성메모리의페일정보를독출한다. 메모리컨트롤러가페일정보에기초하여하이브리드메모리장치중 페일정보영역및 페일영역과구분되는안전영역에데이터가저장되도록데이터와관련된논리적어드레스를안전영역의물리적어드레스에매핑한다. 메모리컨트롤러가매핑에따라데이터를안전영역에저장한다. 메모리시스템의동작방법에따르면페일정보를시스템레벨로전달할수 있고, 운영체제는페일정보를이용하여응용프로그램을하이브리드메모리장치내의안전영역에로딩할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储器系统的方法。 该方法包括：初始化存储器控制器的步骤; 存储器控制器从包括非易失性存储器和易失性存储器的混合存储器件的故障信息区域读取非易失性存储器和易失性存储器的故障信息的步骤; 存储器控制器将目标数据的逻辑地址映射到安全区域的物理地址上以将数据存储在与混合存储器件的故障信息区域分离的安全区域中的步骤和基于故障信息的故障区域 ; 以及存储器控制器根据映射操作将数据存储在安全区域中的步骤。 根据存储器系统操作方法，存储器控制器可以将故障信息传递到系统级，并且操作系统可以使用故障信息将应用程序加载到混合存储器件的安全区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150051641A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133374
申请日：2013-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리컨트롤러를초기화시킨다. 메모리컨트롤러가메모리장치에포함되는페일(fail) 정보영역으로부터페일정보를독출한다. 메모리컨트롤러가페일정보에기초하여메모리장치중 페일정보영역및 페일영역을제외한안전영역에프로그램이저장되도록어드레스매핑한다. 메모리컨트롤러가어드레스매핑에따라프로그램을메모리장치의안전영역에로딩한다. 메모리시스템의동작방법을사용하면, 페일정보를시스템레벨로전달할수 있고, 운영체제는페일정보를이용하여응용프로그램을메모리장치내의안전영역에로딩할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储系统的方法，包括以下步骤。 一个内存控制器被初始化。 存储器控制器从包含在存储器件中的故障信息区域读取故障信息。 存储器控制器基于故障信息映射地址，以使程序存储在包括在存储器件中的故障信息区域和故障区域之外的安全区域中。 存储器控制器根据地址映射将程序加载到存储器件的安全区域中。 根据本发明的用于操作存储器系统的方法的使用允许将故障信息传送到系统级和操作系统，以通过使用故障信息将应用程序加载到存储器设备的安全区域。
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公开(公告)号：KR101821633B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020130027449
申请日：2013-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임선영
CPC classification number: G06F12/145 , G06F12/1027 , G06F2212/651
Abstract: 메모리시스템이제공된다. 상기메모리시스템은제1 메모리어드레스를이용하여접근하는제1 메모리공간과, 제2 메모리어드레스를이용하여접근하는제2 메모리공간을포함하는메모리장치, 및상기메모리장치에대한접근을제어하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기제1 메모리공간에대한접근요청에응답하여, 상기제1 메모리어드레스를매핑된상기제2 메모리어드레스로변환하고, 상기변환된제2 메모리어드레스를이용하여상기제2 메모리공간에접근하고, 상기제2 메모리공간에대한접근요청에응답하여, 비변환된상기제2 메모리어드레스를이용하여상기제2 메모리공간에접근한다.
Abstract translation: 提供了一个存储系统。 该存储器系统包括存储器控制器，其控制对存储器的访问的装置，以及包括通过所述第一存储区域和由所述第一存储器存取的地址的第二存储器访问地址的第二存储器空间的存储装置 其中，存储器控制器响应于对第一存储器空间的访问请求将第一存储器地址转换为映射的第二存储器地址， 2存储器空间，并且响应于对第二存储器空间的访问请求，使用未转换的第二存储器地址访问第二存储器空间。
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