31.
    外观设计
    有权

    公开(公告)号:KR3006839120000S

    公开(公告)日:2013-03-08

    申请号:KR3020120002670

    申请日:2012-01-18

    Designer: 김창환

    화상 형성 장치
    34.
    发明公开
    화상 형성 장치 无效
    图像形成装置

    公开(公告)号:KR1020080078395A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:KR1020070018474

    申请日:2007-02-23

    Inventor: 김창환

    CPC classification number: G03G15/5004 G03G15/80

    Abstract: An image forming apparatus is provided to apply bias to color developing units by using DC voltage supplied to a developing high voltage supply unit without using a voltage distributing resistor to simplify the configuration of a voltage supply circuit. An image forming apparatus includes a plurality of color developing units(Y,M,C,K), a developing high voltage supply unit(100), and a distributor(200). The developing high voltage supply unit provides a developing high voltage to the color developing units. The distributor outputs the developing high voltage supplied from the developing high voltage supply unit to one of the plurality of color developing units and applies bias to the other color developers.

    Abstract translation: 提供一种图像形成装置,通过使用提供给显影高压电源单元的直流电压而不使用电压分配电阻器来对彩色显影单元施加偏压,以简化电压供应电路的配置。 图像形成装置包括多个彩色显影单元(Y,M,C,K),显影高压电源单元(100)和分配器(200)。 显影高压电源单元为彩色显影单元提供显影高电压。 分配器将从显影高压电源单元提供的显影高压输出到多个彩色显影单元中的一个,并向其它显色剂施加偏压。

    포토리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 포토레지스트패턴의 형성 방법
    36.
    发明授权
    포토리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 포토레지스트패턴의 형성 방법 失效
    用于光刻的掩模和使用其制造光刻胶图案的方法

    公开(公告)号:KR100809709B1

    公开(公告)日:2008-03-06

    申请号:KR1020060106719

    申请日:2006-10-31

    CPC classification number: G03F1/36

    Abstract: 높은 노광 마진을 갖는 포토리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법이 제공된다. 포토리소그래피용 마스크는 투명 기판 및 투명 기판 상의 복수의 차광 부재들을 포함한다. 복수의 차광 부재들 각각은 서로 분리되거나 또는 그 가장자리가 연결된 복수의 차광막 세그먼트들을 포함하고, 복수의 차광 부재들 각각은 포토리소그래피 단계에서 복수의 차광막 세그먼트들이 연결된 하나의 이미지를 형성한다.

    심한단차가 있는 부분에 층간절연막을 형성하는 방법
    37.
    发明授权
    심한단차가 있는 부분에 층간절연막을 형성하는 방법 失效
    在具有深度步骤的晶片部分中形成层间电介质的方法

    公开(公告)号:KR100555486B1

    公开(公告)日:2006-03-03

    申请号:KR1019990039838

    申请日:1999-09-16

    Inventor: 서전석 김창환

    Abstract: 본 발명은 반도체 집적회로 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 상세하게는 심한 단차가 있는 부분에 층간절연막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따르면, 먼저 반도체 기판에 캐패시터를 형성한다. 이어서, 캐패시터의 형성으로 인하여 셀영역과 코아영역의 경계 및/또는 상기 셀영역과 주변회로 영역의 경계에 형성된 계단형 단차의 측벽에, 상기 단차의 측벽 경사를 완만하게 할 수 있는 측벽 스탠드를 형성한다. 마지막으로, 상기 측벽 스탠드가 형성된 반도체 기판의 전면에 화학기상증착법을 사용하여 층간절연막을 형성한다.
    셀영역, 코어영역, 단차, 스텝 커버리지

    반도체 제조 설비의 아암 장치
    38.
    发明公开
    반도체 제조 설비의 아암 장치 无效
    半导体制造设备的ARM器件

    公开(公告)号:KR1020000030952A

    公开(公告)日:2000-06-05

    申请号:KR1019980044163

    申请日:1998-10-21

    Inventor: 김창환 이기호

    Abstract: PURPOSE: An arm device of a semiconductor fabrication equipment is provided to prevent the accumulation of particles and the generation of whirlpool caused by the design of the arm device of a photo spinner. CONSTITUTION: An arm device loads/unloads each wafer to each chamber in a spinner established in a clean room. And, the arm device is consisted of a vertical frame(100) having a vertical moving space and a bracket(102) established on the upper end of the frame. The bracket has a plus form by openings(104) in the upper end of the arm device. Herein, the openings are formed to be nearest one another in the range of not transforming or expanding the shape of the arm device, and formed as a maximum size to the surface area of the bracket.

    Abstract translation: 目的:提供半导体制造设备的臂装置,以防止颗粒的积聚和由旋光器的臂装置的设计引起的漩涡的产生。 构成:手臂装置将每个晶片装载/卸载到在洁净室中建立的旋转器中的每个室。 并且,手臂装置由具有垂直移动空间的垂直框架(100)和建立在框架的上端上的支架(102)组成。 支架具有通过臂装置的上端中的开口(104)的加号形式。 这里,开口在不改变或扩大臂装置的形状的范围内形成为彼此最接近,并且形成为与支架的表面积最大的尺寸。

    릴럭턴스 모터의 제어 방법
    39.
    发明公开
    릴럭턴스 모터의 제어 방법 无效
    磁阻电机的控制方法

    公开(公告)号:KR1019980027555A

    公开(公告)日:1998-07-15

    申请号:KR1019960046354

    申请日:1996-10-16

    Inventor: 하태균 김창환

    Abstract: 릴럭턴스(Reluctance) 모터의 제어 방법이 개시된다. 이 방법은, 릴럭턴스 모터의 회전각을 처리하여 회전 속도를 구하는 단계; 사용자에 의한 명령 속도와 상기 회전 속도와의 차이를 구하는 단계; 상기 속도 차이에 비례한 명령 회전력을 발생시키는 단계; 및 상기 명령 회전력을 전류 신호로 변환시켜서 상기 릴럭턴스 모터의 구동 회로에 전송하는 단계;를 포함하는 릴럭턴스 모터의 제어 방법에 있어서, 상기 전류 신호로 변환시키는 데에 사용되는 전달 함수는, 상기 명령 회전력 및 회전각의 학습 데이터가 반영되는 것을 그 특징으로 한다. 이에 따라 제어의 정밀도, 정확도, 및 효율성을 높일 수 있다.

    반도체 소자의 사진 식각 방법

    公开(公告)号:KR1019980015252A

    公开(公告)日:1998-05-25

    申请号:KR1019960034508

    申请日:1996-08-20

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 사진 식각 방법에 대해 기재되어 있다.
    반도체 기판상에 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층이 형성된 상기 반도체 기판을 고온에서 열처리한 후 쿨링(Cooling)하는 단계; 상기 물질층상에 DUV(Deep Ultra Violet)용 감광막을 형성하는 단계; 상기 DUV용 감광막이 형성된 상기 반도체 기판을 135∼145℃ 온도에서 소프트 베이크(Soft Bake)하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 DUV를 광원으로 하여 노광(Exposure)하는 단계로 이루어진 본 발명에 의한 반도체 소자의 사진 식각 방법은, 물질층과 DUV용 감광막이 형성된 반도체 기판을 소프트 베이크하는 공정시 공정 온도를 최적화함으로써 상기 감광막의 푸팅 현상을 방지할 수 있다.

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