公开(公告)号：KR1019980035099A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960053330

申请日：1996-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박강욱

IPC: H01L29/72

Abstract: 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 본 발명에 의한 바이폴라 트랜지스터는, 반도체 기판에 도너츠 모양으로 형성된 익스트린식(extrinsic) 베이스, 이 익스트린식 베이스 상에 형성된 수직의 원통 구조의 제 1 베이스 전극 및 이 제 1 베이스 전극과 연결되고 상기 베이스와는 분리되어 있는 제 2 베이스 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 베이스 전극의 구조 변경에 의해 베이스의 크기를 줄일 수 있으므로 베이스와 콜렉터 간의 커패시턴스와 베이스 저항을 저하시킬 수 있을 뿐만아니라 소자의 전기적 특성을 안정시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100143171B1

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：KR1019940013839

申请日：1994-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남주 ,  박강욱

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 동작속도 향상을 위한 소자 제조방법에 관한 것으로, 베이스 형성을 위한 불순물로서 BF
2 를 사용하고, 상기 베이스 하부 에지와 콜렉터의 계면에 SIC 층을 형성시킴으로써 종래 공정에서의 보론테일 현상을 방지하는 동시에, 상기 SIC 층에 의해 베이스의 폭과 콜렉터 저항이 감소하게 됨으로써 바이폴라 집적회로의 속도특성을 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980013698A

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019960032277

申请日：1996-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박강욱

IPC: H01L21/328

Abstract: 베이스-콜렉터 간의 절연 면적을 최소화할 수 있는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명은 저농도 고농도의 매몰층과 저농도의 에피층이 형성된 반도체 기판에 사진 및 식각 공정으로 콜렉터 영역에 존재하는 상기 에피층을 상기 매몰층이 노출될 때까지 제거하여 세미-트렌치를 형성하는 단계, 상기 결과물의 전면에 소정의 두께로 제 1 산화막을 형성하고 이방성 식각으로 상기 제 1 산화막을 상기 매몰층이 노출될 때까지 제거하는 단계 및 상기 결과물의 전면에 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터층을 구성하는 고농도 제 2 도전형의 폴리실리콘막을 침적하고 상기 폴리실리콘막을 상기 에피층의 표면에 형성된 상기 제 1 산화막이 노출될 때까지 식각하여 고농도 제 2 도전형의 콜렉터층을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 베이스-콜렉터 간의 접합 커패시턴스 및 베이스-기판 간의 접합 커패시턴스를 감소시켜 바이폴라 트랜지스터의 동작 속도를 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970053005A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950068642

申请日：1995-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박강욱

IPC: H01L21/331

Abstract: 에미터 저항 및 에미터 영역 깊이를 정확히 조절할 수 있는 바이폴라 트랜지스터에 관하여 개시한다. 본 발명은 제1도전형의 실리콘 기판에 형성된 제2도전형의 매몰 콜렉터 영역과, 상기 메몰 콜렉터 영역 상에 형성된 제2도전형의 외부 콜렉터 영역과, 상기 외부 콜렉터 영역에 형성된 제1도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역에 형성된 제2도전형의 에미터 영여과, 상기 베이스 영역을 분리하는 필드 절연막과, 상기 베이스 영역상에 형성된 베이스 전극과, 상기 베이스 전극 상에 형성된 절연막과, 상기 베이스 전극 및 절연막의 양측벽에 형성된 절연막 스페이서와, 상기 에미터 영역 상에 상기 절연막 스페이서와 평탄하게 형성된 제1에미터 전극과, 상기 제1에미터 전극을 오픈하는 콘택절연막과, 상기 콘택절연막에 의하여 오픈된 제1에미터 전극과 연결되는 제2에미터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는 에미터 영역 상에 그 크기에 상관없이 일정한 두께의 폴리실리콘막으로 제1에미터 전극이 형성되어 있어서, 종래와 다르게 균일한 농도와 농도 구배를 얻을 수 있고, 금속층의 단차도포성을 개선할 수 있다.