公开(公告)号：KR2019930018967U

公开(公告)日：1993-08-21

申请号：KR2019920000777

申请日：1992-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배형진

IPC: H04N5/225

公开(公告)号：KR2019930011885U

公开(公告)日：1993-06-25

申请号：KR2019910020521

申请日：1991-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배형진

IPC: G11B15/32

公开(公告)号：KR101334174B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070003965

申请日：2007-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  이정현 ,  배형진 ,  이창수

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/101 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/765 ,  Y10S977/94

Abstract: 본 발명은 배선 구조체 및 상기 배선 구조체를 포함한 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 배선 구조체는 제1 배선을 포함하는 배선 구조체로서, 상기 제1 배선은 수 내지 수십 나노미터의 폭을 갖는 제1 영역; 및 상기 제1 영역보다 큰 폭을 갖는 제2 영역;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020090107882A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：KR1020080033400

申请日：2008-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤혁 ,  이광희 ,  배형진 ,  박종진 ,  불리아드자비에

IPC: C08J5/22 ,  C08L83/00 ,  B32B15/08 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/291 ,  H01L51/5253 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An encapsulation thin film with a graded composition layer and anchoring layer, and a fabrication method thereof are provided to prevent moisture, oxygen, and harmful components from coming in. CONSTITUTION: An encapsulation thin film comprises a substrate, graded composition layer(30), and anchoring layer(20). The anchoring layer comprises organic and inorganic hybrid polymers including Si. In the graded composition layer, two or more selected from metal oxide, metal nitride, and silicon oxide continuously change in a vertical direction. The optical transmittance rate of the encapsulation thin in a visible light region is 85%.

Abstract translation: 目的：提供具有梯度组成层和锚定层的封装薄膜及其制造方法，以防止水分，氧气和有害成分进入。构成：包封薄膜包括基底，渐变组成层（30 ）和锚定层（20）。 锚定层包括有机和无机混合聚合物，包括Si。 在分级组合物层中，选自金属氧化物，金属氮化物和氧化硅中的两种以上在垂直方向上连续变化。 可见光区域的封装薄膜的透光率为85％。

公开(公告)号：KR1020080064613A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：KR1020070001704

申请日：2007-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  이정현 ,  배형진 ,  박영수

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861

Abstract: A semiconductor device including polysilicon and a method for fabricating the same are provided to grow easily a stable polysilicon by implementing a TaNx material layer having good adhesion characteristics with the polysilicon. A semiconductor device including polysilicon includes a TaNx material layer and a polysilicon layer formed on the TaNx material layer. A range of X of the TaNx material layer is in 0.5 to 1.5. The polysilicon layer, which is a P-type polysilicon layer(22), includes an N-type polysilicon layer on which the P-type polysilicon layer is formed. The polysilicon layer, which is an N-type polysilicon layer, includes a silicide for forming a Schottky barrier on the N-type polysilicon layer.

Abstract translation: 提供包括多晶硅的半导体器件及其制造方法，通过实施与多晶硅具有良好粘合特性的TaNx材料层，容易地生长稳定的多晶硅。 包括多晶硅的半导体器件包括形成在TaNx材料层上的TaNx材料层和多晶硅层。 TaNx材料层的X的范围为0.5〜1.5。 作为P型多晶硅层（22）的多晶硅层包括形成P型多晶硅层的N型多晶硅层。 作为N型多晶硅层的多晶硅层包括在N型多晶硅层上形成肖特基势垒的硅化物。