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公开(公告)号：KR1020170034215A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132605
申请日：2015-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1157 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/53 , G11C2213/79 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/28282 , H01L21/308 , H01L21/762 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L27/1052 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/66833 , H01L29/685 , H01L45/00
Abstract: 저전압에서구동가능하고, 멀티레벨을구현할수 있는시냅스메모리소자의제조방법을제공한다. 상기시냅스메모리소자는메모리층을포함하는제 1 트랜지스터의드레인영역과제 2 트랜지스터의제 1 소스영역을하나의공용영역으로공유하도록하는 2 트랜지스터구조를포함한다. 상기공용영역을통해전압을인가하여시냅스메모리소자를제어한다. 메모리층은전하저장층과문턱전압변환층을포함하여비휘발성멀티레벨메모리기능을구현할수 있다.
Abstract translation: 它可以在低电压下驱动，并且提供了用于能够实现多级的突触存储装置的制备方法。 突触是存储器元件包括第二晶体管结构，以便共享第一晶体管漏极区域分配第二晶体管，其包括存储器层中的第一源极区域到一个单一的接口。 并通过共享区域施加电压来控制突触存储器件。 存储器层可以实现包括电荷存储层和阈值电压转换层的非易失性多级存储器功能。
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公开(公告)号：KR1020160099386A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020150021778
申请日：2015-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1446 , H01L27/14601 , H01L27/14607 , H01L27/14627 , H01L27/14692 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L27/14625 , H01L27/1461 , H01L27/14636
Abstract: 광검출소자및 그제조방법과, 이미지센서및 그제조방법이개시된다. 개시된광검출소자는, 제1 절연층과상기제1 절연층에마련되는실리콘층과, 상기실리콘층에마련되는적어도하나의실리콘나노와이어와, 상기적어도하나의실리콘나노와이어와전기적으로마련되는전극을포함한다. 여기서, 제1 절연층및 실리콘층에는적어도하나의금속플러그가관통하도록마련되어있다.
Abstract translation: 公开了一种光电检测装置及其制造方法，以及图像传感器及其制造方法。 所公开的光检测装置包括第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的硅层，设置在硅层上的至少一个硅纳米线，以及设置在至少一个硅纳米线上的电极。 至少一个金属插头设置在第一绝缘层和待渗透的硅层上。
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公开(公告)号：KR1020140052785A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120120623
申请日：2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device using a metal oxide are disclosed. The disclosed manufacturing method of the semiconductor device comprises forming a metal oxide layer on a substrate; forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer; and crystallizing the amorphous semiconductor layer into a polycrystalline semiconductor layer by using the metal oxide layer. Therefore, metal contamination can be reduced in a crystallization process.
Abstract translation: 公开了使用金属氧化物的半导体器件和半导体器件的制造方法。 所公开的半导体器件的制造方法包括在衬底上形成金属氧化物层; 在所述金属氧化物层上形成非晶半导体层; 以及通过使用所述金属氧化物层将所述非晶半导体层结晶成多晶半导体层。 因此，在结晶过程中可以减少金属污染。
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公开(公告)号：KR1020140051639A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117914
申请日：2012-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/86
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L29/2003
Abstract: Disclosed are a structure having a large area gallium nitride (GaN) substrate and a method for manufacturing the same. The disclosed structure having a large area GaN comprises multiple silicone rods on a silicone substrate; a silicone layer on the multiple rods; and a GaN substrate on the silicone layer.
Abstract translation: 公开了具有大面积氮化镓（GaN）衬底的结构及其制造方法。 所公开的具有大面积GaN的结构在硅基底上包括多个硅酮棒; 多个棒上的硅树脂层; 和硅树脂层上的GaN衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130073712A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020110141706
申请日：2011-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78684 , H01L27/1266 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78603
Abstract: PURPOSE: A graphene device and a manufacturing method thereof are provided to facilitate handling by forming the graphene device on a metal thin film and transferring the graphene device to an insulator. CONSTITUTION: A channel layer (C1) includes graphene. A source electrode is formed on the first area of the channel layer. A drain electrode is formed on the second part of the channel layer. A gate insulating layer (GI1) is formed on a capping layer. A gate (G1) is formed on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯装置及其制造方法，以通过在金属薄膜上形成石墨烯装置并将石墨烯装置转移到绝缘体来促进处理。 构成：通道层（C1）包括石墨烯。 源极电极形成在沟道层的第一区域上。 漏电极形成在沟道层的第二部分上。 在封盖层上形成栅极绝缘层（GI1）。 栅极（G1）形成在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：KR101257846B1
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020050078882
申请日：2005-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/02639 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1281 , H01L29/66772
Abstract: 양질의 단결정 실리콘의 제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 단결정 실리콘의 제조방법은: 기판에 실리콘 질화물층과 실리콘산화물 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층에 소정 크기를 가지는 홀을 형성하는 단계; 선택적 증착에 의해 상기 홀의 내부에 노출된 상기 홀의 바닥으로 부터 제1실리콘층을 퇴적(堆積)하는 단계; 상기 절연층과 상기 홀 내의 제1실리콘층 위에 제2실리콘층을 퇴적하는 단계; 그리고 제2실리콘층을 열처리하여 결정화하는 단계;포함한다. 양질 단결정 실리콘필름을 형성할 수 있다.
단결정, 단결정, 실리콘, TFT-
公开(公告)号：KR101176545B1
公开(公告)日：2012-08-28
申请号：KR1020060070296
申请日：2006-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02327
Abstract: 본 발명은 마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 마이크로 렌즈의 형성방법은 하부 구조물이 구비된 반도체 기판 상에 실리콘 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 캡핑막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 패턴 및 상기 캡핑막을 어닐링하여 상기 실리콘 패턴을 지주(pole) 형상의 폴리실리콘 패턴으로 변형시키고 상기 캡핑막을 라운드형 마이크로 렌즈용 껍질부로 변형시키는 단계; 및 상기 캡핑막이 껍질부로 변형되면서 유발된 상기 껍질부 가장자리와 상기 기판 사이의 개구부를 통해 상기 껍질부 내에 렌즈 물질을 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 이미지 센서는 상기 방법 또는 그와 유사한 방법으로 형성된 마이크로 렌즈를 포함하고, 마이크로 렌즈의 중앙 하부에 폴리실리콘으로 이루어진 지주(pole) 형상의 포토 다이오드 부분을 갖는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 提供微透镜，包括微透镜的图像传感器，形成微透镜的方法和制造图像传感器的方法。 微透镜包括形成在基板上的具有圆柱形状的多晶硅图案和包围多晶硅图案的圆形外壳部分。 微透镜还可以包括填充壳体部分的内部的填充材料或覆盖第一壳体部分的第二壳体部分。 形成微透镜的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成硅图案，在硅图案上的半导体衬底上形成覆盖膜，使硅图案和覆盖膜退火，将硅图案改变为具有 圆筒形，并且封盖膜用于圆形微透镜的外壳部分，并且通过半导体基板和外壳部分的边缘之间的开口用透镜材料填充外壳部分的内部。 图像传感器包括通过类似方法形成的微透镜和具有圆柱形状的光电二极管。
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公开(公告)号：KR1020080105979A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020080020589
申请日：2008-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L45/16
Abstract: A resistivity memory device is provided to lower the manufacturing cost and increase the adhesion property with other films. A resistivity memory device comprises the first electrode(E1), the second electrode(E2), the first structure(S1), and the first switching device. The first electrode is at least one. The second electrode is arranged apart from the first electrode. The first structure is equipped between the first and the second electrode. The second structure comprises the first resistance alteration layer(R1). The first switching device is electrically connected to the first resistance alteration layer. At least one of the first and the second electrode comprises the alloy layer of the non-precious metals and noble metals.
Abstract translation: 提供电阻率记忆装置以降低制造成本并增加与其它膜的粘附性。 电阻率存储器件包括第一电极（E1），第二电极（E2），第一结构（S1）和第一开关器件。 第一电极是至少一个。 第二电极与第一电极分开设置。 第一结构装备在第一和第二电极之间。 第二结构包括第一电阻改变层（R1）。 第一开关装置电连接到第一电阻改变层。 第一和第二电极中的至少一个包括非贵金属和贵金属的合金层。
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公开(公告)号：KR1020080064613A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001704
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/28537 , H01L27/1021 , H01L29/861
Abstract: A semiconductor device including polysilicon and a method for fabricating the same are provided to grow easily a stable polysilicon by implementing a TaNx material layer having good adhesion characteristics with the polysilicon. A semiconductor device including polysilicon includes a TaNx material layer and a polysilicon layer formed on the TaNx material layer. A range of X of the TaNx material layer is in 0.5 to 1.5. The polysilicon layer, which is a P-type polysilicon layer(22), includes an N-type polysilicon layer on which the P-type polysilicon layer is formed. The polysilicon layer, which is an N-type polysilicon layer, includes a silicide for forming a Schottky barrier on the N-type polysilicon layer.
Abstract translation: 提供包括多晶硅的半导体器件及其制造方法，通过实施与多晶硅具有良好粘合特性的TaNx材料层，容易地生长稳定的多晶硅。 包括多晶硅的半导体器件包括形成在TaNx材料层上的TaNx材料层和多晶硅层。 TaNx材料层的X的范围为0.5〜1.5。 作为P型多晶硅层（22）的多晶硅层包括形成P型多晶硅层的N型多晶硅层。 作为N型多晶硅层的多晶硅层包括在N型多晶硅层上形成肖特基势垒的硅化物。
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