公开(公告)号：KR1020050005004A

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1020030044119

申请日：2003-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  송기용 ,  류준성 ,  선종백

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01B3/46 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/2962 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/31663

Abstract: PURPOSE: A siloxane resin for a semiconductor interlayer dielectric material using the same is provided to improve mechanical properties and low dielectric properties. CONSTITUTION: The siloxane resin is prepared by carrying out hydrolysis and condensation of at least one monomer selected from a radiation type silane monomer represented by formula 1: Si£(CH2)kSiY1Y2Y3|4 wherein k is an integer of 1-10; Y1, Y2 and Y3 are independently C1-C3 alkyl group, C1-C10 alkoxy group or a halogen atom respectively, and at least one of Y1, Y2 and Y3 is a hydrolysable functional group, and compounds represented by formulas 2 to 4, with an acidic or basic catalyst and water in the presence of an organic solvent, wherein the formula 4 is R3Si(X5X6X7)3 in which R3 is a hydrogen atom, C1-C3 alkyl group or C6-C15 aryl group; X5, X6 and X7 are independently C1-C3 alkyl group, C1-C10 alkoxy group or a halogen atom, respectively, and at least one of X5, X6 and X7 is a hydrolysable functional group.

Abstract translation: 目的：提供一种用于使用其的半导体层间绝缘材料的硅氧烷树脂以改善机械性能和低介电性能。 构成：通过进行至少一种选自式1所示的辐射型硅烷单体的单体的水解和缩合制备硅氧烷树脂：Si（CH 2）k SiY 1 Y 2 Y 3 | 4，其中k为1-10的整数; Y1，Y2和Y3分别独立地为C1-C3烷基，C1-C10烷氧基或卤素原子，Y1，Y2和Y3中的至少一个为可水解官能团，由式2至4表示的化合物与 酸性或碱性催化剂和水，其中式4是R3Si（X5X6X7）3，其中R3是氢原子，C1-C3烷基或C6-C15芳基; X5，X6和X7分别独立地为C1-C3烷基，C1-C10烷氧基或卤素原子，X5，X6和X7中的至少一个为可水解官能团。

公开(公告)号：KR1020040108446A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020030039030

申请日：2003-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임진형 ,  정현담 ,  김정배 ,  선종백

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A pore generated composition for a porous semiconductor insulating layer is provided to obtain a low dielectric material having fine-porosities with a size of 50 angstrom or less by constituting properly predetermined materials. CONSTITUTION: A pore generated composition for a porous semiconductor insulating layer contains a silyl porogen, a matrix precursor, and a solvent. The matrix precursor is thermally stable. The matrix precursor is organic or inorganic. The solvent is capable of dissolving the silyl porogen and the matrix precursor.

Abstract translation: 目的：提供用于多孔半导体绝缘层的孔产生组合物，以通过构成适当的预定材料来获得具有50埃或更小尺寸的细孔的低电介质材料。 构成：用于多孔半导体绝缘层的孔产生组合物含有甲硅烷基致孔剂，基质前体和溶剂。 基质前体是热稳定的。 基质前体是有机或无机的。 溶剂能够溶解甲硅烷基致孔剂和基质前体。

公开(公告)号：KR102163730B1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：KR1020140034818

申请日：2014-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  서석준 ,  김태상 ,  류명관 ,  조성호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101980196B1

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：KR1020120143031

申请日：2012-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 박준석 ,  김선재 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101878731B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110129910

申请日：2011-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 박준석 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤 ,  서석준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는산화물반도체로형성된채널층을포함할수 있다. 상기산화물반도체는 GaZnON을포함할수 있다. 이경우, 상기채널층에서 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 0.5∼4.5 at% 정도일수 있다. 상기 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 1∼3 at% 정도일수 있다.

公开(公告)号：KR101652794B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020100139354

申请日：2010-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  이광희 ,  선종백 ,  배중현 ,  정웅희 ,  이상윤 ,  김현재

IPC: H01B5/14 ,  H01L29/786

Abstract: 금속산화물전구체; 졸안정화제; 및용매;를포함하며, 상기금속산화물전구체 1몰당졸 안정화제를 2몰이상포함하는산화물반도체형성용조성물은점도가증가하여잉크젯프린팅이가능며, 균일한산화물반도체박막을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150019355A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130096113

申请日：2013-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  김태상 ,  김억수 ,  류명관 ,  조성호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 박막 트랜지스터의 채널은 아연 및 질소를 포함하거나, 아연, 질소 및 산소를 포함할 수 있으며, 채널 내부에 결정질상을 포함할 수 있다. 상기 채널은 아연 나이트라이드(zinc nitride) 또는 아연 옥시나이트라이드(zinc oxynitride)를 포함할 수 있으며, ZnO
x N
y (x≥0, y>0), x+y=1, y=0.4~1.0)의 화학식으로 표현될 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种具有可靠性的薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管的沟道包括锌和氮或锌，氮和氧。 晶体相包含在通道中。 该通道包括氮化锌或氮氧化锌，并且由ZnO x N y（x> = 0，y> 0），x + y = 1，y = 0.4-1.0的化学式表示。

公开(公告)号：KR1020140117921A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020130032875

申请日：2013-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 선종백 ,  류명관 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01L29/78693 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225

Abstract: The present invention relates to a solution composition for forming an oxide semiconductor, an oxide semiconductor, and an electronic device including the oxide semiconductor. An embodiment of the present invention relates to the solution composition for forming the oxide semiconductor which includes a metal oxide precursor and metal thioacetate or a derivative thereof and the oxide semiconductor and the electronic device manufactured thereby.

Abstract translation: 本发明涉及用于形成氧化物半导体的溶液组合物，氧化物半导体以及包含该氧化物半导体的电子器件。 本发明的一个实施方案涉及用于形成氧化物半导体的溶液组合物，其包含金属氧化物前体和硫代乙酸金属或其衍生物，以及氧化物半导体及其制造的电子器件。

公开(公告)号：KR1020140070344A

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：KR1020130097345

申请日：2013-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 김태상 ,  김선재 ,  김현석 ,  류명관 ,  박준석 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/26 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: A semiconductor material, a transistor including semiconductor material, and an electronic device including a transistor are provided. The disclosed semiconductor material may include zinc, nitrogen, and fluorine. The semiconductor material may further include oxygen. The semiconductor material may further include a compound, such as, zinc fluorooxynitride, zinc oxynitride containing fluorine, and zinc fluoronitride. The semiconductor material can be used for the channel material of a thin film transistor.

Abstract translation: 提供半导体材料，包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子器件。 所公开的半导体材料可以包括锌，氮和氟。 半导体材料还可以包括氧。 半导体材料还可以包括化合物，例如氟氧氮化锌，含氟的氮氧化锌和氟氮化锌。 半导体材料可用于薄膜晶体管的沟道材料。

公开(公告)号：KR101364293B1

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020070048233

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  정현담 ,  이상윤

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/18

Abstract: 본 발명은 저온 공정이 가능한 유전박막 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 금속산화물 유전박막 및 그의 제조방법, 상기 유전박막을 포함하는 트랜지스터 소자 및 상기 트랜지스터 소자를 포함하는 전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 유전박막을 적용한 전자소자는 낮은 구동전압 및 높은 전하이동도 등을 동시에 만족하는 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다.
유전박막, 절연층, 고유전율, 금속산화물, 비가수분해 졸-겔, 용액 공정