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公开(公告)号：KR100554327B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1020010056798
申请日：2001-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G77/14
Abstract: 본 발명은 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 환형 실록산 화합물과 반응성기가 4개 있는 실란계 화합물, 또는 여기에 반응성기가 1개 이상인 실란 화합물 및/또는 케이지형 실록산 화합물을 부가하여 유기용매 중에서 촉매와 물의 존재하에 가수분해 및 축합중합시켜 제조한 실록산계 수지, 및 상기 수지를 반도체의 저유전 절연막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 실록산계 수지를 이용하면 고집적도 반도체 제조시 기계적 물성 및 열안정성이 우수하고 저유전율인 절연막을 용이하게 형성할 수 있다.
실록산계 수지, 케이지형 실록산 화합물, 환형 실록산 화합물, 실란 화합물, 반도체, 절연막, 저유전율-
公开(公告)号：KR100533538B1
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020020076275
申请日：2002-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G77/04
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , Y10S428/924 , Y10S428/931 , Y10T428/31663
Abstract: 본 발명은 새로운 기공형성 물질을 포함하는 다공성 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제미니형 계면활성제, 사급알킬암모늄 염 또는 이들의 혼합물인 기공형성물질; 열적으로 안정한 유기 또는 무기 매트릭스 전구체; 및 상기 물질을 녹이는 용매를 포함하는, 다공성 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의해 경도, 모듈러스 등의 기계적 물성 및 내흡습성이 뛰어난 반도체용 층간 절연막을 제공할 수 있다.
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3.发明公开에테르알콕시기를 포함한 다반응성 규소 화합물, 상기화합물로부터 제조된 중합체 및 이들을 이용한 절연막제조방법 无效含有醚官能团的多功能硅氧烷化合物，由该化合物制备的聚合物和使用其制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR1020050058893A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090908
申请日：2003-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G77/14
Abstract: 본 발명은 열 또는 빛에 의해 분해가능한 반응기를 가지는 선형 또는 환형의 다반응성 규소 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 중합체에 관한 것이고, 나아가, 상기 중합체 또는 단량체를 이용한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 에테르 알콕시기를 1 이상 포함한 다반응성 규소 화합물 및 상기 화합물을 에테르알콕시기를 포함하지 않은 실록산 또는 실란 단량체와 함께 중합하여 제조한 공중합체에 관한 것이고, 나아가, 상기 공중합체 및/또는 상기 다반응성 규소 화합물을 함유한 코팅액을 도포하고 이를 열경화시켜 절연막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다반응성 규소 화합물은 에테르 알콕시기가 열 또는 빛에 의해 분해되면서 주변의 반응기와 중합반응을 일으키거나, 재중합 가능한 히드록시기를 형성하므로, 반응속도가 상이한 다양한 화합물들과 공중합이 가능하고, 그로부터 제조된 중합체 내에 잔존 알콕시기 함량이 감소하여 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가지며, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050040275A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075438
申请日：2003-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 본 발명은 히드록시기 또는 알콕시기를 가지는 실옥산계 수지 전구체에 상기 실옥산계 수지 전구체를 경화시킬 수 있는 축합 촉매 발생제, 그리고 기공형성물질을 함께 유기용매에 분산시켜 기판 위에 코팅한 후 방사선에 노광시켜 저온에서 축합 중합을 유발하도록 하여 유전상수를 더욱 낮추고 박막물성이 개선된 저유전 절
연막에 관한 것이다. 또한 패턴화된 마스크를 씌우고 방사선 노광을 행하고, 비노광부를 현상액으로 제거함으로써 포토레지스트(photo resist)를 사용하지 않고 다공성 절연막의 네거티브 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.Abstract translation: 一种用于形成多孔电介质膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷基前体和产生孔的材料与能够固化硅氧烷基树脂前体的缩合催化剂发生物一起在有机溶剂 。 多孔绝缘膜具有低的介电常数和改善的物理性能，并且通过将该组合物涂覆在基底上形成，随后进行曝光以在低温下引起缩聚。 还提供了形成多孔电介质膜的阴图形的方法，而不用光致抗蚀剂通过将掩模曝光通过掩模，并用显影剂除去未曝光的区域。
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公开(公告)号：KR100455339B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020014259
申请日：2002-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/31695 , C08L5/16 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , C08L2666/02
Abstract: The present invention provides a composition for preparing substances having nano-pores, said composition comprising cyclodextrin derivative, thermostable organic or inorganic matrix precursor, and solvent for dissolving said two solid components. There is also provided an interlayer insulating film having evenly distributed nano-pores with a diameter less than 50 ANGSTROM , which is required for semiconductor devices.
Abstract translation: 本发明提供了用于制备具有纳米孔的物质的组合物，所述组合物包含环糊精衍生物，热稳定的有机或无机基质前体和用于溶解所述两种固体组分的溶剂。 还提供了具有均匀分布的半导体器件所需的直径小于50埃的纳米孔的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：KR1020020075720A
公开(公告)日：2002-10-05
申请号：KR1020020014259
申请日：2002-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/31695 , C08L5/16 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , C08L2666/02
Abstract: PURPOSE: A composition for producing a material having nano-sized pores is provided, thereby providing a layer-insulation membrane with a pore size of 50 angstrom or less for a semiconductor. CONSTITUTION: The composition for producing a material having nano-sized pores comprises 0.1 to 95 wt.% of cyclodextrin derivative, a thermostable organic or inorganic matrix precursor; and 20 to 99.9 wt.% of a solvent dissolving the above substances, wherein the cyclodextrin derivative is represented by formula(6), in which R1, R2 and R3 are independently halogen, C0-C10 amino or azido, C3-C20 imidazole or pyridin, C1-C10 cyano, C2-C10 carbonate, C1-C10 carbamate or -OR4; R4 is hydrogen, C2-C3 acyl, C1-C2 alkyl, C3-C10 alkene, C3-C20 alkyne, C7-C20 tosyl, C1-C10 mesyl, C0-C10 phosphorus, C3-C10 cycloalkyl, C1-C20 carboxy alkyl, glucosyl, maltosyl or Sir1r2r3; r1, r2 and r3 are independently C1-C5 alkyl, C1-C5 alkoxy or C6-C20 aryl; and q is an integer of 6 to 12.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有纳米尺寸孔的材料的组合物，从而为半导体提供孔径为50埃或更小的层绝缘膜。 构成：用于生产具有纳米尺寸孔的材料的组合物包含0.1-95重量％的环糊精衍生物，耐热有机或无机基质前体; 和20至99.9重量％的溶解上述物质的溶剂，其中环糊精衍生物由式（6）表示，其中R 1，R 2和R 3独立地为卤素，C 0 -C 10氨基或叠氮基，C 3 -C 20咪唑或 吡啶，C 1 -C 10氰基，C 2 -C 10碳酸酯，C 1 -C 10氨基甲酸酯或-OR 4; R4是氢，C2-C3酰基，C1-C2烷基，C3-C10烯烃，C3-C20炔烃，C7-C20甲苯磺酰基，C1-C10甲磺酰基，C0-C10磷，C3-C10环烷基，C1-C20羧基烷基， 葡萄糖基，麦芽糖基或Sir1r2r3; r1，r2和r3独立地为C1-C5烷基，C1-C5烷氧基或C6-C20芳基; q为6〜12的整数。
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公开(公告)号：KR100344893B1
公开(公告)日：2002-07-20
申请号：KR1019990048607
申请日：1999-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08F212/08
Abstract: 본발명의유동성및 내충격성이우수한스티렌계삼원공중합체는스티렌과스티렌계유도체및 마크로모노머를전이금속화합물과알킬알루미녹산으로구성된촉매계에서공중합시킴으로써제조되며, 스티렌및 스티렌계유도체의반복단위는신디오탁틱구조를가지며, 삼원공중합체내의마크로모노머의함량은 0.1∼50 wt%이며, 녹는점은 150∼272 ℃이고, 중량평균분자량은 50,000∼5,000,000의범위를가지며, 하기화학식(1)으로나타내어진다: 상기에서 R은할로겐원자또는탄소수 1∼20의알킬기이고, R는탄소수 1∼20의포화탄화수소, 아로마틱또는시클로알킬기이고, R은탄소수 1∼10의포화탄화수소이고, X는마크로모노머를합성하는데사용한이온중합성모노머이며, m은 400∼20000의정수이고, n은 5∼200의정수이며, o는 1∼20의정수이고, 그리고ℓ은 10∼3000의정수이다.
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9.发明授权다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법 有权多功能线性硅氧烷化合物，由化合物制备的硅氧烷聚合物和通过使用聚合物制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR101007807B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020030090909
申请日：2003-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/075
CPC classification number: C07F7/0859 , C07F7/1836 , C08G77/50
Abstract: 본 발명은 신규한 다반응성 선형 실록산계 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성과 열적 안정성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 선형 실록산 화합물 또는 상기 화합물과 다른 단량체부터 제조된 실록산 중합체에 관한 것이고, 아울러 상기 중합체를 포함한 코팅액을 열경화하는 단계를 포함한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.-
10.发明授权다반응성 환형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 失效多功能环状硅氧烷化合物，由化合物制备的硅氧烷聚合物和使用聚合物制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR100660265B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020040042522
申请日：2004-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 다반응성 환형 실록산 화합물 (A), 상기 화합물 (A)로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 보다 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 환형 실록산 화합물 (A), 상기 화합물 (A)또는 상기 화합물 (A)와 유기다리를 가지는 Si 단량체 (B), 비환식 (acyclic) 알콕시 실란 단량체 (C) 및/또는 선형의 실록산 단량체 (D)로부터 제조된 실록산계 (공)중합체 및 상기 (공)중합체들을 이용한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.
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