公开(公告)号：KR101993383B1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：KR1020120158528

申请日：2012-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현석 ,  김선재 ,  김태상 ,  류명관 ,  박준석 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

IPC: H01L21/31 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101963226B1

公开(公告)日：2019-04-01

申请号：KR1020120021409

申请日：2012-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 손경석 ,  류명관 ,  김태상 ,  김현석 ,  박준석 ,  선종백 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

公开(公告)号：KR101830780B1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR1020110078206

申请日：2011-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 류명관 ,  선종백 ,  이상윤

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67098 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/265

Abstract: 박막의제조방법, 박막, 박막의제조장치및 전자소자가개시된다. 개시된박막의제조방법은박막형성용조성물을기판에도포하는단계및 상기도포된박막형성용조성물을감압열처리하는단계를포함한다. 개시된박막은 50Å초과내지 20000Å이하의두께및 1.85 내지 2.0의굴절률을갖는치밀층을포함한다.

Abstract translation: 公开了薄膜生产方法，薄膜，薄膜生产设备和电子装置。 所公开的制造薄膜的方法包括将薄膜组合物施加到基底上并对所施加的薄膜组合物进行减压热处理。 所公开的薄膜包括厚度大于50埃至20000埃或更小并且折射率为1.85至2.0的致密层。

公开(公告)号：KR101664958B1

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020100026314

申请日：2010-03-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 선종백 ,  김현재 ,  이상윤 ,  류명관 ,  신현수 ,  박경배 ,  정웅희 ,  김건희 ,  안병두

IPC: H01B1/08 ,  H01L29/786

Abstract: 아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 마그네슘을함유하는제3 화합물을포함하는산화물박막형성용용액조성물과상기용액조성물로부터형성되며아연, 인듐및 마그네슘을포함하는산화물반도체를포함하는전기소자를제공한다. 또한아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 하프늄을함유하는제3 화합물을포함하고, 상기아연과상기하프늄의원자수비율이 1:0.01 내지 1:1인산화물박막형성용용액조성물또한제공한다.

公开(公告)号：KR1020150025623A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130103430

申请日：2013-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태상 ,  선종백 ,  류명관 ,  정칠희

IPC: H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02565

Abstract: 반도체막 및 그 형성방법과 반도체막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 아연, 질소, 산소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 아연, 질소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 상기 반도체막의 형성을 위해, 스퍼터링(sputtering) 법, 이온 주입, 플라즈마 처리, 화학기상증착(CVD) 법, 용액 공정(solution process) 등을 이용할 수 있다. 상기 스퍼터링 법은 아연(Zn) 타겟 및 불소를 포함하는 반응 가스를 사용하여 수행할 수 있다. 상기 반응 가스는 질소 및 불소를 포함하거나, 질소와 산소 및 불소를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 提供半导体层，其形成方法，具有半导体层的晶体管和制造该晶体管的方法。 提供了包含Zn，N，O和F的半导体层及其形成方法。 提供了包含Zn，N和F的半导体层及其形成方法。 为了形成半导体层，可以使用溅射法，离子注入法，等离子体处理法，CVD法和溶液法。 可以通过使用Zn靶和包含F的反应气体来进行溅射法。反应气体可以包括N和F，或者可以包括N，O和F.

公开(公告)号：KR1020150019137A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130095597

申请日：2013-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이선희 ,  김억수 ,  류명관 ,  선종백

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: Disclosed are a thin film transistor with high mobility, a manufacturing method thereof, and a display including the same. The disclosed TFT with high mobility according to one embodiment of the present invention includes: source and drain electrodes which are separated from a gate electrode, a channel layer which is in contact with the source and drain electrodes and is separated from the gate electrode, a gate insulation layer which is formed between the gate electrode and the channel layer, and a buffer layer which is located between the gate insulation layer and the channel layer and is combined with oxygen and nitrogen on the interfaces of the channel layer and the gate insulation layer. The channel layer is a material layer based on zinc oxynitride. The buffer layer includes any one among Al, Sc, Y, Ti, V, and Cr.

Abstract translation: 公开了一种具有高迁移率的薄膜晶体管，其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示器。 根据本发明的一个实施例的所公开的具有高迁移率的TFT包括：与栅极分离的源极和漏极，与源极和漏极接触并与栅电极分离的沟道层， 形成在栅电极和沟道层之间的栅极绝缘层，以及位于栅极绝缘层和沟道层之间并与沟道层和栅极绝缘层的界面上的氧和氮结合的缓冲层 。 沟道层是基于氮氧化锌的材料层。 缓冲层包括Al，Sc，Y，Ti，V和Cr中的任一种。

公开(公告)号：KR1020140074742A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020120143031

申请日：2012-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 박준석 ,  김선재 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66742

Abstract: Disclosed are a transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the transistor. The disclosed transistor may include a channel layer containing metal nitroxide and a source electrode and a drain electrode in contact with first and second regions of the channel layer. The first and second regions of the channel layer may have a carrier concentration higher than the remaining region of the channel layer by being treated with plasma. The first and second regions may be regions treated with plasma containing hydrogen. The first and second regions may contain hydrogen. The first and second regions may have an oxygen concentration lower than the remaining region of the channel region. The first and second regions may have a nitrogen concentration higher than the remaining region of the channel layer. The metal nitroxide of the channel layer may include a ZnON-based semiconductor.

Abstract translation: 公开了晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括含有金属氮氧化物的沟道层和与沟道层的第一和第二区域接触的源电极和漏电极。 通过用等离子体处理，沟道层的第一和第二区域可以具有高于沟道层的剩余区域的载流子浓度。 第一和第二区域可以是用含有氢的等离子体处理的区域。 第一和第二区域可以含有氢。 第一区域和第二区域的氧浓度可以低于沟道区域的剩余区域。 第一和第二区域的氮浓度可以高于沟道层的剩余区域。 沟道层的金属氮氧化物可以包括ZnON基半导体。

公开(公告)号：KR101356238B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020070029179

申请日：2007-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이영관 ,  한정석 ,  이상윤

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08F2/34

CPC classification number: H05K3/02 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  C08J2367/02 ,  C08J2400/14 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/1142 ,  Y10T428/31504

Abstract: 본 발명은 기상중합을 통하여 전도성 고분자를 합성하고 바인더로 UV 경화성 고분자 수지를 사용함으로써, 고전도성, 고투명성, 유연성을 유지하면서도 간단한 공정으로 패터닝할 수 있는 전도성 고분자 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전도성 고분자 필름에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 전도성 고분자 필름은 LCD와 PDP를 비롯한 각종 디스플레이 장치, EL, TFT 등 전자 소재의 투명 전극 재료로 폭 넓게 이용될 수 있다.
전도성 고분자, UV-패터닝, UV 경화성 바인더, 산화제, 기상중합

公开(公告)号：KR1020130128280A

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：KR1020120052212

申请日：2012-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 선종백 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  박준석 ,  서석준 ,  손경석 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/2206 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742

Abstract: Disclosed is a transistor having a sulfur doped zinc oxynitride channel layer and a method for manufacturing the same. The transistor includes a ZnON channel layer doped with sulfur of 0.1-1.2 at.% with regard to a Zn content, a source and a drain electrode respectively formed in the first and the second region of the channel layer, and a gate insulating layer formed between the gate electrode and the channel layer, and a gate electrode corresponding to the channel layer.

Abstract translation: 公开了具有硫掺杂氮氧化锌通道层的晶体管及其制造方法。 所述晶体管包括相对于Zn含量掺杂有0.1-1.2原子％的硫的ZnON沟道层，分别形成在沟道层的第一和第二区域中的源极和漏极，以及形成栅极绝缘层 在栅电极和沟道层之间，以及对应于沟道层的栅电极。

公开(公告)号：KR1020130063408A

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：KR1020110129910

申请日：2011-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 박준석 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤 ,  서석준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/06

Abstract: PURPOSE: A transistor, a method for manufacturing the same, and an electronic device including the transistor are provided to secure a high mobility and to restrain the change of characteristics due to light. CONSTITUTION: A gate(G1) is positioned on a substrate(SUB1). A gate insulating layer(GI1) covering the gate is positioned on the substrate. A channel layer(C1) made of oxide semiconductor is positioned on the gate insulating layer. A source electrode(S1) is contacted with the one end of the channel layer. A drain electrode(D1) is contacted with the other end of the channel layer. A protection layer(P1) covering the channel layer, the source electrode, and the drain electrode is positioned on the gate insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包括晶体管的电子器件，以确保高迁移率并且抑制由于光引起的特性变化。 构成：门（G1）位于衬底（SUB1）上。 覆盖栅极的栅极绝缘层（GI1）位于基板上。 由氧化物半导体构成的沟道层（C1）位于栅极绝缘层上。 源电极（S1）与沟道层的一端接触。 漏电极（D1）与沟道层的另一端接触。 覆盖沟道层，源极和漏极的保护层（P1）位于栅极绝缘层上。