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公开(公告)号：KR1020170134526A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020177030988
申请日：2016-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/06 , H04B7/0413 , H04L5/00 , H04L25/02
CPC classification number: H04L5/0048 , H04B7/04 , H04B7/06 , H04L5/00 , H04L25/02 , H04W24/08 , H04B7/0626 , H04B7/0413 , H04B7/0697 , H04L5/0023 , H04L25/0202
Abstract: 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 이를위한, 대규모안테나를사용하는기지국이기준신호의전송을위해다수의기준신호구성정보들과기준신호포트정보를포함하는기준신호자원구성정보를단말로전송하고, 상기기준신호자원구성정보에포함된상기다수의기준신호구성정보들과상기기준신호포트정보에의해지시된채널측정자원들중 일부또는전부를사용하여상기기준신호를상기단말로전송한다. 이경우, 상기채널측정자원들은상기다수의기준신호구성정보들과상기기준신호포트정보의조합에의해지시되는개수만큼의안테나포트들에대응할수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及在诸如LTE的4G通信系统之后支持更高数据速率的5G或5G前通信系统。 发送多个参考信号资源配置信息包括参考信号信息和配置信息的参考信号端口信息为此，基站使用所述大天线向终端这些标准信号的发送和包含在参考信号资源配置信息 使用一些或全部由参考信号端口信息和所述多个参考信号配置信息指示的测量的信道资源和所述参考信号到所述移动台发送。 在这种情况下，信道资源可对应于通过的参考信号端口信息和所述多个参考信号配置信息的组合mankeumui指示的天线端口的数目进行测量。
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公开(公告)号：KR1020170112945A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160144884
申请日：2016-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본개시는이동통신시스템에서기기간 통신과셀룰라통신의공존방법및 장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170112897A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160102763
申请日：2016-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명은주기적채널상태보고모드설정을위한 first PMI 보고시점설정방법및 이에따르는주기적채널상태보고모드설정방법을제안하고이에따라주기적채널상태보고모드설정이원활히하도록하는방법을개시한다.
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公开(公告)号：KR1020170048030A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148882
申请日：2015-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김영범 , 반리에샤우트,게르트잔 , 곽용준 , 여정호
CPC classification number: H04L5/14 , H04L5/003 , H04L5/0055 , H04W72/1289
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스(예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명의실시예에따른방법은, 무선통신시스템에서데이터스케쥴링방법에있어서, 현재서브프레임에서, 이전서브프레임의인밴드시그널의수신여부를확인하는과정; 및상기인밴드시그널을수신한경우, 아웃밴드시그널의검출없이, 상기인밴드시그널의제어정보에근거하여, 데이터를디코딩하는과정을포함함을특징으로한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种通信技术及其系统，其融合具有IoT技术的5G通信系统以支持比4G系统更高的数据速率。 本实用新型是针对智能服务（例如，基于5G的技术和物联网相关技术，智能家居，智能楼宇，智能城市，智能卡，或连接汽车，医疗，数字教育，零售，保安和安全服务， ），它可以被应用。 根据本发明实施例的方法是一种无线通信系统中的数据调度方法，包括：检查当前子帧中是否接收到前一子帧的带内信号; 并且当接收到频带信号时，基于频带信号的控制信息解码数据而不检测带外信号。
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Patent Agency Ranking36.发明公开
公开(公告)号：KR1020140036538A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020120102755
申请日：2012-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/2006 , G03F7/20 , G03F7/70025 , G03F7/70916 , H05G2/003 , H05G2/006 , H05G2/008
Abstract: An extreme ultraviolet ray generation device includes a base material supply unit, a laser irradiation unit, a light collection unit, and a guide unit. The base material supply unit supplies base material for generating extreme ultraviolet rays. The laser irradiation unit irradiates laser using the base material supplied from the base material supply unit and generates extreme ultraviolet rays. The light collection unit collects the extreme ultraviolet rays generated by the laser irradiation unit. The guide unit guides the base material to a position to which the laser is irradiated. The guide unit includes at least one gas spray hole for spraying gas between the base material supply unit and the position to which the laser is irradiated to form a gas curtain surrounding the base material. By doing so, it is possible to guide the base material to the exact position to which the laser is irradiated and prevent the light collection unit from being contaminated by particulates.
Abstract translation: 极紫外线产生装置包括基材供给单元，激光照射单元，光收集单元和引导单元。 基材供给单元供给用于产生极紫外线的基材。 激光照射单元使用从基材供给单元供给的基材照射激光，并产生极紫外线。 光收集单元收集由激光照射单元产生的极紫外线。 引导单元将基材引导到激光照射到的位置。 引导单元包括至少一个气体喷射孔，用于在基材供应单元和激光被照射的位置之间喷射气体，以形成围绕基材的气幕。 通过这样做，可以将基材引导到激光照射到的确切位置，并防止光收集单元被微粒污染。
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公开(公告)号：KR1020140014509A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120080626
申请日：2012-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B11/24 , G01B11/26 , G03F9/7034
Abstract: A level sensor of an exposure apparatus is disclosed. The level sensor comprises: a light source irradiating the surface of a wafer with light; a projecting unit having a first slit which the light from the light source passes through and is single, not a periodic grid; and a detecting unit having a second slit which light reflected from the surface of the wafer passes through and is single, not a periodic grid; and a detector detecting the reflected light passing through the second slit of the detecting unit.
Abstract translation: 公开了一种曝光装置的液位传感器。 液位传感器包括：用光照射晶片表面的光源; 投影单元，具有来自光源的光通过并且是单一的不是周期性栅格的第一狭缝; 以及检测单元，其具有从晶片表面反射的光通过并且是单一的不是周期性栅格的第二狭缝; 以及检测器，检测通过检测单元的第二狭缝的反射光。
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公开(公告)号：KR1020130079006A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120000236
申请日：2012-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method for monitoring semiconductor equipment is provided to reduce measurement errors by using a Moire interferometer for directly measuring a bare substrate or wafer chuck. CONSTITUTION: A free pattern beam is reflected from an object device to form a pattern beam (S11). The pattern beam passes through a first grating. A Moire interference pattern is formed (S12). The Moire interference pattern is analyzed. The height map of the object device is produced (S13). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Source beam passes through a first grating and foms a free pattern beam; (S11) Free pattern beam is reflected from an object device to form a pattern beam; (S12) Pattern beam passes through a first grating. A Moire interference pattern is formed; (S13) Moire interference pattern is analyzed. The height map of the object device is produced
Abstract translation: 目的：提供一种用于监测半导体设备的方法，以通过使用用于直接测量裸基板或晶片卡盘的莫尔干涉仪来减少测量误差。 构成：自由图案光束从对象装置反射以形成图案光束（S11）。 图案光束通过第一光栅。 形成莫尔干涉图案（S12）。 分析了莫尔干涉图案。 产生对象装置的高度图（S13）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）源光束通过第一光栅并且形成自由图案光束; （S11）自由图案光束从对象装置反射以形成图案光束; （S12）图案光束通过第一光栅。 形成莫尔干涉图案; （S13）分析莫尔干涉图案。 生成对象设备的高度图
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公开(公告)号：KR1020120000163A
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020100060352
申请日：2010-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/7085 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: An overlay measurement method is provided to precisely measure the overlay between upper and lower patterns from a virtual image before performing a patterning process with respect to an upper film, thereby repairing the upper film without discarding a semiconductor substrate. CONSTITUTION: First information with respect to a first structure is acquired(ST130). A second auxiliary structure is arranged on the first structure(ST140). The first structure and second auxiliary structure are arranged(ST150). Second information with respect to the second auxiliary structure is acquired(ST160). Virtual information is acquired by synthesizing the first information and second information(ST170). A virtual overlay between the first structure and second structure is measured from the virtual information(ST180).
Abstract translation: 目的：提供一种覆盖测量方法，用于在执行相对于上部膜的图案化处理之前，从虚拟图像精确地测量上部和下部图案之间的覆盖，从而修复上部膜而不丢弃半导体衬底。 规定：获取关于第一结构的第一信息（ST130）。 在第一结构上设置第二辅助结构（ST140）。 布置第一结构和第二辅助结构（ST150）。 获取关于第二辅助结构的第二信息（ST160）。 通过合成第一信息和第二信息来获取虚拟信息（ST170）。 从虚拟信息测量第一结构和第二结构之间的虚拟覆盖（ST180）。
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公开(公告)号：KR1020110054393A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111015
申请日：2009-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/20
CPC classification number: G01N21/9501 , G03F7/70641 , G03F7/7085 , G03F7/70991
Abstract: PURPOSE: A method for measuring the focus change of a photolithography device and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to improve productivity by rapidly measuring the focus change on a wafer region. CONSTITUTION: A photo mask and a wafer are inputted to a photolithography device(S10). Light for measurement is irradiated to the wafer. The image of an optical pattern is transferred on the photoresist layer by using an ultraviolet ray(S20). The photoresist layer is baked(S30). The photoresist layer is inspected(S40). The inspection result of the photoresist layer is analyzed(S50).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量光刻设备的聚焦变化的方法和用于制造半导体器件的方法，以通过快速测量晶片区域上的聚焦变化来提高生产率。 构成：将光掩模和晶片输入到光刻设备（S10）。 用于测量的光照射到晶片。 通过使用紫外线将光学图案的图像转印到光致抗蚀剂层上（S20）。 烘烤光致抗蚀剂层（S30）。 检查光致抗蚀剂层（S40）。 分析光致抗蚀剂层的检查结果（S50）。
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