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公开(公告)号：KR1019980037353A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056098
申请日：1996-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 스트링 셀 전류의 증대를 제공하기 위한 반도체 메모리 소자의 구조는, 메모리 셀 트랜지스터의 게이트 유전막 두께를 그 바깥쪽에 설치될 제어 트랜지스터의 게이트 유전막 두께보다 얇게 형성하기 위해, 상기 제어 트랜지스터의 유전막을 열산화법으로 소정의 두께로 성장시킨 다음, 상기 제어 트랜지스터 안쪽에 다수의 메모리 셀 트랜지스터 영역만을 한정하여 사진공정으로 패턴을 노출시켜 습식식각으로 상기 산화막을 제거하고 메모리 셀 트랜지스터의 게이트 유전막을 성장시키고, 최종 공정에서 메모리 셀 트랜지스터의 채널폭보다 제어 트랜지스터의 채널폭이 같거나 커지도록 하기 위해, 상기 제어 트랜지스터가 형성될 영역의 소자활성 영역의 폭을 메모리 셀 트랜지스터가 형성될 영역의 소자활성 영역의 폭보다 넓게 형성한 것을 특징으� �� 한다.
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公开(公告)号：KR100138312B1
公开(公告)日：1998-04-28
申请号：KR1019940010489
申请日：1994-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/11536
Abstract: 본 발명은 메모리셀 배열부와 주변회로부를 갖는 비휘발성 메모리 장치의 제조방법에 있어서, 상기 반도체 기판상에 필드산화막을 형성하여 소자형성 영역 및 소자분리 영역을 형성하는 단계와, 상기 필드산화막이 형성된 기판의 전면에 제1유전체층을 형성하는 단계와, 상기 제1유전체층상에 제1도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1도전층을 패터닝하여 상기 메모리셀 배열부 및 상기 주변회로부에 제1도전 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1도전 패턴이 형성된 기판의 전면에 제2유전체층을 형성하는 단계와, 상기 주변회로부에 형성된 상기 제2유전체층과 상기 제1도전 패턴을 고선택비를 이용하여 선택적으로 식각하는 단계와, 상기 주변회로부에 형성된 상기 제1도전층과 상기 제1유전체층을 고선택비를 이용하여 선택적으로 식각하여 상기 주변회� �부의 기판 표면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 주변회로 영역의 기판 위에 제3유전체층을 형성하는 단계와, 상기 제3유전체층이 형성되어 있는 기판의 전면에 제2도전층을 형성하는 단계와, 및 상기 제2도전층, 제2유전체층, 제3유전체층 및 제1도전 패턴을 소정 패턴으로 패터닝하여 주변회로부의 게이트 전극과 셀 배열부의 제어 게이트, 부유 게이트 및 상부 유전층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치는 필드산화막의 감소 현상 및 실리콘 표면의 핏팅 현상을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970003276A
公开(公告)日：1997-01-28
申请号：KR1019950018971
申请日：1995-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 제1도전형의 반도체기판에 형성된 전기휴즈셀에 관한 것으로서, 상기 반도체기판과는 제2도전형의 웰에 의해격리된 제1도전형의 웰과, 상기 제1도전형의 웰내에서 서로 소정거리로 이격되어 형성된 제2도전형의 제1 및 제2확산영역과, 상기 제1확산영역내에 형성된 제1도전형의 확산영역과, 상기 반도체기판의 상부에 형성되고 상기 제1확산영역에 연결된 도전층을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019960036087A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950005143
申请日：1995-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 트랜지스터간의 절연특성을 개선할 수 있는 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 반도체 기판 상에 채널저지층을 형성하고 펄드산화막을 형성하여 소자형성 영역 및 소자분리 영역을 한정한 다음 상기 결과물 전면에 제1 유전층 및 제1 도전층을 차례로 형성한 다음 패터닝한다. 이어서 패터닝된 상기 제1 도전층 상에 제2 유전층 및 제2 도전층을 차례로 형성하고, 상기 2도전층 제2유전층, 제1 도전층,및 제1 유전층을 차례로 패터닝하여 워드라인을 형성한 다음, 필드산화막의 일부영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 채널저지층과 동일한 도전형의 불순물을 추가로 이온주입하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 다음, 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인을 형성한다. 본 발명에, 의하면 소자간 절연능력의 저하를 방지함과 동시에 고에너지 이온주입 장치의 필요, 고정밀도를 요구하는 사진 공정상의 어려움 및 단위 메모리 셀 전류용량이 감소하는 문제점을 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930012126B1
公开(公告)日：1993-12-24
申请号：KR1019900020898
申请日：1990-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/148
Abstract: The charge coupled device (CCD) type image sensor is mfd. by (a) forming a first gate insulating film (44) and a first electroconductive layer (46) on the semiconductor substrate (42) and forming a pattern, (b) removing an exposed layer (46) by the anisotropic etching to form a first gate (46a), (c) isotropic etching the film (44) to protrude a side surface of the gate (46a), (d) forming a second gate insulating film (50) on the substrate (42), and (e) covering a second electroconductive layer (54) on the substrate (42) and forming a pattern to form a second gate (54a).
Abstract translation: 电荷耦合器件（CCD）型图像传感器是mfd。 通过（a）在半导体衬底（42）上形成第一栅极绝缘膜（44）和第一导电层（46）并形成图案，（b）通过各向异性蚀刻去除暴露层（46）以形成 第一栅极（46a），（c）各向同性蚀刻膜（44）以使栅极（46a）的侧表面突出，（d）在基板（42）上形成第二栅极绝缘膜（50），（e ）覆盖所述衬底（42）上的第二导电层（54）并且形成图案以形成第二栅极（54a）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930011307A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019910020949
申请日：1991-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 이 발명은 CCD형 고체 촬영소자의 제조방법에 관한 것으로, 평탄화된 보호막 형성에 의해 염색층 균일도 개선 및 수직 단차 감소와 더불어 동일 굴절율을 갖는 물질로 광전변환부내를 형성함으로써 다층막에 의한 굴절현상을 방지할 수 있어 수광저하를 방지할 수 있다. 따라서 광전변환부로 입사된 빛을 최대로 이용하여 집광능력을 높여 감도를 향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130123671A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046972
申请日：2012-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R19/165 , G01R31/02
CPC classification number: G01R31/041 , H01R13/641 , H01R24/58 , H04M1/6058 , H04R1/1033 , H04R2420/09
Abstract: The present invention relates to a device for recognizing earphones. The present invention includes a detection terminal for sensing the insertion of an earjack plug; and a comparator which compares the size of a voltage inputted from the detection terminal to a preset reference voltage and provides a corresponding compared input signal to a baseband module. Resistance having a constant resistance value is interposed between the detection terminals for continuously maintaining high signals not to fall below a set reference voltage even when foreign substances enter into an earjack and cause current flow, thereby preventing malfunction of an electronic device and improving the reliability.
Abstract translation: 本发明涉及用于识别耳机的装置。 本发明包括用于感测耳塞插头插入的检测端子; 以及比较器，其将从检测端子输入的电压的大小与预设的参考电压进行比较，并将相应的比较输入信号提供给基带模块。 即使外来物质进入ear ack而导致电流流动，也可以在检测端子之间插入具有恒定电阻值的电阻，用于连续地保持不低于设定参考电压的高信号，从而防止电子设备的故障并提高可靠性。
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公开(公告)号：KR100703363B1
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020000002376
申请日：2000-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정형
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 이동 무선 단말기에서 액티브 소자의 바이어스를 가변하는 방법에 있어서, 검출된 수신신호의 세기가 임계치 보다 크면 상기 액티브 소자의 바이어스를 유지하는 단계와, 상기 검출된 수신신호의 세기가 임계치 보다 작으면 상기 액티브 소자의 바이어스를 낮추는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
ACTIVE DEVICE, 이동무선단말기 수신부, BIAS, PDM 제어신호, 모뎀 칩.-
公开(公告)号：KR100651545B1
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：KR1019990017515
申请日：1999-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정형
IPC: H04B1/40
Abstract: 무선단말 수신기의 저잡음 증폭장치가, 입력신호를 정합하는 입력정합기와, 공통 소오스-공통 게이트 구조를 갖는 제1 및 제2트랜지스터들을 구비하며 입력정합기에서 출력되는 신호를 저잡음으로 증폭하는 증폭기와, 제2트랜지스터의 출력단과 제1트랜지스터의 입력단 사이에 연결되는 부궤환기와, 증폭기의 출력을 정합하는 출력정합기로 구성된다.
LNA, 수신기, RF수신기-
公开(公告)号：KR1020060082478A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050002984
申请日：2005-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/40
Abstract: 원자층 증착 기술을 이용한 실리콘 도핑된 금속 산화막 형성 방법들을 제공한다. 이 방법들은 금속 산화막 형성 사이클을 K회 반복하는 단계 및 실리콘 도핑된 금속 산화막 형성 사이클을 Q회 반복하는 단계를 구비한다. 상기 K 및 Q는 각각 1 이상 10 이하의 정수이다. 상기 금속 산화막 형성 사이클은 상기 반응기에 금속 원료 가스를 주입하고, 산화 가스를 주입하는 단계를 구비한다. 상기 실리콘 도핑된 금속 산화막 형성 사이클은 상기 반응기에 실리콘을 함유하는 금속 원료 가스를 주입하고, 산화 가스를 주입하는 단계를 구비한다. 상기 금속 산화막 형성 사이클을 K회 반복하는 단계 및 상기 실리콘 도핑된 금속 산화막 형성 사이클을 Q회 반복하는 단계를 적어도 1회 실시하여 원하는 두께의 실리콘 도핑된 금속 산화막을 형성한다. 이에 더하여, 실리콘 도핑된 하프늄 산화막(Si doped HfO
2 ) 형성 방법 또한 제공된다.
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