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公开(公告)号：KR1019990026589A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970048788
申请日：1997-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창오
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 평판 표시 장치용 기판에 관한 것으로서, 다수의 화소 영역 가장자리 둘레에 양단이 데이터선과 연결되어 있는 데이터 링이 형성되어 있다. 데이터선이 오픈되는 경우에 인가된 데이터 신호는 데이터 링을 통하여 화소 영역의 둘레로 우회하여 전달된다.
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公开(公告)号：KR100161466B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019950044896
申请日：1995-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 마스크 공정 수를 줄이면서 액정표시장치를 제조할 수 있는 액정표시장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 의하면, 5번의 마스크 공정으로 액정표시장치를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 게이트 전극으로 힐락의 발생을 억제할 수 있는 알루미늄 합금을 사용하여 양극산화 과정을 생략할 수 있고, 또한 주변 IC와 게이트 패드를 직접 접속하는 액정표시장치를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101168729B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020050074834
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/4908
Abstract: 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 은(Ag) 산화물을 포함하는 하부막 및 하부막 상에 형성된 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 은(Ag) 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 은(Ag), 은(Ag) 산화물, 하부막Abstract translation: 布线结构，布线形成方法，薄膜晶体管基板及其制造方法。 形成在下部膜含有银（Ag）或银（Ag）合金布线结构和形成在所述下部结构包括：（Ag）的导电层含有银（Ag）氧化物的下层。
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公开(公告)号：KR101168728B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020050064483
申请日：2005-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 구리 질화물을 포함하는 배리어막 및 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 배리어막-
公开(公告)号：KR101018758B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020030071706
申请日：2003-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 기판 위에 금속 배선과 대응하는 부분에 투과부를 가지는 마스크 패턴을 정렬하는 단계, 투과부를 통해 노출되는 기판 위에 선택적으로 금속을 증착하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
박막트랜지스터, 마스크, 스퍼터링, 금속배선-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101006452B1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020030059906
申请日：2003-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 플라즈마(plasma) 방전을 이용한 스퍼터링(sputtering)을 통해 글래스(glass) 상에 박막을 균일하게 형성할 수 있도록 한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 챔버부와; 상기 챔버부 내에 설치되는 글래스지지부와; 상기 글래스지지부와 대향되도록 상기 챔버부 내에 설치되는 타겟부를 포함하는 스퍼터링 장치에 있어서, 타겟부(40)는 복수개로 분할 형성되며, 전원공급부(PS1,PS2,PS3)로부터 개별적으로 전원을 공급받을 수 있는 캐소드(42)와; 캐소드(42)에 연결되는 백킹플레이트(44)와; 백킹플레이트(44)에 장착되는 타겟(46)과; 분할된 캐소드(42)를 온/오프 작동에 의해 상호 전기적으로 연결 또는 단락시키는 스위치(48)를 포함하여 구성된다. 이에 따라, 캐소드를 일체형 또는 분할형 타겟에 겸용으로 사용 가능하여 스퍼터링 장치의 기능성 및 사용성을 향상시킬 수 있다.
챔버부, 글래스지지부, 캐소드, 백킹플레이트, 타겟, 스위치-
公开(公告)号：KR101000451B1
公开(公告)日：2010-12-13
申请号：KR1020040007678
申请日：2004-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 본 발명은, TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이를 이용한 TFT LCD 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 방법은, 산소, 질소, 탄소로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 불순물의 전구체 가스가 존재하는 분위기에서 기판 소재 상에 몰리브덴층을 증착하는 단계와, 상기 몰리브덴층의 상부에 (111)우선방위를 가지는 알루미늄층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 내 힐록 특성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 TFT LCD 기판을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080051274A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060122041
申请日：2006-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , H01L29/458
Abstract: A thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof are provided to improve an adhesive force between a pixel electrode and a drain electrode by contacting the edge of a lower layer with the pixel electrode through a contact hole. A gate line is formed on an insulation substrate(110), and a semiconductor is formed on the gate insulating layer. A data conductor(175) is formed on the semiconductor, and has a first metal layer comprising Mo, a second layer comprising Al, and a first contact hole for exposing the gate insulating layer. A protective layer(180) having a second contact hole(185) for exposing the first contact hole is formed on the data conductor. A pixel electrode(191) is connected to the first metal layer and the second metal layer via the first and second contact holes.
Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，通过接触孔使下层的边缘与像素电极接触来提高像素电极与漏电极之间的粘合力。 在绝缘基板（110）上形成栅极线，并且在栅极绝缘层上形成半导体。 数据导体（175）形成在半导体上，并且具有包括Mo的第一金属层，包含Al的第二层和用于暴露栅极绝缘层的第一接触孔。 具有用于暴露第一接触孔的第二接触孔（185）的保护层（180）形成在数据导体上。 像素电极（191）经由第一和第二接触孔与第一金属层和第二金属层连接。
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公开(公告)号：KR100670039B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1019980011154
申请日：1998-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창오
IPC: H01L29/786
Abstract: 다결정 규소 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 절연 기판 위에 바탕 절연막을 적층하고, 바탕 절연막 위에 다결정 규소 조각을 형성하고, 다결정 규소 조각 위에 제1 및 제2 게이트 절연막을 적층한다. 제2 게이트 절연막 위에 게이트 금속을 적층하고 게이트 금속층 위에 감광제를 도포, 노광, 현상한 다음, 습식 식각하여 게이트 전극을 형성한다. 게이트 전극 형성시에 식각 차단층으로 사용된 감광제를 다시 식각 차단층으로 사용하여 제2 게이트 절연막을 건식 식각한 후, 다결정 규소 조각에 불순물 이온을 고농도로 주입한다. 이렇게 하면, LDD 영역 형성을 위해 추가되었던 감광제의 도포, 노광, 현상 공정이 생략되어 생산성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070063372A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050123526
申请日：2005-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) display panel is provided to prevent a low resistive metal line from being mechanically chemically damaged due to post processes by covering the low resistive metal line using a reflow process on a photoresist layer. A gate line is formed on a substrate(110). A gate insulating layer, an undoped amorphous silicon layer, a doped amorphous silicon layer and a conductive layer are sequentially deposited on the gate line. A photoresist pattern is formed on the conductive layer. The photoresist pattern includes a first portion(52a) and a second portion(54a). A conductor pattern is formed on the resultant structure by etching selectively a conductor using the photoresist pattern as an etch mask. A first reflow process is performed on the photoresist pattern.
Abstract translation: 提供一种用于制造TFT（薄膜晶体管）显示面板的方法，以通过在光致抗蚀剂层上使用回流工艺覆盖低电阻金属线来防止低电阻金属线由于后处理而被机械化学损坏。 在基板（110）上形成栅极线。 栅极绝缘层，未掺杂的非晶硅层，掺杂的非晶硅层和导电层依次沉积在栅极线上。 在导电层上形成光刻胶图形。 光致抗蚀剂图案包括第一部分（52a）和第二部分（54a）。 通过使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻导体作为蚀刻掩模，在所得结构上形成导体图案。 在光致抗蚀剂图案上进行第一回流处理。
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