公开(公告)号：KR101171175B1

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020040088809

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성호 ,  조홍제

IPC: C09K13/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 65 내지 75중량%의 인산, 0.5 내지 15중량%의 질산, 2 내지 15중량%의 아세트산, 0.1 내지 8.0%의 칼륨 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 사진 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
식각액, 칼륨 화합물, 염기성 질소 화합물, 언더컷, 프로파일

公开(公告)号：KR101129433B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020050044153

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열 ,  정종현 ,  신원석

IPC: G02F1/136

Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 기판 상에 트랜지스터 박막 패턴을 형성하는 단계, 보호막을 형성하는 단계, 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 화소영역을 형성하는 단계, 서로 분리된 화소전극 및 도전막을 형성하는 단계, 스트립핑 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 상기 포토레지스트 표면에 증착된 도전막을 기판으로부터 분리하는 스트립핑 단계 및 도전막 용해 단계를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터의 제조방법에 따르면 박막트랜지스터 기판의 제조시 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있으며, 상기 스트립핑 조성물은 재활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080070449A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020070008594

申请日：2007-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진 ,  이지선

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67075 ,  G02F1/1303 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68714

Abstract: A wet etching apparatus and an etching method using the same are provided to detect an etching end point in various position by uniformly injecting etching liquid onto a substrate. A wet etching apparatus(10) includes a chamber(100), a conveyer(110), a movable support(120), a nozzle(112,114,116) and an etching end point detection device(130). The chamber has a space in which a glass substrate is positioned in the inside thereof. The conveyer moves the glass substrate in the inside of the chamber. The movable support is mounted on the glass substrate and moves the glass substrate in a direction different from the moving direction of the movable support. The nozzle is positioned in the inside of the chamber and injects etching liquid onto the glass substrate. And the etching end point detection device detects an etching end point in the chamber.

Abstract translation: 提供一种湿式蚀刻装置和使用该方法的蚀刻方法，通过将蚀刻液均匀地注入到基板上来检测各种位置的蚀刻终点。 湿蚀刻装置（10）包括腔室（100），输送器（110），可移动支撑件（120），喷嘴（112,114,116）和蚀刻终点检测装置（130）。 该室具有玻璃基板位于其内部的空间。 输送机将玻璃基板移动到室内。 可移动支撑件安装在玻璃基板上，并使玻璃基板沿与可动支架的移动方向不同的方向移动。 喷嘴位于腔室的内部，并将蚀刻液体注入到玻璃基底上。 并且蚀刻终点检测装置检测室中的蚀刻终点。

公开(公告)号：KR1020080049273A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：KR1020060119665

申请日：2006-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  박홍식 ,  황보상우 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: C03C15/00

CPC classification number: C03C15/00 ,  C09K13/04

Abstract: A treatment method of glass substrate is provided to obtain improved glass substrate economically by employing conventional etchant. A treatment method of glass substrate comprises steps of: preparing etchant; and treating glass substrate with the prepared etchant. The glass substrate is soda-lime glass substrate, and the treatment is carried out in a process comprising: pouring the etchant in a vessel; and soaking the glass substrate in the etchant. The etchant is maintained at 40-50deg.C and the glass substrate is soaked in the etchant for 3-30 minutes. The etchant comprises: phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, additive and deionized water; sulfuric acid, additive and deionized water; hydrochloric acid, nitric acid and deionized water; or Ce(NH4)2(NO3)6, nitric acid and deionized water.

Abstract translation: 提供玻璃基板的处理方法，通过使用常规的蚀刻剂经济地获得改进的玻璃基板。 玻璃基板的处理方法包括以下步骤：制备蚀刻剂; 并用制备的蚀刻剂处理玻璃基板。 玻璃基板是钠钙玻璃基板，处理过程包括：将蚀刻剂倾倒在容器中; 并将玻璃基板浸入蚀刻剂中。 将蚀刻剂保持在40-50℃，将玻璃基材浸入蚀刻剂中3-30分钟。 蚀刻剂包括：磷酸，硝酸，乙酸，添加剂和去离子水; 硫酸，添加剂和去离子水; 盐酸，硝酸和去离子水; 或Ce（NH 4）2（NO 3）6，硝酸和去离子水。

公开(公告)号：KR1020080045966A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020060115295

申请日：2006-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  이병진

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123

Abstract: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to reduce the number of etching masks and reduce a defect generated in forming pixel electrodes by avoiding lift-off. A thin film transistor substrate(100) includes gate wiring formed on an insulating substrate(10), including gate lines(22_1,22_2), gate electrodes(26_1,26_2), and maintenance electrodes(27_1,27_2) made of a first conductive material for gate wiring and a second conductive material for gate wiring, and gate ends(24_1) made of a first conductive material for gate wiring. Data wiring includes data lines(62) crossing the gate lines, and source and drain electrodes(65,66) formed on the gate electrodes, separated from each other. Pixel electrodes(82) are electrically connected with the drain electrodes. Auxiliary gate ends(84) are electrically connected with the gate ends, made of the same material as the pixel electrodes.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以减少蚀刻掩模的数量，并通过避免剥离来减少在形成像素电极时产生的缺陷。 薄膜晶体管基板（100）包括形成在绝缘基板（10）上的栅极布线，包括栅极线（22_1,22_2），栅极电极（26_1,26_2）以及维修电极（27_1,27_2），其由第一导电 用于栅极布线的材料和用于栅极布线的第二导电材料，以及由用于栅极布线的第一导电材料制成的栅极端部（24_1）。 数据布线包括与栅极线交叉的数据线（62）以及形成在栅电极上的彼此分离的源极和漏极（65,66）。 像素电极（82）与漏电极电连接。 辅助栅极端（84）与栅极端电连接，栅极端部由与像素电极相同的材料制成。

公开(公告)号：KR1020080030798A

公开(公告)日：2008-04-07

申请号：KR1020060097142

申请日：2006-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  김상갑 ,  박홍식

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  G02F1/136227

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor is provided to reduce a critical dimension skew by dry-etching a transparent conductive layer without indium to form a pixel electrode. A gate wire including a gate line(22) and a gate electrode(26) is formed on an insulating substrate(10). A data wire including a source electrode(65) and a drain electrode(66) is formed to be insulated with the gate wire. A protective layer(70) is formed to cover the gate and data wires. The protective layer is etched to form a contact hole exposing the drain electrode. A transparent conductive layer without an indium element is deposited on the exposed drain electrode and the protective layer. The protective layer is dry-etched to form a pixel electrode(82). The transparent conductive layer is formed of one selected from a group consisting of ZAO(Al doped ZnO), ZGO(Ga doped ZnO), ZnO(Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), and FTO(Fluorine doped Tin Oxide).

Abstract translation: 提供一种用于制造薄膜晶体管的方法，以通过对不含铟的透明导电层进行干蚀刻来形成像素电极来减小临界尺寸偏斜。 在绝缘基板（10）上形成包括栅极线（22）和栅电极（26）的栅极线。 包括源电极（65）和漏电极（66）的数据线形成为与栅极线绝缘。 形成保护层（70）以覆盖栅极和数据线。 蚀刻保护层以形成露出漏电极的接触孔。 没有铟元素的透明导电层沉积在暴露的漏电极和保护层上。 干蚀刻保护层以形成像素电极（82）。 透明导电层由选自ZAO（掺杂Al的ZnO），ZGO（Ga掺杂的ZnO），ZnO（氧化锌），ZTO（锌酸锌））和FTO（掺杂氟的氧化锡）组成的组中的一种形成。

公开(公告)号：KR1020080024763A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020060089312

申请日：2006-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  김상갑 ,  박홍식 ,  진홍기 ,  정유광 ,  최승하

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L29/458

Abstract: A thin film transistor display panel and its fabrication method are provided to obtain low resistance of wirings and the reliability. A gate line(121) is formed on an insulation substrate. A gate insulating layer is formed on the gate line. A semiconductor(151) is formed on the gate insulating layer. Ohmic contacts are formed on the semiconductor. A data line(171) is formed on the ohmic contacts and includes a source electrode(173). A drain electrode faces the source electrode. A pixel electrode is connected with the drain electrode. At least one of the data line and the drain electrode includes the first contact layer, the second contact layer including a conductive oxide, and a conductive layer containing silver or a silver alloy.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以获得较低的布线电阻和可靠性。 在绝缘基板上形成栅极线（121）。 在栅极线上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体（151）。 在半导体上形成欧姆接触。 数据线（171）形成在欧姆接触上，并包括源电极（173）。 漏电极面对源电极。 像素电极与漏电极连接。 数据线和漏电极中的至少一个包括第一接触层，第二接触层包括导电氧化物，以及包含银或银合金的导电层。

公开(公告)号：KR1020080021952A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020060085212

申请日：2006-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  정종현 ,  박홍식 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66757

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor display panel is provided to decrease the number of manufacturing processes and reduce a manufacturing cost, by forming pixel electrodes along with the gate lines using one mask. Undercut portions of photoresist portions are removed to form photoresist portions having reduced thicknesses and boundaries that are the same as those of underlying data lines(171) and drain electrodes(175), by using an etch-back process. Exposed impurity semiconductor layers are removed using the photoresist portions as an etch mask to form ohmic contacts(163a,165a), and then the photoresist portions are removed. The boundaries of the data lines and drain electrodes are the same as those of the ohmic contacts and a semiconductors(154a). A first insulating layer and a second insulating layer are deposited and etched to form an insulating pattern including column spacers and a passivation layer(180).

Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管显示面板的方法，通过使用一个掩模与栅极线一起形成像素电极来减少制造工艺的数量并降低制造成本。 去除光致抗蚀剂部分的底切部分以通过使用回蚀工艺形成具有与底层数据线（171）和漏电极（175）相同的厚度和边界的光致抗蚀剂部分。 使用光致抗蚀剂部分作为蚀刻掩模去除曝光的杂质半导体层以形成欧姆接触（163a，165a），然后除去光致抗蚀剂部分。 数据线和漏极的边界与欧姆接触和半导体（154a）的边界相同。 沉积和蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以形成包括柱间隔物和钝化层（180）的绝缘图案。

公开(公告)号：KR100767379B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020010078397

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철 ,  박애나 ,  박홍식

IPC: H01L29/786

Abstract: 먼저, 기판의 상부에 알루미늄 합금의 도전막을 차례로 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬의 하부막과 알루미늄 합금의 상부막으로 이루어질 도전층을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이때, 크롬의 하부막은 8-12%의 Ce(NH
4 )
2 (NO
3 )
6 과 4-12%의 질산(NH
3 )과 나머지 초순수로 이루어진 식각액을 이용하여 습식 식각으로 패터닝하며, 식각액에서 질산이 4-8%인 경우에는 4-8%의 질산과 초순수로 이루어진 세정액을 이용하여 습식 세정을 실시할 수 있다. 이어, 데이터 배선으로 가리지 않는 저항성 접촉층을 제거하여 반도체층의 채널부를 드러낸다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성한 다음, IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
알루미늄, IZO, 식각액, 크롬, 식각시간

公开(公告)号：KR1020070063372A

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：KR1020050123526

申请日：2005-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  김시열 ,  박정민

IPC: H01L29/786

Abstract: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) display panel is provided to prevent a low resistive metal line from being mechanically chemically damaged due to post processes by covering the low resistive metal line using a reflow process on a photoresist layer. A gate line is formed on a substrate(110). A gate insulating layer, an undoped amorphous silicon layer, a doped amorphous silicon layer and a conductive layer are sequentially deposited on the gate line. A photoresist pattern is formed on the conductive layer. The photoresist pattern includes a first portion(52a) and a second portion(54a). A conductor pattern is formed on the resultant structure by etching selectively a conductor using the photoresist pattern as an etch mask. A first reflow process is performed on the photoresist pattern.

Abstract translation: 提供一种用于制造TFT（薄膜晶体管）显示面板的方法，以通过在光致抗蚀剂层上使用回流工艺覆盖低电阻金属线来防止低电阻金属线由于后处理而被机械化学损坏。 在基板（110）上形成栅极线。 栅极绝缘层，未掺杂的非晶硅层，掺杂的非晶硅层和导电层依次沉积在栅极线上。 在导电层上形成光刻胶图形。 光致抗蚀剂图案包括第一部分（52a）和第二部分（54a）。 通过使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻导体作为蚀刻掩模，在所得结构上形成导体图案。 在光致抗蚀剂图案上进行第一回流处理。