公开(公告)号：KR101168729B1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：KR1020050074834

申请日：2005-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  정창오 ,  조범석 ,  배양호

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 은(Ag) 산화물을 포함하는 하부막 및 하부막 상에 형성된 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 은(Ag) 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 은(Ag), 은(Ag) 산화물, 하부막

Abstract translation: 布线结构，布线形成方法，薄膜晶体管基板及其制造方法。 形成在下部膜含有银（Ag）或银（Ag）合金布线结构和形成在所述下部结构包括：（Ag）的导电层含有银（Ag）氧化物的下层。

公开(公告)号：KR101168728B1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：KR1020050064483

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  정창오 ,  조범석 ,  배양호

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 구리 질화물을 포함하는 배리어막 및 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 배리어막

公开(公告)号：KR101006452B1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020030059906

申请日：2003-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  서영갑 ,  백금주 ,  조범석 ,  김진혁 ,  김소영 ,  이재경

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 플라즈마(plasma) 방전을 이용한 스퍼터링(sputtering)을 통해 글래스(glass) 상에 박막을 균일하게 형성할 수 있도록 한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 챔버부와; 상기 챔버부 내에 설치되는 글래스지지부와; 상기 글래스지지부와 대향되도록 상기 챔버부 내에 설치되는 타겟부를 포함하는 스퍼터링 장치에 있어서, 타겟부(40)는 복수개로 분할 형성되며, 전원공급부(PS1,PS2,PS3)로부터 개별적으로 전원을 공급받을 수 있는 캐소드(42)와; 캐소드(42)에 연결되는 백킹플레이트(44)와; 백킹플레이트(44)에 장착되는 타겟(46)과; 분할된 캐소드(42)를 온/오프 작동에 의해 상호 전기적으로 연결 또는 단락시키는 스위치(48)를 포함하여 구성된다. 이에 따라, 캐소드를 일체형 또는 분할형 타겟에 겸용으로 사용 가능하여 스퍼터링 장치의 기능성 및 사용성을 향상시킬 수 있다.

챔버부, 글래스지지부, 캐소드, 백킹플레이트, 타겟, 스위치

公开(公告)号：KR101000451B1

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR1020040007678

申请日：2004-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  이재경 ,  정창오 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 본 발명은, TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이를 이용한 TFT LCD 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 방법은, 산소, 질소, 탄소로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 불순물의 전구체 가스가 존재하는 분위기에서 기판 소재 상에 몰리브덴층을 증착하는 단계와, 상기 몰리브덴층의 상부에 (111)우선방위를 가지는 알루미늄층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 내 힐록 특성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 TFT LCD 기판을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070018263A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：KR1020050072750

申请日：2005-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 닝홍롱 ,  정창오 ,  이제훈 ,  조범석 ,  배양호

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262

Abstract: 본 발명에 따른 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 서로 교차하는 제1 및 제2 신호선, 상기 제1 및 제2 신호선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 신호선 중 적어도 하나는 제1 도전층, 그리고 상기 제1 도전층 위에 형성되어 있으며 구리로 만들어진 제2 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층의 표면과 측면을 덮으며, 상기 제2 도전층의 두께는 상기 제1 도전층의 표면과 측면에서 동일하고, 상기 제2 도전층의 비저항은 상기 제1 도전층보다 작고, 상기 제1 도전층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 상기 제2 도전층은 전기도금으로 만들 어질 수 있다. 이와 같이, 하부막과 상부막의 이중막 구조를 가지는 신호선에서 상부막을 비저항이 낮은 금속인 구리로 전기도금 방식으로 형성함으로써, 구리의 저저항성을 살리면서 금속과 구리의 식각 속도 차이에 의한 문제점을 해결하고, 양호한 측면 프로파일을 가지는 배선을 형성할 수 있다.
이중막, 구리, 전기도금, 저저항

公开(公告)号：KR1020070009327A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050064486

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  정창오 ,  조범석 ,  배양호

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A line structure, a line forming method, a thin film transistor, and a manufacturing method are provided to secure reliability of a low-resistance copper line by preventing oxidation or corrosion of a copper conductive layer due to a chemical reaction while maintaining a good adhesive force of the cooper conductive layer. A barrier layer(2a) is formed on a lower structure(1). A copper conductive layer(2b) including copper or copper alloy is formed on the barrier layer. An intermediate layer(2c) including copper nitride is formed on the copper conductive layer. A capping layer(2d) is formed on the intermediate layer. The barrier layer includes Cr, Ti, Ta, V, Zr, W, Nb, Co, Ni, Pd, Pt or a mixture thereof.

Abstract translation: 提供线结构，线形成方法，薄膜晶体管和制造方法，以通过防止由于化学反应导致的铜导电层的氧化或腐蚀同时保持良好的粘合剂来确保低电阻铜线的可靠性 铜基导电层的力。 在下部结构（1）上形成阻挡层（2a）。 在阻挡层上形成包含铜或铜合金的铜导电层（2b）。 在铜导电层上形成包括氮化铜的中间层（2c）。 在中间层上形成覆盖层（2d）。 阻挡层包括Cr，Ti，Ta，V，Zr，W，Nb，Co，Ni，Pd，Pt或它们的混合物。

公开(公告)号：KR1020070008923A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050062828

申请日：2005-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  정창오 ,  이제훈 ,  배양호

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259

Abstract: A wiring structure, a forming method thereof, a thin film transistor including the wiring, and a fabrication method thereof are provided to improve an adhesion with a semiconductor layer including silicon by forming a wiring including an alloy of Ag and a metal for silicide on the semiconductor layer. A semiconductor layer(1) includes silicon. A conductive layer(2) is formed on the semiconductor layer, and is formed of an alloy of Ag and a metal that generates a silicide reaction at an interface of the semiconductor layer. A silicide layer(3a) or an agglomerated silicide(3b) is formed on a surface of the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供一种布线结构，其形成方法，包括该布线的薄膜晶体管及其制造方法，以通过在其上形成包含Ag和金属的合金的布线来提高与包括硅的半导体层的粘合性 半导体层。 半导体层（1）包括硅。 导电层（2）形成在半导体层上，并且由Ag和在半导体层的界面处产生硅化物反应的金属的合金形成。 在半导体层的表面上形成硅化物层（3a）或聚集的硅化物（3b）。

公开(公告)号：KR1020060131071A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050051241

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배양호 ,  조범석 ,  정창오 ,  양성훈 ,  이제훈

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629

Abstract: A wire for a display device, a thin film transistor substrate comprising the same, and a method for manufacturing the same are provided to improve the adhesive characteristic of the wire while maintaining a low resistance of a copper layer, by forming the wire of a molybdenum layer, a copper layer, and a conductive oxide layer. A wire(131) for a display device is formed in a triple-layered type. The wire comprises a first conductive layer(131p) containing molybdenum or molybdenum alloy, a second conductive layer(131q) containing copper or copper alloy, and a third conductive layer(131r) containing a conductive oxide. The third conductive layer is formed of a material selected from ITO, IZO, AZO, and InSnZnO. The wire is used for a gate line or a data line for an LCD.

Abstract translation: 提供一种用于显示装置的导线，包括该导线的薄膜晶体管基板及其制造方法，用于通过形成钼丝的线来提高线的粘合特性，同时保持铜层的低电阻 层，铜层和导电氧化物层。 用于显示装置的导线（131）形成为三层型。 线包括含有钼或钼合金的第一导电层（131p），含有铜或铜合金的第二导电层（131q）和含有导电氧化物的第三导电层（131r）。 第三导电层由选自ITO，IZO，AZO和InSnZnO的材料形成。 线用于LCD线的栅极线或数据线。

公开(公告)号：KR1020060059565A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020040098689

申请日：2004-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  조범석 ,  정창오 ,  배양호

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 다층 배선, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막트랜지스터가 개시된다. 다층 배선은 메인 배선 및 서브 배선을 포함한다. 메인 배선은 제 1 금속을 포함하고, 서브 배선은 메인 배선의 제 1 면에 배치되며, 제 1 면의 표면에 요철이 형성되는 것을 억제 및 투명한 도전막에 대한 콘택 특성을 향상시키고, 제 1 금속을 주성분으로 하는 합금을 포함한다. 이로써, 배선의 전기적 저항을 감소시키고, 배선에 힐락 또는 스파이킹이 발생하는 것을 억제하며, 다른 도전체와의 콘택 특성을 보다 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020050079429A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：KR1020040007678

申请日：2004-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  이재경 ,  정창오 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 본 발명은, TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이를 이용한 TFT LCD 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 방법은, 산소, 질소, 탄소 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 불순물의 전구체 가스가 존재하는 분위기에서 기판 소재 상에 몰리브덴층을 증착하는 단계와, 상기 몰리브덴층의 상부에 알루미늄층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 내 힐록 특성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 TFT LCD 기판을 형성할 수 있다.