Abstract:
An antenna device for a portable terminal, which allows a whip antenna and helical antenna of a terminal to be retracted and withdrawn along an extension from the terminal, while not causing them to protrude out of the terminal. The antenna device provided with a whip antenna and helical antenna further includes an antenna housing disposed at a desired position in the main body, which permits the whip antenna to be retracted and withdrawn through the helical antenna, while causing the helical antenna to be withdrawn along an extension from the main body at the same time, and permits the helical antenna to be retracted, so that it can be inserted into the main body; and a housing coupling portion disposed in the main body for supporting the antenna housing.
Abstract:
응답 속도가 향상된 수직 배향 구조를 가지는 반사형 액정표시소자 및 이를 이용한 프로젝터가 개시되어 있다. 개시된 반사형 액정표시소자는 반사 전극을 가지는 제1기판과; 투명 전극을 가지는 제2기판과; 제1기판과 제2기판 각각에 상호 대향되게 마련된 제1 및 제2배향막과; 제1배향막과 제2배향막 사이에 개재되는 것으로, 제1배향막과 제2배향막 사이에 소정 셀 갭 d가 유지되도록 하는 스페이서와; 내부 공간에 주입되는 수직 배향 액정;을 포함하며, 셀 갭 d는 1.0 [㎛] 이하이고, 액정의 유전율 이방성 Δε은 음의 값을 가지며, 액정의 굴절률 이방성 Δn은 0.14 이상인 것을 특징으로 한다. 또한, 개시된 프로젝터는 광원과; 색분리 유니트와; 색분리 유니트에서 분리되어 순차로 입사되는 각 칼라의 입사광을 선택적으로 반사시켜 화상을 형성하는 반사형 액정표시소자와; 광원과 반사형 액정표시소자 사이의 광경로 상에 배치되어, 광원 쪽에서 입사된 광이 반사형 액정표시소자를 경유하여 스크린 쪽으로 향하도록 광로를 변환하는 광로변환 유니트와; 투사렌즈 유니트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
An antenna device for a portable terminal, which allows a whip antenna and helical antenna of a terminal to be retracted and withdrawn along an extension from the terminal, while not causing them to protrude out of the terminal. The antenna device provided with a whip antenna and helical antenna further includes an antenna housing disposed at a desired position in the main body, which permits the whip antenna to be retracted and withdrawn through the helical antenna, while causing the helical antenna to be withdrawn along an extension from the main body at the same time, and permits the helical antenna to be retracted, so that it can be inserted into the main body; and a housing coupling portion disposed in the main body for supporting the antenna housing.
Abstract:
본 발명은 백라이트 유닛과 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 백라이트 유닛은 제1도광판과 상기 제1도광판의 적어도 일측연을 따라 배치되어 있는 선광원과 상기 제1도광판과 마주하는 복수의 제2도광판과 상기 복수의 제2도광판의 적어도 일측연을 따라 배치되어 있는 점광원을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 색재현율이 우수하면서도 소비전력이 낮은 백라이트 유닛이 제공된다.
Abstract:
A dual antenna apparatus of a mobile phone is provided to receive a terrestrial TV signal and a satellite TV signal together according to insertion and drawing-out of the antenna into the mobile phone receiving a TV broadcasting signal. In an antenna apparatus(10) of a mobile phone constituted with a body housing(1) and an embedded antenna embedded in the body housing, a TV receiving antenna(20) is inserted into and drawn out from the body housing. A terrestrial antenna connector(30) receives a terrestrial TV signal by being connected to a connection unit comprised in the antenna when the TV receiving antenna is drawn out from the body housing. A satellite antenna connector(40) receives a satellite TV signal by being connected to the connection unit comprised in the antenna when the TV receiving antenna is inserted into the body housing.
Abstract:
반도체 기억소자의 퓨즈 영역 및 그 제조방법이 제공된다. 상기 퓨즈 영역은 반도체기판 상부에 형성된 제1 내지 제4 하부배선들을 구비한다. 상기 제1 및 제2 하부배선들은 제1 직선 상에 배치되고, 상기 제3 및 제4 하부배선들은 상기 제1 직선에 평행한 제2 직선 상에 배치된다. 또한, 상기 제3 하부배선은 상기 제1 하부배선에 인접하고, 상기 제4 하부배선은 상기 제2 하부배선에 인접한다. 상기 제1 및 제2 하부배선들 사이의 영역 상부에 제1 퓨즈가 배치되고, 상기 제3 및 제4 하부배선들 사이의 영역 상부에 제2 퓨즈가 배치된다. 상기 제2 하부배선은 상기 퓨즈들과 동일한 레벨에 위치하는 중간배선을 통하여 상기 제4 하부배선에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 퓨즈들중 어느 하나가 레이저 리페어 공정을 통하여 블로잉될지라도, 상기 블로잉된 퓨즈에 인접한 다른 퓨즈가 부식되는 것을 방지할 수 있다.
Abstract:
A nonvolatile semiconductor memory device comprising a main memory cell array and a spare memory cell array, capable of freely accessing data in the spare memory cell array irrespective of the physical addresses of the spare memory cell array, and a method thereof are disclosed. The logical addresses of the spare memory cell array are assigned prior to the logical addresses of the main memory cell array in response to a first control signal, and data stored in the spare memory cell array is read earlier than data in the main memory cell array.
Abstract:
A bonding pad structure comprises a bonding pad (350) having first (300) and second interconnection layers (330) integral to each other, and peg(s) integral with the bonding pad. The peg vertically traverses a deposition layer(s) of a semiconductor device beneath the bonding pad. An independent claim is also included for a method of forming a bonding pad structure for binding deposition layers in an integrated circuit having electrical elements and conductive layers, comprising: (a) forming an etch stop pattern in a bonding pad region of the integrated circuit; (b) forming an interlayer dielectric (130, 140, 170) above the etch stop pattern; (c) forming contact hole(s) (150) in the interlayer dielectric above the etch stop pattern; (d) depositing a conductive material to fill the contact hole; (e) removing the conductive material above the interlayer dielectric; (f) forming a first interconnection layer pattern above the contact hole; (g) depositing an intermetallic dielectric layer; (h) forming via holes in the intermetallic dielectric layer above the first interconnection layer pattern; (i) forming second interconnection layer pattern in and above the via holes to form the bonding pad; (j) depositing a passivation layer above the second interconnection layer pattern; and (k) exposing the bonding pad by removing a portion of the passivation layer above the bond pad region.
Abstract:
A non-volatile semiconductor memory device includes a plurality of page buffers, each corresponding to a sense node. Voltages of a first set of sense nodes are varied according to states of corresponding memory cells during a first sense period, while voltages of a second set of sense nodes are fixed at a predetermined voltage. During the second sense period, voltages of the second set of sense nodes are varied according to states of corresponding memory cells, while voltages of the first set of sense nodes are fixed at a predetermined voltage. Using this sensing scheme, even though a sense node corresponding to an OFF cell is floated, a voltage of the floated sense node is not coupled down when a voltage of a neighboring sense node corresponding to an ON cell is lowered.