公开(公告)号：KR1020030074990A

公开(公告)日：2003-09-22

申请号：KR1020020014051

申请日：2002-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명구 ,  김현재 ,  송진호

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/1335 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F2201/42 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate for a reflective LCD and a method for fabricating the same are provided to simplify the procedure to form a concave and convex pattern of a surface of reflecting electrodes. CONSTITUTION: A TFT substrate for a reflective LCD includes an insulating substrate, a semiconductor layer formed on the substrate, a concave and convex layer(401) formed on a predetermined portion of the semiconductor layer, a gate insulating film(140) formed on the concave and convex layer, gate wires formed on the gate insulating film with gate lines and gate electrodes, data line pieces formed between the gate lines on the gate insulating film, an interlayer insulating film formed on the gate wires and the data line pieces, data line connecting parts(171a) formed on the interlayer insulating film for connecting the data line pieces over the gate lines, and reflecting electrodes(80) formed on the interlayer insulating film with a surface partially in the concave and convex shape by the concave and convex layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于反射型LCD的TFT基板及其制造方法，以简化形成反射电极表面的凹凸图案的步骤。 构成：用于反射型LCD的TFT基板包括绝缘基板，形成在基板上的半导体层，形成在半导体层的预定部分上的凹凸层（401），形成在该半导体层上的栅极绝缘膜（140） 凹凸层，栅极线与栅电极形成在栅极绝缘膜上的栅极线，形成在栅极绝缘膜上的栅极线之间的数据线，形成在栅极线上的层间绝缘膜和数据线，数据 形成在用于连接栅极线上的数据线片的层间绝缘膜上的线连接部分（171a）和形成在层间绝缘膜上的反射电极（80）具有凹凸形状的部分凹凸形状 层。

公开(公告)号：KR1020010037330A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990044781

申请日：1999-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate for liquid crystal display and its manufacturing method are provided to make it easy to form a contact hole of a color filter and simplify the manufacturing process by utilizing a black matrix. CONSTITUTION: Firstly, a gate wiring(24,26,28) including a gate line, a gate electrode(26) and a gate pad(24) is formed on an insulating substrate(100) and a gate insulating layer covers the gate wiring(24,26,28). Then, a semiconductor layer and an ohmic contact layer(55) are formed on the gate insulating layer, and a source electrode(65), a drain electrode(66) and a data wiring including a data line(62) connected with the source electrode(65) and a data pad(64). Then, an interlayer dielectrics(ILD) covering the data wiring is formed on the data wiring(64,65,66) and the gate wiring(24,26,28), a red, a green and a blue color filters(81,82,83) are formed on the ILD by using a printing method or a laser transfer method and a passivation layer(90) is laminated on the color filters(81,82,83) and the ILD. Then, respective contact holes(91,92,93,94) are formed on the drain electrode(66), the gate pad(24) and the data pad(64) by patterning the passivation layer(90) and the respective contact holes(91,92,93,94) to expose the drain electrode(66), the gate pad(24) and the data pad(64) are completed by removing the color filters(81,82,83) exposed through the contact holes(91,92,93,94) by using the passivation layer(90) as an etch mask. Lastly, a pixel electrode(112), an auxiliary gate pad(114) and an auxiliary data pad(116) connected with the drain electrode(66), the gate pad(24) and the data pad(64) respectively through the contact holes(91,92,93,94) are formed on the passivation layer(90).

Abstract translation: 目的：提供一种用于液晶显示器的薄膜晶体管基板及其制造方法，以便容易地形成滤色器的接触孔，并且通过利用黑色矩阵简化制造工艺。 构成：首先，在绝缘基板（100）上形成包括栅极线，栅极（26）和栅极焊盘（24）的栅极布线（24,26,28），栅极绝缘层覆盖栅极布线 （24,26,28）。 然后，在栅极绝缘层上形成半导体层和欧姆接触层（55），以及源电极（65），漏电极（66）和包括与源极连接的数据线（62）的数据布线 电极（65）和数据焊盘（64）。 然后，在数据布线（64,66,66）和栅极布线（24,26,28）上形成覆盖数据布线的层间电介质（ILD），红色，绿色和蓝色滤色器（81， 82,83）通过使用印刷方法或激光转印方法形成在ILD上，并且钝化层（90）层压在滤色器（81,82,83）和ILD上。 然后，通过对钝化层（90）和相应的接触孔进行图案化，在漏电极（66），栅极焊盘（24）和数据焊盘（64）上形成各个接触孔（91,92,93,94） （91,92,93,94）通过去除通过接触孔暴露的滤色器（81,82,83）来完成露出漏电极（66），栅极焊盘（24）和数据焊盘（64） （91,92,93,94），通过使用钝化层（90）作为蚀刻掩模。 最后，分别通过触点与漏电极（66），栅极焊盘（24）和数据焊盘（64）连接的像素电极（112），辅助栅极焊盘（114）和辅助数据焊盘（116） 在钝化层（90）上形成孔（91,92,93,94）。

公开(公告)号：KR1020010001366A

公开(公告)日：2001-01-05

申请号：KR1019990020522

申请日：1999-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  나병선 ,  최시원

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) and a production method thereof are provided to simplify a process, to increase an opening rate and to eliminate DBEF(Double Brightness Enhanced Film) by narrowing a width of a black matrix. CONSTITUTION: A gate wiring(22) is formed on an insulating substrate(10). A semiconductor layer(40) and a contact layer are formed by depositing and patterning a gate insulating film and an amorphous silicon layer. Data wirings(62,64,65,66) are formed by patterning chrome. A protection insulating film(91) is formed by etching the contact layer between source/drain electrodes(65,66) and layering silicon nitride. A color filter(90) is formed by patterning a color filter layer. A contact hole to expose the gate pad, the data pad and the drain electrode is formed by patterning an organic insulating film. A pixel electrode(71), an auxiliary gate pad(73) and an auxiliary data pad(74) are formed by patterning an ITO(Idium Tin Oxide).

Abstract translation: 目的：提供一种LCD（液晶显示器）及其制造方法，以通过缩小黑矩阵的宽度来简化处理，提高打开速度和消除DBEF（双亮度增强膜）。 构成：在绝缘基板（10）上形成栅极配线（22）。 通过沉积和图案化栅极绝缘膜和非晶硅层来形成半导体层（40）和接触层。 数据布线（62,64,65,66）通过图案化铬形成。 通过蚀刻源极/漏极（65,66）和层叠氮化硅之间的接触层来形成保护绝缘膜（91）。 通过对滤色器层进行构图来形成滤色器（90）。 通过图案化有机绝缘膜形成用于露出栅极焊盘，数据焊盘和漏电极的接触孔。 通过图案化ITO（氧化铟锡）形成像素电极（71），辅助栅极焊盘（73）和辅助数据焊盘（74）。

公开(公告)号：KR100218502B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960047373

申请日：1996-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: H01L27/12

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 비정질 실리콘층의 표면을 안정화시키는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 고농도 제1도전층을 소스/드레인 전극을 형성하고 고농도 제1도전층의 중앙부를 식각하여 고농도 콘택층을 형성하는 단계형 콘택층, 소스/드레인 전극을 형성하고 노출된 반도체층의 표면 조직을 이완시키고 기판 위에 보호막을 형성한다. 따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 소스/드레인 전극 형성 이후, 헬륨 또는 수소를 이용한 이환 공정을 추가함으로써 평평화되고 균일한 반도체층을 만들어 주어 백 채널 효과를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990060007A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970080225

申请日：1997-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: G02F1/1335

Abstract: 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 적층하고, 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에는 비정질 규소층을 형성한다. 비정질 규소층의 위에는 게이트 전극을 중심으로 양쪽으로 분리하여 도핑된 비정질 규소층을 형성하고, 도핑된 비정질 규소층의 위에는 소스 및 드레인 전극을 형성하는데, 소스 전극은 반사판과, 드레인 전극은 보조 데이터선과 각각 일체로 형성한다. 소스 및 드레인 전극과 보조 데이터선의 위에는 보호막을 형성하고, 보조 데이터선 위의 보호막에는 접촉부를 형성하여, 이 접촉부를 통하여 보조 데이터선을 보호막 위에 형성되어 있는 데이터선과 전기적으로 연결되도록 한다. 화소 영역의 보호막은 제거되어 반사판이 노출된다.

公开(公告)号：KR100200346B1

公开(公告)日：1999-07-01

申请号：KR1019950038697

申请日：1995-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618

Abstract: 본 발명은 콘택층을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, Si-Ge 막으로 콘택층을 형성하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 게이트 전극을 형성하고 절연막 및 비정질 실리콘을 증착하고 실란, 게르만, 수소화인 및 수소를 증착하여 Si-Ge 막을 형성하고 Si-Ge 막 및 비정질 실리콘을 식각하고 도전 물질을 적층하고 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하고 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 Si-Ge 막을 식각한다. 따라서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에서는 콘택층을 Si-Ge 막으로 형성하여 반도체층과의 접면에서 식각 선택비가 우수여 안정된 식각 공정을 행할 수 있고, 결과적으로 에치 백 구조에서도 균일한 활성 채널을 형성하여 소자 특성을 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100169379B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950034297

申请日：1995-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: H01L21/28

Abstract: 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 터미날 고상용액을 형성하는 알루미늄-하프늄 합금계를 사용하여 침전강화를 적용하고 어닐링 공정을 추가하여 2차상으로서 단일 성분으로 되어 있는 화합물만을 석출시킴으로써 식각 잔기의 발생을 억제하고 기계적 강화를 극대화시켜 양극산화막만으로는 해결할 수 없었던 힐록과 크랙 등의 기계적 성질에 관한 여러가지 문제들을 개선하고자 하는데에 본 발명의 목적이 있다.

公开(公告)号：KR1019980086382A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970048773

申请日：1997-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  곽상기

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136

Abstract: 투명한 유리 기판 위에 게이트 배선을 형성하고, 게이트 절연막, 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 크롬층의 삼중층을 연속하여 적층한다. 삼중층을 패터닝한 후, ITO(indium-tin-oxide)층을 적층하고 패터닝한 다음, 패터닝된 ITO층을 마스크로 하여 노출된 크롬층 및 도핑된 비정질 규소층을 식각한다. 보호막을 적층하고 패터닝하여 ITO층 상부에 다수의 접촉구를 형성한 다음, 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 접촉구를 통하여 ITO층과 접속하는 데이터선을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019980028338A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047373

申请日：1996-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: H01L27/12

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 비정질 실리콘층의 표면을 안정화시키는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 고농도 제1도전층을 소스/드레인 전극을 형성하고 고농도 제1도전층의 중앙부를 식각하여 고농도 콘택층을 형성하는 단계형 콘택층, 소스/드레인전극을 형성하고 노출된 반도체층의 표면 조직을 이완시키고 기판 위에 보호막을 형성한다. 따라서, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 소스/드레인 전극 형성 이후, 헬륨 또는 수소를 이용한 이환 공정을 추가함으로써 평평화되고 균일한 반도체층을 만들어주어 백 채널 효과를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970077528A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960017413

申请日：1996-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: H01L21/78

Abstract: 본 발명은 저항을 줄이는 콘택층의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 비정질실리콘층과 소스/드레인 전극 사이에 존재하며 실리콘으로 이루어진 고농도 미세결정 콘택층의 형성 방법을 달리하여 저항을 줄이는 콘택층의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. 실란 분사 수단, 수소 분사 수단 및 인화수소 분사수단을 이용하여 SiH
4 , H
2 및 PH
3 가스의 분사량을 일정하게 분사하고 플라즈마 상태에서 실란 분사 수단을 이용하여 SiH
4 가스의 분사량을 감소시키고, 수소 분사 수단을 이용하여 H
4 가스의 분량을 일정하게 유지하고, 인화수소 분사 수단을 이용하여 PH
3 가스의 분사량을 증가시키고 전압을 증가시킨다. 따라서, 본 발명에 따른 저항을 줄이는 콘택층 제어 방법 및 그 제조 장치는 콘택저항을 줄이는 범위 내에서 후반부에만 미세결정 공정을 실시함으로 공정 시간을 단축할 수 있고 후반부에만 플라즈마 미세결정을 실시하여 반도체층의 퇴적을 막을 수 있고 플라즈마의 의한 반도체층의 막질 저하를 방지하여 소자의 질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.