公开(公告)号：KR1020070013165A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067558

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜정 ,  박은경

IPC: H04N7/08

CPC classification number: H04N5/44513 ,  H04N5/21 ,  H04N21/435 ,  H04N21/44209 ,  H04N21/4884

Abstract: A broadcasting receiving apparatus for displaying closed caption data and a method therefor are provided to improve image quality by omitting the display of caption information although a caption information display function is activated when a large amount of noise exists in a composite image signal and preventing broken caption information from being displayed on a screen. A signal receiving unit(110) receives a certain composite image signal. A signal processing unit(120) processes the composite image signal to be converted into a certain output format signal. A noise calculating unit(130) calculates a noise level of the composite image signal. A caption data detecting unit(140) detects closed caption data from the composite image signal, provides the closed caption data to the signal processing unit(120) to be inserted into the output format signal only when the noise level is smaller than a certain threshold level.

Abstract translation: 提供用于显示隐藏字幕数据的广播接收装置及其方法，用于通过省略字幕信息的显示来提高图像质量，尽管当在合成图像信号中存在大量噪声并且防止断开的字幕时激活字幕信息显示功能 信息显示在屏幕上。 信号接收单元（110）接收特定的合成图像信号。 信号处理单元（120）处理要转换为特定输出格式信号的合成图像信号。 噪声计算单元（130）计算合成图像信号的噪声电平。 字幕数据检测单元（140）从复合图像信号中检测隐藏字幕数据，仅在噪声电平小于特定阈值时才将隐藏字幕数据提供给信号处理单元（120）才能插入输出格式信号 水平。

公开(公告)号：KR100564576B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020030066498

申请日：2003-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  구자흠 ,  박혜정

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/021 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665

Abstract: 양질의 코발트 실리사이드막 형성이 가능한 개선된 코발트 실리사이드 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 실리콘을 포함하는 도전 영역 위에 코발트를 포함하는 막을 형성한 후, 코발트를 포함하는 막 위에 티타늄의 원자% / 나머지 원소의 원자%가 1 보다 큰 티타늄이 풍부한 캡핑막을 형성한다. 이후 열처리에 의해 코발트가 실리콘과 반응하여 코발트 실리사이드막을 형성하도록 한다. 또, 선택적으로 코발트를 포함하는 막의 형성 공정을 고온에서 실시하여 확산 억제 계면막이 형성되도록 한다.
코발트 실리사이드, 캡핑막, 티타늄, 고온 증착

公开(公告)号：KR1020040034394A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020030066498

申请日：2003-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  구자흠 ,  박혜정

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/021 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665

Abstract: PURPOSE: An improved cobalt silicide forming method for forming an excellent cobalt silicide layer and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to be capable of easily controlling surface resistance. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is defined with an insulation region and a silicon region. A predetermined layer containing cobalt is formed on the silicon region of the semiconductor substrate(S3). A capping layer is formed on the predetermined layer(S4). At this time, the titanium atom% to residual element atom% is larger than 1, so that the capping layer has abundant titanium. A heat treatment is performed on the resultant structure for forming a cobalt silicide layer by reacting the cobalt to the silicon of the silicon region.

Abstract translation: 目的：提供用于形成优异的钴硅化物层的改进的硅化钴形成方法和使用其的半导体器件的制造方法，以能够容易地控制表面电阻。 构成：半导体衬底被限定有绝缘区域和硅区域。 在半导体衬底的硅区上形成含有钴的预定层（S3）。 在预定层上形成覆盖层（S4）。 此时，钛原子％与残留元素原子％的比例大于1，因此覆盖层具有丰富的钛。 通过使钴与硅区域的硅反应，对所形成的钴硅化物层的结构进行热处理。