公开(公告)号：KR1020090077523A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：KR1020080003524

申请日：2008-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤선 ,  와완기다니엘 ,  우티그마티아스 ,  김기준 ,  강윤호 ,  김철규 ,  서동석 ,  이태연

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  C23C16/305

Abstract: A phase change material layer and a phase change memory device comprising the same are provided to achieve low melting point and high re-crystallization temperature and obtain a reduced reset current and a favorable retention property. A phase change material layer(10) adds at least one of In or Ga into Sb. The phase change material layer is formed in a range of intermetallic composition to eutectic composition. The phase change material layer may contain at least one of Sb and In, or Ga. A phase change memory device includes a storage node having a phase change material layer and switching devices connected to the storage node.

Abstract translation: 提供相变材料层和包含该相变材料层的相变存储器件以实现低熔点和高再结晶温度，并获得降低的复位电流和良好的保留性能。 相变材料层（10）将In或Ga中的至少一种添加到Sb中。 相变材料层在金属间组合物的范围内形成为共晶组成。 相变材料层可以含有Sb和In中的至少一种，或Ga。相变存储器件包括具有相变材料层的存储节点和连接到存储节点的开关装置。

公开(公告)号：KR1020090009652A

公开(公告)日：2009-01-23

申请号：KR1020070073114

申请日：2007-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤선 ,  서동석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/143

Abstract: Carbon containing phase change material, a memory device including the same and an operation method thereof are provided to use a carbon containing IST layer as a phase-change layer which is maintained in a single phase, thereby ensuring thermal stability and lowering reset currents as preventing intercell interference caused by heat. Phase change material comprises a major compound and additive. The major compound is In-Sb-Te. The additive uses carbon which is added as much as it can maintain the phase change material in a single phase. The content(a) of the carbon can be 0.005

Abstract translation: 提供含碳相变材料，含有其的存储装置及其操作方法，以使用含碳IST层作为保持单相的相变层，从而确保热稳定性并降低复位电流，作为防止 热量引起的电池间干扰。 相变材料包括主要的化合物和添加剂。 主要化合物是In-Sb-Te。 添加剂使用添加的碳，其可以将相变材料保持在单相中。 碳的含量（a）可以为0.005 <= a <= 0.30原子％。 添加剂还包括氮，氧，硼或过渡金属。 可以使用硬质合金代替碳。 铟（In）可以被第三组元素代替。 锑（Sb）可以被V族元素取代。 碲（Te）可以被第六组元素代替。