公开(公告)号：KR1020050045704A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079869

申请日：2003-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민현석 ,  천경준 ,  김진원 ,  김욱

IPC: G08G1/0968

CPC classification number: G08G1/096811 ,  G01C25/00 ,  G08G1/0969

Abstract: 본 발명은 오프-보드 네비게이션 시스템 및 그의 오차 보정 방법에 관한 것으로서, 기 저장된 맵을 이용하여 요청된 경로를 계산하고 그 경로에서의 보정정보를 생성한 후 상기 계산된 경로와 보정정보를 함께 전송하는 서버와, 상기 서버로 소정 경로에 대한 계산을 요청한 후 서버로부터 상기 계산된 경로와 보정정보를 함께 수신하고 탑재된 센서로부터 측정된 위치 정보와 상기 보정 정보를 비교하여 상기 센서를 보정하는 단말을 포함하는 오프-보드 네비게이션 시스템을 이용하여 오차 보정을 수행함으로써 오프-보드 네비게이션 시스템에서도 지도 정보와 실제 주행 정보의 차이에 의한 위치 오차를 보정할 수 있는 효과가 있다. 이로 인해 오프-보드 네비게이션 시스템을 이용한 네비게이션 서비스의 정확도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040081575A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1020030016090

申请日：2003-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진원 ,  민현석

IPC: G08G1/0969

CPC classification number: G01S19/49 ,  G01C21/30 ,  G08G1/0968

Abstract: PURPOSE: A position detection apparatus of a moving object in a navigation system and its method are provided to detect a position of a vehicle accurately using a map constraint filter constituted by a linear model using map information. CONSTITUTION: According to the position detection apparatus of a moving object in a navigation system, a map data detector(420) detects map information of an area corresponding to position information of the moving object obtained by sensors from an external digital map storing part. A memory(430) stores the map information detected from the map data detector. A filter part(440) estimates an optimum position of the moving object by considering road error included in the map information on the ground of the position and traveling information of the moving object transferred from the sensors. And a map-matching part(450) receives optimum position information of the moving object from the filter part and corrects the optimum position information by matching the optimum position information to the map information stored in the memory.

Abstract translation: 目的：提供一种导航系统中的移动物体的位置检测装置及其方法，其使用地图信息由线性模型构成的地图约束滤波器来精确地检测车辆的位置。 构成：根据导航系统中的移动物体的位置检测装置，地图数据检测器（420）从外部数字地图存储部检测与由传感器获得的移动物体的位置信息对应的区域的地图信息。 存储器（430）存储从地图数据检测器检测到的地图信息。 过滤器部件（440）基于从传感器传送的移动物体的位置和行进信息，考虑包括在地图信息中的道路错误来估计移动物体的最佳位置。 并且地图匹配部分（450）从滤波器部分接收移动物体的最佳位置信息，并且通过将最佳位置信息与存储在存储器中的地图信息相匹配来校正最佳位置信息。

公开(公告)号：KR100403611B1

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：KR1020000031031

申请日：2000-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  김진원 ,  원석준 ,  유차영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02183 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/91

Abstract: A metal-insulator-metal (MIM) capacitor of a semiconductor device, and a manufacturing method thereof, includes a lower electrode formed of a refractory metal or a conductive compound including the refractory metal, a dielectric film formed of a high dielectric material, and an upper electrode formed of a platinum-family metal or a platinum-family metal oxide. Accordingly, the MIM capacitor satisfies the criteria of step coverage, electrical characteristics and manufacturing costs, as compared to a conventional MIM capacitor in which the upper and lower electrodes are formed of the same material such as a platinum-family metal, a refractory metal or a conductive compound including the refractory metal. The capacitor is especially suitable for mass production in semiconductor fabrication processes.

Abstract translation: 半导体器件的金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器及其制造方法包括由难熔金属或包含难熔金属的导电化合物形成的下电极，由高介电材料形成的介电膜和 由铂族金属或铂族金属氧化物形成的上电极。 因此，与其中上部电极和下部电极由诸如铂族金属，难熔金属的相同材料形成的传统MIM电容器相比，MIM电容器满足阶梯覆盖，电特性和制造成本的标准 包含难熔金属的导电化合物。 该电容器特别适用于半导体制造工艺的批量生产。

公开(公告)号：KR1020030065912A

公开(公告)日：2003-08-09

申请号：KR1020020005978

申请日：2002-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류영규 ,  김진원

IPC: H04M11/06

CPC classification number: H04M3/42382 ,  H04M3/5322 ,  H04M11/066 ,  H04M2203/654

Abstract: PURPOSE: A character message transmission service method during a call communication in a wired telephone network is provided to allow both subscribers to be provided with a character message transmission service when voice information is hardly understandable due to an incorrect pronunciation. CONSTITUTION: While subscribers of first and second information phone sets are in communication(300), if a character message transmission service is required, the subscriber of the first information phone set depresses a corresponding key and creates an SMS message(302). A CPU of the first information phone set checks a transmission request(304) and mutes a handset of the first information phone set(306). The CPU generates a terminal recognition signal(CAS) and transmits it(308). The second information phone set mutes its handset(310) and transmits a terminal response signal(ACK) to the first information phone set(312). The first information phone set transmits a message informing preparation of reception(CAM) to the second information phone set(314). The second information phone set transmits a response signal(ACK-C) to the first information phone set(316). The first information phone set an SDM(SMS Data Message) created by a subscriber to the second information phone set(318). The second information phone set transmits a response signal(ACK-F) to the first information phone set(320), releases the handset mute(322), and displays a content of the SDM on a display unit(323). When a pre set time elapses, the first information phone set releases its handset mute(324). The first and second information phone sets are in a call communication state(326).

Abstract translation: 目的：提供一种在有线电话网络中的呼叫通信期间的字符消息传输服务方法，以便当语音信息由于发音不正确而难以理解时，可以向两个用户提供字符消息传输服务。 规定：当第一和第二信息电话机的用户处于通信（300）时，如果需要字符消息传输服务，则第一信息电话机的用户按下相应的密钥并创建SMS消息（302）。 第一信息电话机的CPU检查发送请求（304）并使第一信息电话机（306）的手机静音。 CPU产生终端识别信号（CAS）并发送（308）。 第二信息电话机将其手机（310）静音，并将终端响应信号（ACK）发送到第一信息电话机（312）。 第一信息电话机将通知准备接收（CAM）的消息发送到第二信息电话机（314）。 第二信息电话机将响应信号（ACK-C）发送到第一信息电话机（316）。 第一信息电话将由用户创建的SDM（SMS数据消息）设置到第二信息电话机（318）。 第二信息电话机将响应信号（ACK-F）发送到第一信息电话机（320），释放手机静音（322），并在显示单元（323）上显示SDM的内容。 当预设时间过去时，第一信息电话机释放其手机静音（324）。 第一和第二信息电话机处于通话状态（326）。

公开(公告)号：KR1020010058664A

公开(公告)日：2001-07-06

申请号：KR1019990066018

申请日：1999-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남상돈 ,  김진원

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method of etching a film for preventing generation of the surface roughness is to further dry-etch an upper surface of an etched structure, thereby preventing increase of leakage current in a capacitor. CONSTITUTION: A film(200') is formed on an interlayer dielectric(210). The interlayer dielectric is a silicon oxide film which is formed on a semiconductor substrate. For the patterning of the film, an etching mask pattern(220) is formed. By etching the film, an opening(230) is formed within the film. In a bottom surface and a sidewall of the opening, the surface roughness exists. To remove the surface roughness of the opening, the dry-etching is continuously performed. The dry-etching is effected independent of removing the etching mask pattern. The dry-etching must be performed after removing the etching mask pattern to prevent the organic material from being deposited on the sidewall and the bottom surface of the opening.

Abstract translation: 目的：为了进一步对蚀刻结构的上表面进行干蚀刻，能够防止产生表面粗糙度的膜的蚀刻方法，防止电容器中的漏电流增加。 构成：在层间电介质（210）上形成膜（200'）。 层间电介质是形成在半导体衬底上的氧化硅膜。 为了形成图案，形成蚀刻掩模图案（220）。 通过蚀刻该膜，在膜内形成开口（230）。 在开口的底表面和侧壁中，存在表面粗糙度。 为了去除开口的表面粗糙度，连续进行干蚀刻。 干蚀刻是独立于去除蚀刻掩模图案而实现的。 在去除蚀刻掩模图案之后必须进行干蚀刻，以防止有机材料沉积在开口的侧壁和底表面上。

公开(公告)号：KR1020010038937A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990047121

申请日：1999-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남상돈 ,  김진원 ,  이승환

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cylindrical capacitor for improving step coverage is provided to prevent a lower electrode layer from being fallen by improving step coverage of the lower electrode layer, and to prevent a barrier layer from being oxidized in an annealing process after a dielectric layer is formed. CONSTITUTION: The first interlayer dielectric(102) is formed on a semiconductor substrate(100), and a plug(104) and a barrier layer(106) are formed to manufacture a buried contact. The first interlayer dielectric is planarized. The second interlayer dielectric(108) is deposited on the semiconductor substrate after the planarization process. The second interlayer in a region for a capacitor is eliminated. A lower electrode layer is formed on the semiconductor substrate by using a sputtering method and an ion implantation method. The lower electrode layer is patterned to electrically isolate respective cells. All of the second interlayer dielectric on the first interlayer dielectric is eliminated to form a cylindrical lower electrode layer(114) of a capacitor. A dielectric layer(116) is deposited on the lower electrode layer and annealed. An upper electrode(118) layer is formed on the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于提高台阶覆盖率的圆柱形电容器的方法，以通过改善下电极层的阶梯覆盖度来防止下电极层掉落，并且防止在电介质之后的退火工艺中阻挡层被氧化 形成层。 构成：第一层间电介质（102）形成在半导体衬底（100）上，并且形成插头（104）和阻挡层（106）以制造掩埋接触。 第一层间电介质被平坦化。 在平坦化处理之后，第二层间电介质（108）沉积在半导体衬底上。 消除了用于电容器的区域中的第二中间层。 通过使用溅射法和离子注入法在半导体衬底上形成下电极层。 图案化下电极层以电隔离各个电池。 除去第一层间电介质上的所有第二层间电介质以形成电容器的圆柱形下电极层（114）。 电介质层（116）沉积在下电极层上并退火。 在电介质层上形成上电极（118）。

公开(公告)号：KR1020010038590A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990046629

申请日：1999-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남상돈 ,  김진원

IPC: H01L27/105

Abstract: PURPOSE: A capacitor is to prevent a deterioration of a dielectric in a subsequent process of a hydrogen atmosphere by interposing a reaction stopping layer between a dielectric and an upper electrode. CONSTITUTION: A contact plug(110) is formed in an insulating layer(100). The contact plug and the insulating layer are exposed by depositing and patterning an interlayer dielectric on the entire surface of the resultant structure. A lower electrode(130) is formed by depositing a platinum group metal on the entire surface of the resultant structure. A dielectric(140) is formed on the lower electrode. The dielectric consists of a ferroelectric material. A reaction stopping layer(150) is formed on the dielectric, thereby improving a height of an electrical interface barrier. An upper electrode(160) is formed on the reaction stopping layer. The upper electrode consists of a platinum group metal or a conductive metal compound. The reaction stopping layer consists of Ta2O5 or Al2O3.

Abstract translation: 目的：电容器通过在电介质和上电极之间插入反应停止层来防止氢气氛的后续过程中电介质的劣化。 构成：在绝缘层（100）中形成接触塞（110）。 通过在所得结构的整个表面上沉积和图案化层间电介质来暴露接触插塞和绝缘层。 通过在所得结构的整个表面上沉积铂族金属来形成下电极（130）。 电介质（140）形成在下电极上。 电介质由铁电材料组成。 在电介质上形成反应停止层（150），从而提高电接口屏障的高度。 在反应停止层上形成上电极（160）。 上电极由铂族金属或导电金属化合物组成。 反应停止层由Ta2O5或Al2O3组成。

公开(公告)号：KR100227843B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019970001709

申请日：1997-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진원 ,  황철성 ,  이상인

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76895 ,  H01L28/60

Abstract: 본 발명에 의한 반도체 소자의 콘택 배선 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 커패시터 제조방법은, 매몰 콘택 홀이 형성되어 있는 반도체 기판 상에 화학증착(CVD)법과 물리증착(PVD)법을 이용하여 제 1 도전성막과 제 2 도전성막을 각각 증착한 후, 상기 제 1 및 제 2 도전성막을 고온 열처리하여 상기 제1 및 제2 도전성막을 리플로우시키는 방식으로 이루어져, 높은 종횡비를 갖는 콘택 홀 내부에도 용이하게 전극물질을 채울 수 있을 뿐 아니라 강유전체 재질(예컨대, BST(BaSrTi) 계열, PZT(Pb(Zr,Ti)O
3 ) 계열, PLZT(Pb(La,Zn)TiO
3 )) 계열, STO(SrTiO
3 ) 계열의 강유전체 물질)의 유전체막을 이용하여 커패시터를 제조할 경우 야기되는 확산방지막의 산화를 방지할 수 있게 되어, 반도체 소자의 커패시터 특성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980034212A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960052177

申请日：1996-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진원

IPC: H01L21/76

Abstract: 반도체소자의 커패시터 제조방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 내부를 채우는 플러그 패턴을 형성하는 단계와, 상기 플러그 패턴 상에 순차적으로 적층된 장벽금속막 패턴, 산소 확산방지막 패턴, 내산화성 금속막 패턴을 형성함으로써, 상기 플러그 패턴, 상기 장벽금속막 패턴, 상기 산소 확산방지막 패턴, 및 상기 내산화성 금속막 패턴으로 구성된 스토리지 전극을 형성하는 단계와, 상기 스토리지 전극이 형성된 결과물 전면에 절연막을 제1 두께로 형성하는 단계와, 상기 내산화성 금속막 패턴 상의 두께가 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지면서 표면단차가 완화된 절연막을 형성하는 단계와, 상기 내산화성 금속막 패턴이 노출될 때까지 상기 표면단차가 완화된 절연막을 전면 에치 백 함으로써, 상기 스토리지 전극 사이에 상기 장벽금속막 패턴의 측벽을 완전히 덮는 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 고유전막을 형성하는 후속공정시 장벽금속막 패턴이 산화되는 현상을 방지할 수 있으므로 고집적 반도체소자에 적합한 커패시터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR102168812B1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：KR1020200060080

申请日：2020-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현중 ,  국중갑 ,  김진원 ,  이정은 ,  고준호 ,  장경훈

IPC: H04S7/00