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公开(公告)号：KR1020010076266A
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：KR1020010002062
申请日：2001-01-13
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05B3/14
CPC classification number: H05B3/141
Abstract: PURPOSE: To provide a dimensional ratio of a board effective for preventing the oxidation of the contact point of an electrode of a heating unit and a connector of power supply part, while overcoming the heat-shock by dint of the enhancement of mechanical strength by using aluminium nitride, silicon nitride, or silicon carbide as a principal element of the board, and by controlling the heat conductivity by adding some appropriate material, and by making the temperature gradient between the heating unit and the electrode gradual. CONSTITUTION: Making the distance between the starting point of contact of the heating unit 2 and the electrode 3 of circuit, and the end of the ceramics board 1a at the electrode 3 side as A, and the thickness of the ceramics board as B, the shape of the ceramics heater with an electrode and a heating unit on the ceramics board is formed as A/B >= 20, and the heat conductivity of the ceramics board 1a is adjusted to 30-80 W/m.k.
Abstract translation: 目的：为了提供有效防止加热单元的电极和电源部件的连接器的接触点的氧化的电路板的尺寸比，同时通过使用增强机械强度来克服热冲击 氮化铝，氮化硅或碳化硅作为板的主要元件，并且通过添加一些合适的材料并通过使加热单元和电极之间的温度梯度逐渐变化来控制热导率。 构成：将加热单元2的接触起始点与回路的电极3之间的距离和电极3侧的陶瓷基板1a的端部之间的距离设为A，将陶瓷板的厚度设为B， 在陶瓷板上形成具有电极和加热单元的陶瓷加热器的形状为A / B> = 20，将陶瓷板1a的导热率调节至30-80W / m·k
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公开(公告)号：KR1020080091072A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020087001781
申请日：2007-05-21
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4586 , H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: A wafer holder applicable to processing of a wafer at a temperature not higher than normal temperature and especially suitable for use in a CVD system. A wafer holder (1) having a wafer mounting surface is composed of a ceramic, and internally has a channel (3) which passes a refrigerant for cooling the wafer holder (1), and is preferably further equipped with an electrode (2) for generating high frequency. The wafer holder (1) can be produced by forming the channel (3) on one sheet of a ceramic substrate, bonding at least another sheet of a ceramic substrate to the one ceramic substrate so as to cover the channel (3), and further bonding aceramic substrate, on which the electrode (2) for generating high frequency is formed, preferably.
Abstract translation: 适用于在不高于常温的温度下处理晶片并且特别适用于CVD系统的晶片保持器。 具有晶片安装面的晶片保持架（1）由陶瓷构成，内部具有通过用于冷却晶片保持架（1）的制冷剂的通道（3），并且优选还具备电极（2），用于 产生高频。 晶片保持器（1）可以通过在一片陶瓷基板上形成通道（3）而制成，将陶瓷基板的至少另一片接合到一个陶瓷基板上以覆盖通道（3），并且进一步 优选在其上形成用于产生高频的电极（2）的键合动画基片。
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公开(公告)号：KR100752888B1
公开(公告)日：2007-08-28
申请号：KR1020020019350
申请日：2002-04-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 본 발명의 피가열물 탑재용 히터 부재는 피가열물을 탑재하여 가열하는 피가열물 탑재용 히터 부재에 있어서, 반도체 웨이퍼나 액정용 기판 등의 기판(10)을 탑재하는 면 이외의 적어도 일부의 면이 경면이다.
이에 의해, 소정 온도로 가열할 때의 히터로 투입하는 전력을 저감할 수 있어, 지금까지 이상으로 효율적으로 피가열물을 가열할 수 있는 피가열물 탑재용 히터 부재 및 그를 이용한 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
피가열물 탑재용 히터 부재, 반도체 웨이퍼, 액정용 기판, 세라믹스 모듈, 챔버-
公开(公告)号：KR100554044B1
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1019990006817
申请日：1999-03-02
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: 반도체 소재 배선에 절연부를 가스 플라즈마에 의해 부여할 때, 동일 소재를 보유하고, 세라믹 기재(基材)를 적층한 정전 척킹(chucking) 방식의 보유체로서, 플라즈마 내식성(耐食性)이 우수하고, 큰 외경이라도 각 부(部)의 치수 정밀도가 높은 보유체(정전 척)를 제공한다. 복수의 질화 알루미늄(AlN)계 세라믹스로 이루어지는 기재를 고융점 금속층과 접착층에 의해 적층한 반도체 제조용 보유체에 있어서, 특히 이 질화 알루미늄(AlN) 세라믹 기재가 3a족 원소의 화합물을 동원소로 환산하여 0.01∼1 중량 % 포함하고, 잔여부가 실질적으로 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지며, AlN 결정의 평균 입경이 2∼5 μm인 것으로 한다.
반도체 제조용 보유체, 반도체 제조용 보유체 제조 방법, 정전 척킹(chucking) 방식, 고융점 금속층의 형성 패턴, 반도체 웨이퍼-
公开(公告)号：KR100551643B1
公开(公告)日：2006-02-14
申请号：KR1020030025633
申请日：2003-04-23
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143 , H05B3/265
Abstract: 세라믹 서셉터의 웨이퍼 보유면은 우수한 등온성을 갖고, 세라믹 서셉터는 반도체 제조 장치 및 액정 제조 장치에의 사용에 적합하다. 판형 세라믹 소결체(1)에 저항 발열체(2)가 형성된다. 세라믹 소결체 외주 엣지(1a)와 실질적인 저항 발열체 영역 외주 엣지(2a) 사이의 풀백 길이(L)의 변동은 ±0.8% 이내이고, 웨이퍼-보유면 전면의 등온비는 ±1.0% 이하이다. 풀백 길이(L)의 변동을 ±0.5% 이내로 함으로서 달성될 수 있는 ±0.5% 이하의 우수한 등온비가 바람직하다.
세라믹 소결체, 저항 발열체, 회로 단부, 소결체 외주 엣지, 저항 발열체 영역 외주 엣지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040086156A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020037017277
申请日：2003-03-06
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103
Abstract: 본 발명의 과제는 유지체 내에 매립 설치된 저항 발열체에 전력을 공급하기 위한 전극 단자 및 인출선에 누전이나 스파크가 발생되는 일 없고, 또한 유지체에 있어서 ± 1.0 ％ 이내의 균열성이 얻어지는 반도체 제조 장치용 유지체를 제공하는 것이다.
반응 가스가 공급되는 챔버 내로 설치되는 반도체 제조 장치용 유지체이며, 피처리물(10)을 표면 상에 유지하는 동시에 피처리물을 가열하기 위한 저항 발열체(2)를 구비하는 세라믹스로 된 유지체(1)와, 일단부가 상기 세라믹스로 된 유지체(1)를 그 피처리물 유지 표면 이외의 부위로 지지하고, 타단부가 챔버에 고정된 지지 부재(6)를 구비하고, 상기 세라믹스로 된 유지체(1)의 피처리물 유지 표면 이외의 부위에 설치한 저항 발열체(2)의 전극 단자(3) 및 인출선(4)이 절연관(5) 내에 수용되어 있는 반도체 제조 장치용 유지체이다.-
公开(公告)号：KR1020030082399A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：KR1020030023261
申请日：2003-04-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 반도체 제조 장치 작업편 홀더는 웨이퍼 유지면이 등온성면에서 우수하고 코터/디벨로퍼 내의 사진 석판 포토레지스트의 열경화 및 낮은 유전율, 예를 들면 낮은 k값 절연막의 소성에 사용하기 적합하다. 작업편 홀더는 웨이퍼 홀더(1) 및 웨이퍼 홀더(1)를 지지하는 지지 부재(4)로 이루어지고, 지지 부재(4)의 열전도성이 웨이퍼 홀더(1)의 열전도성보다 낮은 것을 특징으로 한다. 웨이퍼 홀더(1) 및 지지 부재(4)는 접합되지 않거나, 접합되는 경우에도 2.0 x 10
-6 /℃ 이하의 열팽창 계수 차이를 가지도록 만들어진다. 양호하게는 웨이퍼 홀더(1)의 주요 성분은 AlN이고 지지 부재(4)의 주요 성분은 멀라이트이다.-
公开(公告)号：KR100377700B1
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020010002062
申请日：2001-01-13
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05B3/14
CPC classification number: H05B3/141
Abstract: Aluminum nitride, silicon nitride or silicon carbide is employed as the main component forming a substrate for increasing mechanical strength and improving thermal shock resistance, a proper additive is blended for controlling thermal conductivity and a temperature gradient from a heating element to an electrode is loosened for providing a dimensional ratio of the substrate effective for preventing oxidation of a contact between an electrode of the heating element and a connector of a feeding part. In a ceramic heater having an electrode and a heating element formed on the surface of a ceramic substrate, A/B >/= 20 is satisfied assuming that A represents the distance from a contact between a circuit of the heating element (2) and the electrode (3) to an end of the ceramic substrate (1a) closer to the electrode (3) and B represents the thickness of the ceramic substrate (1a), and the thermal conductivity of the ceramic substrate (la) is adjusted to 30 to 80 W/m.K.
Abstract translation: 使用氮化铝，氮化硅或碳化硅作为形成用于提高机械强度和提高耐热冲击性的基材的主要成分，混合适当的添加剂以控制热导率，并且从发热元件到电极的温度梯度被放宽 提供衬底的有效防止加热元件的电极和供电部件的连接器之间的接触的氧化的尺寸比率。 在具有形成在陶瓷基片表面上的电极和加热元件的陶瓷加热器中，假定A表示加热元件（2）的电路与（2）的电路之间的接触距离，A / B＆gt; 将电极3连接到靠近电极3的陶瓷基片1a的一端，B代表陶瓷基片1a的厚度，并将陶瓷基片1a的导热率调节到30 到80 W / mK ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020020081142A
公开(公告)日：2002-10-26
申请号：KR1020020020917
申请日：2002-04-17
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143 , H05B3/283
Abstract: PURPOSE: A circuit pattern of resistance heating elements and a substrate treating apparatus including the pattern are provided to be capable of achieving a highly uniform temperature distribution on the surface of large-area semiconductor wafers and substrates for liquid crystals without prior measurement of a resistance-heating-element circuit and subsequent adjustment of the value of resistance. CONSTITUTION: At least one current-receiving point(4) and at least one current-releasing point(5) are provided at the central portion of an insulating substrate(1). One or more resistance-heating-element circuits(2) are embedded in the insulating substrate spirally or pseudospirally from the central portion including the current-receiving point(4) to the peripheral portion of the insulating substrate(1). All the circuits are merged with each other at the outermost portion. One or more resistance-heating-element circuits are separated with each other at the outermost portion of the resistance-heating-element circuits, and are formed spirally or pseudospirally from the outermost portion to the central portion including the current-releasing point(5).
Abstract translation: 目的：电阻加热元件的电路图案和包括该图案的基板处理设备被设置为能够在大面积半导体晶片和液晶基板的表面上实现高度均匀的温度分布，而无需先前测量电阻 - 加热元件电路，随后调整电阻值。 构成：在绝缘基板（1）的中央部分设置至少一个电流接收点（4）和至少一个电流释放点（5）。 一个或多个电阻加热元件电路（2）从包括电流接收点（4）的中心部分到绝缘基板（1）的周边部分螺旋地或假螺旋地嵌入在绝缘基板中。 所有电路在最外侧部分彼此合并。 一个或多个电阻加热元件电路在电阻加热元件电路的最外部彼此分离，并且从最外部到包括电流释放点（5）的中心部分螺旋形或假螺旋形地形成， 。
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公开(公告)号：KR1020020079547A
公开(公告)日：2002-10-19
申请号：KR1020020019350
申请日：2002-04-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: PURPOSE: To provide a heater member for object loaded to be heated, which can reduce power supplied to a heater when it is heated to a prescribed temperature and can efficiently heat the object to be heated much more than a conventional case, and to provide a substrate processor using the member. CONSTITUTION: In the heater member for an object loaded to be heated, which loads the object to be heated, at least a part of a face except for a face loading a semiconductor wafer and a substrate 10 such as a liquid crystal substrate is a mirror face.
Abstract translation: 目的：提供一种用于被加热物体的加热器构件，当加热到加热器的加热器件被加热到规定温度并且可以比常规的情况更加有效地加热待加热物体时， 使用该成员的基板处理器。 构成：在装载待加热物体的加热构件中，加载待加热物体，除了加载半导体晶片的面和基板10（例如液晶基板）以外的至少一部分表面是镜 面对。
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