公开(公告)号：KR1020090104122A

公开(公告)日：2009-10-05

申请号：KR1020097017661

申请日：2003-03-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: A holder for semiconductor production system in which occurrence of leak and spark is prevented in an electrode terminal and a lead wire for supplying power to a resistance heating element buried in the holder and soaking properties within ±1.0% can be attained in the holder. The holder for semiconductor production being disposed in a chamber supplied with reaction gas, comprises a ceramic holder (1) for holding material being processed (10) on the surface and incorporating resistance heating elements (2) for heating the materials being processed, and a supporting member (6) having one end for supporting the ceramic holder (1) at a part other than the surface for holding the material and the other end secured to the chamber, wherein the electrode terminal (3) and the lead wire (4) of the resistance heating element (2) provided at a part of the ceramic holder (1) other than the surface for holding the material are housed in an insulating tube (5).

Abstract translation: 在保持器中可以获得半导体生产系统的保持器，其中在电极端子中防止发生漏电和火花，并且在保持器中可以获得用于向埋在保持器中的电阻加热元件供电的引线和在±1.0％内的均热性能。 用于半导体生产的保持器设置在提供有反应气体的室中，包括用于在表面上保持被处理材料（10）的陶瓷保持器（1），并且包括用于加热待处理材料的电阻加热元件（2），以及 支撑构件（6），其一端用于在保持材料的表面以外的部分处支撑陶瓷保持器（1），另一端固定到腔室，其中电极端子（3）和引线（4） 设置在除了用于保持材料的表面之外的陶瓷保持器（1）的一部分处的电阻加热元件（2）容纳在绝缘管（5）中。

公开(公告)号：KR1020090004836A

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020087001478

申请日：2007-04-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  아와즈도모유끼 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H05K7/20963 ,  F28F3/048 ,  F28F13/18 ,  F28F19/02 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided is a heat transfer member (20) comprising a holding portion (1) and pillar portions (2) arranged entirely or partially at an inclination with respect to the holding portion (1). The pillar portions (2) individually contact with a contacted member (21), and are individually deformed elastically and/or plastically along the shape of their faces to contact with the contacted member (21), thereby to contact directly with the undulation or roughness of the contacted member (21) and to transfer the heat through the pillar portions (2).

Abstract translation: 提供一种传热构件（20），其包括保持部（1）和相对于保持部（1）全部或部分地倾斜设置的柱部（2）。 支柱部分（2）分别与接触构件（21）接触，并且沿其表面的形状弹性和/或塑性单独变形以与接触构件（21）接触，从而直接与起伏或粗糙度接触 的接触构件（21），并且通过柱部（2）传递热量。

公开(公告)号：KR100634921B1

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：KR1020027016908

申请日：2002-04-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B32B18/00 ,  B32B2309/022 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/44 ,  C04B35/581 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  Y10T279/23

Abstract: A substrate holding structure having excellent corrosion resistance and airtightness, having excellent dimensional accuracy and having sufficient durability when mechanical or thermal stress is applied thereto is obtained. A holder (1) serving as the substrate holding structure according to the present invention comprises a ceramic base (2) for holding a substrate, a protective cylinder (7) joined to the ceramic base (2) and a joining layer (8) positioned between the ceramic base (2) and the protective cylinder (7) for joining the ceramic base (2) and the protective cylinder (7) to each other. The joining layer (8) contains at least 2 mass % and not more than 70 mass % of a rare earth oxide, at least 10 mass % and not more than 78 mass % of aluminum oxide, and at least 2 mass % and not more than 50 mass % of aluminum nitride. The rare earth oxide or the aluminum oxide has the largest ratio among the aforementioned three types of components in the joining layer (8).

公开(公告)号：KR100511542B1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：KR1020027008766

申请日：2001-10-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: F24H1/10

Abstract: 본 발명의 과제는 유체로의 열전달 효율을 향상시켜, 히터 자신의 소형화를 도모하는 동시에, 필요한 온도의 온수가 공급되기까지의 급상승 시간이 짧고, 소비 전력이 적은 유체 가열용 히터를 제공하는 것이다.
평판형 세라믹스 기판(1)과, 세라믹스 기판(1)의 일표면상 또는 내부에 형성한 발열체를 구비하고, 세라믹스 기판(1)의 열전도율이 50 W/mㆍK 이상인 AlN 등 또는 질화 규소이다. 세라믹스 기판(1)의 유체 가열면에는 벽(6) 등으로 지그재그인 수로를 형성하고, 그 수로 내에 다수의 핀(5)이 고정 부착되어 있다. 또한, 세라믹스 기판(1)의 유체 가열면 이외의 표면을 덮도록, 단열재(8)를 부착할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050042070A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020047007498

申请日：2003-03-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬 ,  구이비라아끼라 ,  하시꾸라마나부

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248

Abstract: A wafer holder in which uniform heating properties of the wafer holding surface are enhanced by suppressing local heat dissipation at the time of holding and heating a wafer, and a system for producing a semiconductor which is made suitable for processing even a wafer of a large diameter using that wafer holder. The wafer holder (1) comprises resistance heaters (3) buried in a ceramic basic body (2), and leads (4) penetrating a reaction container (6), wherein the leads (4) are housed in guide members (5), respectively. The guide members (5) and the reaction container (6) are sealed hermetically and the inside of the guide members (5) is also sealed hermetically. The guide members (5) and the ceramic basic body (2) are not bonded to each other, and the atmosphere on the ceramic basic body (2) side in the internally sealed guide members (5) is substantially identical to that in the reaction container (6).

Abstract translation: 通过抑制晶片的保持和加热时的局部散热来提高晶片保持面的均匀加热性能的晶片保持器，以及适合于加工大直径晶片的半导体制造系统 使用该晶片座。 晶片架（1）包括埋在陶瓷基体（2）中的电阻加热器（3）和穿过反应容器（6）的引线（4），其中引线（4）容纳在引导构件（5）中， 分别。 引导构件（5）和反应容器（6）密封地密封，引导构件（5）的内部也被密封地密封。 引导构件（5）和陶瓷基体（2）彼此不接合，并且内部密封的引导构件（5）中的陶瓷基体（2）侧的气氛与反应中的大致相同 容器（6）。

公开(公告)号：KR1020030082400A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：KR1020030023262

申请日：2003-04-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬 ,  구이비라아끼라

IPC: H01L21/68

Abstract: 공기중의 산소에 의하여 야기된 손상이 방지되는 워크피스 지지체를 구비한 처리 장치와 높은 신뢰성을 갖는 저렴한 워크피스 지지체가 제공된다. 지지체는 워크피스를 지지할 수 있고, 전열 회로와 전극을 갖는 세라믹체와, 세라믹체에 접속된 단부를 갖는 관형 부재와, 관형 부재 내에 배치되고, 관형 부재 내의 공간을 제1 단부측 구역("밀봉 구역")과 대향측 구역("대향 구역")의 두 구역으로 분리하는 밀봉 부재와, 밀봉된 구역측으로 밀봉 부재를 침투하며, 대향 구역측에서 신장하며, 전극과 전열 회로에 전기적으로 접속된 전력 공급 전도 부재를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990077529A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019990006817

申请日：1999-03-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 유시오야스히사 ,  나까따히로히꼬 ,  나쯔하라마스히로

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체 소재 배선에 절연부를 개스 플라즈마에 의해 부여할 때, 동일 소재를 보유하고, 세라믹 기재(基材)를 적층한 정전 척킹(chucking) 방식의 보유체로서, 플라즈마 내식성(耐食性)이 우수하고, 큰 외경이라도 각 부(部)의 치수 정밀도가 높은 보유체(정전 척)를 제공한다.
복수의 질화 알루미늄(AlN)계 세라믹스로 이루어지는 기재를 고융점 금속층과 접착층에 의해 적층한 반도체 제조용 보유체에 있어서, 특히 이 질화 알루미늄(AlN) 세라믹 기재가 3a족 원소의 화합물을 동원소로 환산하여 0.01∼1 중량 % 포함하고, 나머지부가 실질적으로 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지며, AlN 결정의 평균 입자 지름이 2∼5 μm인 것으로 한다.

公开(公告)号：KR100985970B1

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：KR1020047009494

申请日：2003-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬 ,  구이비라아끼라 ,  하시꾸라마나부

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 가열 처리시의 열응력에 의한 고정 통형 부재 및/또는 고정 지지 부재의 파손을 방지한 웨이퍼 보유 지지 부재 및 이 웨이퍼 보유 지지 부재를 이용한 신뢰성이 높은 반도체 제조 장치를 제공한다. 고정 통형 부재(5) 및/또는 고정 지지 부재 중 적어도 2개가, 일단부를 세라믹스 히터(2)에, 타단부를 반응 용기(4)에 고정시키고, 세라믹스 히터(2)의 최고 도달 온도를 T1, 세라믹스 히터(2)의 열팽창 계수를 α1, 반응 용기(4)의 최고 도달 온도를 T2, 반응 용기(4)의 열팽창 계수를 α2, 복수의 고정 통형 부재(5) 및/또는 고정 지지 부재간의 상온에 있어서의 세라믹스 히터(2) 상에서의 최장 거리를 L1, 복수의 고정 통형 부재(5) 및/또는 고정 지지 부재간의 상온에 있어서의 반응 용기(4) 상에서의 최장 거리를 L2라 하였을 때, 관계식 ｜(T1 × α1 × L1) - (T2 × α2 × L2)｜ ≤ 0.7 ㎜를 충족시키고 있다.
세라믹스 히터, 통형 부재, 반응 용기, 고정 지지 부재, O링

公开(公告)号：KR100879848B1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020020020917

申请日：2002-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나리따마사시 ,  나까따히로히꼬 ,  구이비라아끼라

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/283

Abstract: 사전에 저항 발열체 회로 측정 및 저항값 조정을 하지 않고, 대형의 반도체 웨이퍼 및 액정용 기판의 표면 상에 고도로 균일한 온도 분포를 달성하는 기술이다. 적어도 하나의 전류 입력점(current receiving point; 4) 및 적어도 하나의 전류 출력점(current releasing point; 5)이 절연 기판(1)의 중심부에 설치된다. 하나 이상의 저항 발열체 회로(2)는 전류 입력점(4)을 포함하는 중심부로부터 절연 기판의 외주부까지 나선형 또는 의사 나선형으로 절연 기판에 매설된다. 모든 회로는 최외주부에서 서로 합류한다. 하나 이상의 저항 발열체 회로는 저항 발열체 회로의 최외주부에서 분기되고 최외주부로부터 전류 출력점(5)을 포함하는 중심부까지 나선형 또는 의사 나선형으로 형성된다.
반도체 웨이퍼, 액정형 기판, 저항 발열체, 회로 패턴, 절연 기판, 온도 분포, 나선형, 의사 나선형

公开(公告)号：KR1020060100316A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020060077904

申请日：2006-08-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬 ,  구이비라아끼라 ,  신마겐지

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 본 발명의 피가열물 탑재용 히터 부재는 피가열물을 탑재하여 가열하는 피가열물 탑재용 히터 부재에 있어서, 반도체 웨이퍼나 액정용 기판 등의 기판(10)을 탑재하는 면 이외의 적어도 일부의 면이 경면이다.
이에 의해, 소정 온도로 가열할 때의 히터로 투입하는 전력을 저감할 수 있어, 지금까지 이상으로 효율적으로 피가열물을 가열할 수 있는 피가열물 탑재용 히터 부재 및 그를 이용한 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
피가열물 탑재용 히터 부재, 반도체 웨이퍼, 액정용 기판, 세라믹스 모듈, 챔버