公开(公告)号：KR100937540B1

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：KR1020097017661

申请日：2003-03-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: 본 발명의 과제는 유지체 내에 매립 설치된 저항 발열체에 전력을 공급하기 위한 전극 단자 및 인출선에 누전이나 스파크가 발생되는 일 없고, 또한 유지체에 있어서 ± 1.0 ％ 이내의 균열성이 얻어지는 반도체 제조 장치용 유지체를 제공하는 것이다.
반응 가스가 공급되는 챔버 내로 설치되는 반도체 제조 장치용 유지체이며, 피처리물(10)을 표면 상에 유지하는 동시에 피처리물을 가열하기 위한 저항 발열체(2)를 구비하는 세라믹스로 된 유지체(1)와, 일단부가 상기 세라믹스로 된 유지체(1)를 그 피처리물 유지 표면 이외의 부위로 지지하고, 타단부가 챔버에 고정된 지지 부재(6)를 구비하고, 상기 세라믹스로 된 유지체(1)의 피처리물 유지 표면 이외의 부위에 설치한 저항 발열체(2)의 전극 단자(3) 및 인출선(4)이 절연관(5) 내에 수용되어 있는 반도체 제조 장치용 유지체이다.
세라믹스로 된 유지체, 챔버, 전극 단자, 인출선, 저항 발열체, 절연관

公开(公告)号：KR100539634B1

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：KR1019980045746

申请日：1998-10-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬 ,  유시오야스히사

IPC: H05B3/10

Abstract: 본 발명의 세라믹스 히터는 질화 알루미늄 소결체로 이루어진 기판(1)과, 그 기판(1)의 표면에 형성한 은 또는 은 합금을 주성분으로 하는 발열체(2) 및 급전용의 전극(3)을 구비하고, 질화 알루미늄 소결체가 주기율표의 2A족 또는 3A족의 원소 또는 화합물과, 규소 원소 환산으로 0.01∼0.5 중량%의 규소 또는 규소 화합물을 함유하고, 또한 바람직하게는 8족 천이 원소 또는 화합물을 원소 환산으로 0.01∼1 중량% 함유한다.

公开(公告)号：KR100551642B1

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：KR1020030023261

申请日：2003-04-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 반도체 제조 장치 작업편 홀더는 웨이퍼 유지면이 등온성면에서 우수하고 코터/디벨로퍼 내의 사진 석판 포토레지스트의 열경화 및 낮은 유전율, 예를 들면 낮은 k값 절연막의 소성에 사용하기 적합하다. 작업편 홀더는 웨이퍼 홀더(1) 및 웨이퍼 홀더(1)를 지지하는 지지 부재(4)로 이루어지고, 지지 부재(4)의 열전도성이 웨이퍼 홀더(1)의 열전도성보다 낮은 것을 특징으로 한다. 웨이퍼 홀더(1) 및 지지 부재(4)는 접합되지 않거나, 접합되는 경우에도 2.0 x 10
-6 /℃ 이하의 열팽창 계수 차이를 가지도록 만들어진다. 양호하게는 웨이퍼 홀더(1)의 주요 성분은 AlN이고 지지 부재(4)의 주요 성분은 멀라이트이다.
반도체 제조 장치, 지지 부재, 웨이퍼 홀더, 열팽창 계수, 유지면

公开(公告)号：KR100551670B1

公开(公告)日：2006-02-13

申请号：KR1020047010328

申请日：2003-03-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가찌요시후미 ,  구이비라아끼라 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 본 발명의 과제는 세라믹 히터의 형상, 특히 상온시의 두께 방향에 있어서의 외경의 변동을 억제하고, 가열 처리시에 있어서의 웨이퍼 표면의 균열성을 높인 반도체 제조 장치용 세라믹 히터를 제공하는 것이다. 세라믹 기판(2a, 2b)의 표면 또는 내부에 저항 발열체(3)를 갖는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터(1)이며, 비가열시에 있어서 세라믹 히터의 두께 방향에 있어서의 최대 외경과 최소 외경의 차이를 웨이퍼 적재면에 있어서의 평균 외경의 0.8 ％ 이하로 한다. 세라믹 히터(1)는 세라믹 기판(2a, 2b)의 표면 또는 내부에 플라즈마 전극이 더 배치되어 있어도 좋다. 또한, 세라믹 기판(2a, 2b)은 질화알루미늄, 질화규소, 산질화알루미늄, 탄화규소로부터 선택된 1 종류가 바람직하다.
세라믹 기판, 저항 발열체, 세라믹 히터, 접착층, 플라즈마 전극

Abstract translation: 本发明的一个目的是抑制在外径的变化在厚度方向上，当陶瓷加热器的形状，特别是在室温下，并提供与在热处理时在晶片表面的改进的抗裂性的半导体制造装置的陶瓷加热器。 陶瓷加热器（1）的用于半导体制造装置的陶瓷基片具有一个表面或电阻加热元件（3）中的内部（2A，2B），最大外直径，并且在所述陶瓷加热器的厚度方向上的最小外径在十点之间的差的比率 和0.8％或更少的晶片载置面的平均外径的。 陶瓷加热器（1）可以是上或陶瓷基板内的等离子体电极（2A，2B）被进一步布置。 另外，陶瓷基板（2A，2B）是1从氮化铝，氮化硅，氧氮化铝，碳化硅是优选的选择种类。

公开(公告)号：KR100420456B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：KR1020010003124

申请日：2001-01-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  C04B37/005 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/066 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/567 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/80 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/67103 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5022 ,  C04B35/581

Abstract: A wafer holder for a semiconductor manufacturing apparatus that has a high heat conductivity and includes a conductive layer such as heater circuit pattern which can be formed with a high precision pattern, a method of manufacturing the wafer holder, and a semiconductor manufacturing apparatus having therein the wafer holder are provided. On a surface of a sintered aluminum nitride piece (10a), paste containing metal particles is applied and fired to form a heater circuit pattern (11) as a conductive layer. Between the surface of the sintered aluminum nitride piece (10a) having the heater circuit pattern (11) formed thereon and another sintered aluminum nitride piece (10b), a glass layer (14) is provided as a joint layer to be heated for joining the sintered aluminum nitride pieces (10a and 10b) together.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体制造装置用晶片保持架及其制造方法，该半导体制造装置具有高导热性，并且具有能够以高精度的图案形成的加热器电路图案等导电层， 晶片支架。 在氮化铝烧结体片（10a）的表面上涂布含有金属粒子的糊剂并烧成，形成作为导电层的加热器电路图案（11）。 在形成有加热器电路图案（11）的烧结氮化铝片（10a）的表面和另一烧结氮化铝片（10b）之间设置玻璃层（14）作为接合层，以便加热以接合 将氮化铝烧结片（10a和10b）一起烧结。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100413989B1

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：KR1020010003083

申请日：2001-01-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

Abstract: A gas shower unit (1) has a function of preliminary heating reactant gas to be passed therethrough, and is thus capable of causing uniform reaction within a semiconductor manufacturing apparatus and preventing through hole clogging and particle generation. The gas shower unit (1) has a base material of 5 mm or less in thickness and includes a sintered aluminum nitride base material (10) having a plurality of through holes (11) and a heater circuit pattern (12) or a plasma upper electrode (14) as a conductive layer formed in the sintered aluminum nitride base material (10).

Abstract translation: 气体喷淋单元（1）具有预热通过的反应气体的功能，因此能够在半导体制造装置内进行均匀的反应，防止贯通孔堵塞和颗粒产生。 气体喷淋单元（1）具有厚度为5mm或更小的基体材料，并且包括具有多个通孔（11）和加热器电路图案（12）或等离子体上部的烧结氮化铝基体材料（10） 作为形成在氮化铝烧结基体材料（10）上的导电层的电极（14）。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030007958A

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：KR1020027016908

申请日：2002-04-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B32B18/00 ,  B32B2309/022 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/44 ,  C04B35/581 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  Y10T279/23

Abstract: 우수한 내식성 및 기밀성을 갖는 동시에, 우수한 치수 정밀도를 갖고, 기계적 혹은 열적 응력이 가해진 경우에 충분한 내구성을 갖는 기판 보유 지지 구조체를 얻을 수 있다. 본 발명에 의한 기판 보유 지지 구조체로서의 보유 지지 부재(1)는 기판을 보유 지지하기 위한 세라믹스 기체(2)와, 세라믹스 기체(2)에 접합된 보호통 부재(7)와, 세라믹스 기체(2)와 보호통 부재(7) 사이에 위치하고, 세라믹스 기체(2)와 보호통 부재(7)를 접합하는 접합층(8)을 구비한다. 접합층(8)은 희토류 산화물을 2 질량 ％ 이상 70 질량 ％ 이하, 산화 알루미늄을 10 질량 ％ 이상 78 질량 ％ 이하, 질화 알루미늄을 2 질량 ％ 이상 50 질량 ％ 미만 함유한다. 접합층(8)에 있어서 상기 3 종류의 성분 중 희토류 산화물 혹은 산화 알루미늄의 비율이 가장 많다.

Abstract translation: 获得具有优异的耐腐蚀性和气密性的基板保持结构，其具有优异的尺寸精度并且在施加机械应力或热应力时具有足够的耐久性。 作为本发明的基板保持结构的支架（1）包括用于保持基板的陶瓷基体（2），与陶瓷基体（2）接合的保护筒（7）和位于其上的接合层（8） 在陶瓷基座（2）和保护筒（7）之间，用于将陶瓷基座（2）和保护筒（7）彼此连接。 接合层（8）含有至少2质量％且不超过70质量％的稀土氧化物，至少10质量％且不超过78质量％的氧化铝，以及至少2质量％且不超过 超过50质量％的氮化铝。 稀土氧化物或氧化铝在接合层（8）中具有上述三种组分中最大的比例。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020020064975A

公开(公告)日：2002-08-10

申请号：KR1020027008530

申请日：2001-10-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: G03G15/20

Abstract: 세라믹스 히터와 원통 형상의 정착 필름을 이용한 가열 정착 장치에 있어서, 24 ppm 이상의 고속 정착을 가능하게 하여, 정착 필름의 내구성을 보다 한층 향상시키는 동시에, 정착성을 더욱 개선 향상시킨다.
세라믹스 히터(10)의 정착 필름(3)과 접촉하는 정착면측 표면 및 히터 지지 부재(12) 중 적어도 정착면측 표면에 인접하는 부분의 형상을 소정의 닙 폭으로 가압 롤러(4)로 압박한 정지 상태 또는 주행 상태에서의 정착 필름(3)의 자연스러운 변형 형상과 대략 동일한 형상으로 한다. 또한, 닙부 및 이에 인접하는 입구측과 출구측에서 평면 형상으로 하고, 그 이외의 부분에서는 정착 필름(3)의 원통 형상에 따른 곡면 형상으로 하는 것도 가능하다.

公开(公告)号：KR1020000011593A

公开(公告)日：2000-02-25

申请号：KR1019990027645

申请日：1999-07-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: C04B35/71

CPC classification number: B28B17/0018 ,  Y10T225/12

Abstract: PURPOSE: Ceramic board and its manufacturing method are provided which has no decrease of the strength and has the excellent dimensional accuracy. CONSTITUTION: Ceramic boards are manufactured by dividing of the ceramic sintered body through the grooves generated with the scraper. The line terminal equipment of the scraper is desirable to be made of cemented carbide or diamond. The depth of the groove is suitable between 1/100 and 1/10 to the thickness of ceramic board. This process is very simple, so the manufacturing cost is decreased, And, ceramic board that has no decrease of the strength and has the excellent dimensional accuracy can be obtained.

Abstract translation: 目的：提供陶瓷板及其制造方法，其强度不降低，尺寸精度优良。 构成：通过用刮刀产生的凹槽将陶瓷烧结体分开来制造陶瓷板。 刮刀的线路终端设备最好由硬质合金或金刚石制成。 槽的深度适合于陶瓷板厚度的1/100至1/10。 这个过程非常简单，因此制造成本降低，并且可以获得没有强度降低且尺寸精度优异的陶瓷板。

公开(公告)号：KR1020090104122A

公开(公告)日：2009-10-05

申请号：KR1020097017661

申请日：2003-03-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구이비라아끼라 ,  나쯔하라마스히로 ,  나까따히로히꼬

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: A holder for semiconductor production system in which occurrence of leak and spark is prevented in an electrode terminal and a lead wire for supplying power to a resistance heating element buried in the holder and soaking properties within ±1.0% can be attained in the holder. The holder for semiconductor production being disposed in a chamber supplied with reaction gas, comprises a ceramic holder (1) for holding material being processed (10) on the surface and incorporating resistance heating elements (2) for heating the materials being processed, and a supporting member (6) having one end for supporting the ceramic holder (1) at a part other than the surface for holding the material and the other end secured to the chamber, wherein the electrode terminal (3) and the lead wire (4) of the resistance heating element (2) provided at a part of the ceramic holder (1) other than the surface for holding the material are housed in an insulating tube (5).

Abstract translation: 在保持器中可以获得半导体生产系统的保持器，其中在电极端子中防止发生漏电和火花，并且在保持器中可以获得用于向埋在保持器中的电阻加热元件供电的引线和在±1.0％内的均热性能。 用于半导体生产的保持器设置在提供有反应气体的室中，包括用于在表面上保持被处理材料（10）的陶瓷保持器（1），并且包括用于加热待处理材料的电阻加热元件（2），以及 支撑构件（6），其一端用于在保持材料的表面以外的部分处支撑陶瓷保持器（1），另一端固定到腔室，其中电极端子（3）和引线（4） 设置在除了用于保持材料的表面之外的陶瓷保持器（1）的一部分处的电阻加热元件（2）容纳在绝缘管（5）中。