황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법

    公开(公告)号:KR1020170036604A

    公开(公告)日:2017-04-03

    申请号:KR1020160113101

    申请日:2016-09-02

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은후면전극에황화아연버퍼층을적용한 CZTS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을도입하여광흡수층을형성함으로써후면전극과광흡수층사이의계면제어를통해광전환효율및 전지특성이향상된박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지제조방법은후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을형성시킴으로써계면에발생하는공극(void)을감소시켜보다균일하고조밀한박막을가질수 있으며, 광흡수층금속전구체의구성원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족원소(Se,S)가몰리브덴후면전극으로확산하는것을억제함으로써광흡수층과후면전극의전기적접합을향상시켜광전환효율이우수한이점을갖는다.

    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지
    33.
    发明授权
    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지 有权
    CZTS CZTS CZTS型薄膜太阳能电池和CZTS型薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101646556B1

    公开(公告)日:2016-08-09

    申请号:KR1020150110499

    申请日:2015-08-05

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지에관한것으로, 구체적으로는기판상에후면전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의후면전극상에에너지빔을조사하여후면전극을재결정화하는단계(단계 2); 및상기단계 2의후면전극상에 CZTS(CuZnSn(S,Se)) 광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하는 CZTS 박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 후면전극을재결정화함으로써후면전극과 CZTS 박막사이에발생할수 있는계면화합물을억제할수 있어, 후면전극장벽을낮춰서정공의흐름을향상시키고, 소자의직렬저항을개선해서충진률(Fill Factor)을향상시켜전체적인소자의효율이향상되는효과가있다. 또한, 후면전극의재결정화가에너지빔을통하여저온에서수행되므로, 소다석회유리와같이광흡수층의특성을향상시킬수 있는기판을사용할수 있는장점이있다.

    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지
    34.
    发明授权
    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지 有权
    基于CZTS的薄膜太阳能电池和基于CZTS的薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101559102B1

    公开(公告)日:2015-10-13

    申请号:KR1020140129970

    申请日:2014-09-29

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/18 H01L31/0256 H01L31/04

    Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지를제공하며, 구체적으로는, 600 ℃내지 1100 ℃에서견딜수 있는기판상에전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의전극상에, 광흡수층을위한전구체층을형성하는단계(단계 2); 및상기단계 2의전구체층을 600 ℃내지 1100 ℃에서황화공정또는셀렌화공정을수행하여광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하되, 상기단계 2의수행전 또는수행후에 Na 첨가공정을수행하는것을특징으로하는 CZTS 박막태양전지의제조방법을제공한다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 600 ℃이상의고온에서광흡수층을형성하기때문에, 결정성이향상되고이에따라결함이제거되어개방전압과단락전류의손실을최소화할수 있는효과가있다. 나아가, 고온의공정을수행함에따라소다라임기판을사용하지않는대신 Na을첨가하는공정을포함함으로써, 광흡수층의특성향상효과를나타낼수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种CZTS薄膜太阳能电池及其制造方法。 更具体地说,该方法包括以下步骤:在能够承受600-1100℃的温度的基板上形成电极(步骤1)。 在步骤1(步骤2)中形成的电极上形成用于光吸收层的前体层; 以及在600-1100℃的温度下进行处理步骤2的前体层以形成光吸收层的硫化物或硒化物工艺(步骤3)。 在步骤2之前或之后进行Na添加处理。根据本发明的CZTS薄膜太阳能电池制造方法用于在600℃或更高的高温下形成光吸收层以提高结晶度并消除 从而使短路电流和开路电压的损失最小化。 此外,本发明进行高温处理以添加Na添加处理而不是使用钠钙基质,从而提高光吸收层的性质。

    CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
    36.
    发明公开
    CZTS계 박막 태양전지의 제조방법 有权
    制造CZTS型薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020150038788A

    公开(公告)日:2015-04-09

    申请号:KR1020130116222

    申请日:2013-09-30

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 본발명은 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1);상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2);상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3);상기버퍼층상에윈도우층을형성하는단계(단계 4); 및상기윈도우층을열처리하는단계(단계 5);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법, 기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1);상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2);상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3);상기버퍼층을열처리하는단계(단계 4);상기버퍼층상에윈도우층을형성하는단계(단계 5); 및상기윈도우층을열처리하는단계(단계 6);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법및 기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1); 상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2); 상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3); 및상기버퍼층을열처리하는단계(단계 4);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법을제공한다. 본발명은, 버퍼층또는윈도우층형성후 열처리를수행하거나, 버퍼층형성후 열처리및 윈도우층형성후 열처리를수행함으로써계면간의결함을최소화할수 있으며, 이를통해태양전지의광전변환효율을높일수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法。 本发明提供了一种制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法,该方法包括:在基板上形成后电极层的步骤1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 在缓冲层上形成窗口层的步骤4; 以及对窗口层进行热处理的步骤5,制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法,包括:在基板上形成后电极层的步骤1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 热处理缓冲层的工序4; 在缓冲层上形成窗口层的步骤5; 以及对窗口层进行热处理的步骤6,以及制造CZTS系薄膜太阳能电池的方法,其特征在于,包括:在基板上形成背面电极层的工序1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 以及对缓冲层进行热处理的工序4。 本发明的方法可以通过在形成缓冲层或窗口层之后进行热处理或在形成缓冲层之后进行热处理并且在形成窗口层之后进行热处理来最小化界面缺陷,由此改善光电转换 太阳能电池的效率。

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