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公开(公告)号：KR101893411B1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：KR1020180002212
申请日：2018-01-08
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은후면전극에황화아연버퍼층을적용한 CZTS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을도입하여광흡수층을형성함으로써후면전극과광흡수층사이의계면제어를통해광전환효율및 전지특성이향상된박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지제조방법은후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을형성시킴으로써계면에발생하는공극(void)을감소시켜보다균일하고조밀한박막을가질수 있으며, 광흡수층금속전구체의구성원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족원소(Se,S)가몰리브덴후면전극으로확산하는것을억제함으로써광흡수층과후면전극의전기적접합을향상시켜광전환효율이우수한이점을갖는다.
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公开(公告)号：KR101583027B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140130059
申请日：2014-09-29
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/046 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은 CZTS계태양전지광흡수층제조방법및 이에따라제조되는 CZTS계태양전지광흡수층에관한것으로, 상세하게는구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및셀레늄(Se)으로이루어진군으로부터선택된 1종이상을포함하는전구체박막을형성하는단계(단계 1); 및상기단계 1의전구체박막에셀렌화-황화공정을동시에수행하여광흡수층의밴드갭을조절하는단계(단계 2);를포함하는 CZTS(CuZnSn(S,Se))계태양전지광흡수층제조방법을제공한다. 본발명에따른 CZTS계태양전지광흡수층제조방법에따르면, 태양전지광흡수층내의셀렌(Se) 및황(S)의비율을조절할수 있어, 밴드갭의조절을통하여우수한효율의 CZTS계태양전지를제공할수 있는효과가있다. 또한, 셀렌원료와황 원료를동시에챔버내에서열처리하므로, 공정이단순하고, 셀렌원료와황 원료는고체원료로써, 종래의기체를사용하여셀렌화-황화공정을하는경우보다공정이용이한장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造Cu_2ZnSn（S，Se）_4（CZTS）的太阳能电池光吸收层的方法及其制造的基于CZTS的太阳能电池光吸收层，更具体地涉及一种 制造基于CZTS的太阳能电池光吸收层的方法，包括：（步骤1）形成包含选自Cu，Zn，Sn，S和Se中的至少一种的前体薄膜的步骤; 和（步骤2）在步骤1中通过同时进行前体膜上的硒化 - 硫化处理来调节光吸收层的带隙的步骤。根据制造CZTS系太阳能电池光吸收的方法 可以调节太阳能电池光吸收层内的Se和S的比例; 从而通过调整带隙提供高效的基于CZTS的太阳能电池。 另外，通过加热同时处理Se和S的原料，使工艺简单; Se和S的原料是固体，使得该方法比使用气体的现有硒化 - 硫化方法更容易。
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公开(公告)号：KR1020150052416A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130133084
申请日：2013-11-04
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본기재는신축성전극(400)을포함하는전기소자를제조하는방법으로서, 전극재료를용매에분산시켜잉크용액을준비하는단계; 잉크젯프린팅공정에의해상기잉크용액을신축성기판(100) 상에분사하여신축성전극(400)을형성하는단계를포함하는, 방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造包括可拉伸电极（400）的电子设备的方法。 它包括通过将电极材料分散在溶剂中来制备墨水溶液的步骤; 以及通过喷墨印刷方法将油墨溶液注入到伸缩性基材（100）上而形成伸缩性电极（400）的工序。
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公开(公告)号：KR101004736B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020090065532
申请日：2009-07-17
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786
CPC classification number: G11C13/0002 , H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L29/78645
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile resistive memory device and a manufacturing method of the same are provided to form an active area of resistance memory device and an active area of thin transistor operating the resistance memory device using same material. CONSTITUTION: A bottom electrode(102) is formed on a substrate(103). A semiconductor film(101) including the IGZO is formed on the bottom electrode. An upper electrode(100) is formed in the semiconductor film. At least one of the bottom electrode and the upper electrode is made of one out of Pt, Ir, Au, and Ag.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性电阻存储器件及其制造方法，以形成电阻存储器件的有源区和使用相同材料操作电阻存储器件的薄晶体管的有源区。 构成：底部电极（102）形成在基底（103）上。 在底部电极上形成包括IGZO的半导体膜（101）。 在半导体膜中形成上电极（100）。 底部电极和上部电极中的至少一个由Pt，Ir，Au和Ag中的一个制成。
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公开(公告)号：KR102042656B1
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：KR1020130099638
申请日：2013-08-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/072
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101978110B1
公开(公告)日：2019-05-13
申请号：KR1020190013807
申请日：2019-02-01
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/0392
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7.发明公开셀렌화 및 황화 열처리를 통한 셀렌 및 황의 조성이 조절된 박막 태양전지 광흡수층의 제조방법 및 상기 광흡수층을 함유한 박막 태양전지 有权具有受控硒和薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池光吸收体的制造方法
公开(公告)号：KR20180034285A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR20170124487
申请日：2017-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은셀렌화및 황화열처리를통한셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지광흡수층의제조방법및 상기광흡수층을함유한박막태양전지에관한것이다. 구체적으로본 발명에따른광흡수층내 셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지의광흡수층제조는, 후면전극층상에금속, 금속황 또는금속셀렌을포함하는금속화합물전구체를증착하는단계; 순수셀렌금속을이용하여셀렌(Se)화공정을진행하는단계; 셀렌화공정후 잔유셀렌물질및 기화가스를제거(purge) 하는단계; 및황화수소(H2S) 가스주입및 황화열처리를순차적으로진행하는단계를포함한다. 본발명에따른방법은흡수층내에서셀렌과황의비율을적절하게조정하여밴드갭조절이가능한고품질의화합물태양전지의제조에유용하게활용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过硒化和硫化热处理来控制硒和硫的组成的薄膜太阳能电池光吸收层的制造方法以及包含该光吸收层的薄膜太阳能电池。 具体而言，该方法包括沉积包含的光内的光吸收层吸收控制薄膜太阳能电池中的硫成分的层和硒制造的金属化合物前体中，金属背面电极层，在根据本发明的金属硫或硒金属; 使用纯硒金属进行硒化工艺; 添加硒后，清除残留的硒物质和蒸发气体; 以及依次注入硫化氢（H 2 S）气体和硫化热处理的步骤。 根据本发明的方法可以有效地用于制造能够通过适当调节吸收层中硒与硫的比率来调节带隙的高质量化合物太阳能电池。
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公开(公告)号：KR1020180005730A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020180002212
申请日：2018-01-08
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0392 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본발명은후면전극에황화아연버퍼층을적용한 CZTS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을도입하여광흡수층을형성함으로써후면전극과광흡수층사이의계면제어를통해광전환효율및 전지특성이향상된박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지제조방법은후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을형성시킴으로써계면에발생하는공극(void)을감소시켜보다균일하고조밀한박막을가질수 있으며, 광흡수층금속전구체의구성원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족원소(Se,S)가몰리브덴후면전극으로확산하는것을억제함으로써광흡수층과후면전극의전기적접합을향상시켜광전환효율이우수한이점을갖는다.
Abstract translation: 本发明返回到电极至约CZTS基于通过形成背面电极和光吸收层之间的光吸收层施加硫化锌缓冲层，并且更具体地在电极和金属前体层之间的回引入了硫化锌缓冲层的薄膜太阳能电池的制造方法 通过晶界控制对光转换效率和电池特性提高的薄膜太阳能电池及其制造方法。 根据本发明的制造薄膜太阳能电池的方法可以在后电极和金属前体层之间形成硫化锌缓冲层，以减少在界面处产生的空隙，从而获得更均匀和致密的薄膜， 通过抑制构成元素（Cu，Zn，Sn）和VI族元素（Se，S）扩散到钼背面电极中，具有改善光吸收层和背面电极之间的电连接的优点。
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公开(公告)号：KR101811354B1
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020150122647
申请日：2015-08-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은박막형태양전지를제작하는데있어서, 광흡수층열처리공정후에광흡수층표면에포타슘(potassium)을처리하여 pn 동종접합(pn homojunction) 형성을원활하게하여전지의전기적특성및 광전변환효율을향상시키는방법을제공한다.
Abstract translation: 根据平滑的pn纯合（PN同质结）的光吸收热处理步骤之后，制作在光吸收层表面的薄膜太阳能电池，与钾（钾）的处理形成本发明提高电气特性和电池的光电转换效率 ＆lt;
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公开(公告)号：KR1020170036645A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020160123156
申请日：2016-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/0392 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/1864 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/0749
Abstract: 본발명은화합물박막태양전지제조장치및 이를이용한열처리공정방법에관한것이다. 금속/ 금속-화합물물질로구성하고있는전구체를셀렌화및 황화열처리제조시스템를통하여 4원계이상화합물흡수층제작열처리공정방법에관한것이다. 본발명의태양전지제조장치는가압챔버, 밀폐된가압챔버내부에결합되는셀렌화및 황화열처리트레이및 기판트레이로구성되어있으며, 보다효율적으로열전달및 화합물결정성장을위한열전달플랭크가배치되었다. 상기트레이는보다효율적으로칼코젠원소를효율적으로공급함으로써셀렌/황화원소비율이조절이용이하고, 셀레늄및 황증기와불활성기체를챔버내부에서가열하여열처리공정시전구체의박막결정형성을극대화할 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种化合物薄膜太阳能电池制造装置及使用其的热处理工艺方法。 本发明涉及一种通过硒化硫化热处理系统制备四元化合物基吸收层的方法。 本发明的太阳能电池制造装置由硫化物，硒化物，和热处理托盘和托盘耦合到所述压力室中，一个封闭的压力室内部的衬底，热传递侧面置于传热化合物，并且更有效地晶体生长。 托盘可在此是有效的通过使用更多的，供给所述刀kojen元件有效地硒化/硫化元件比控制，并通过在腔室中加热所述硒和hwangjeung瓦片的惰性气体，以最大限度地提高热处理过程中形成的薄膜结晶步骤中，前体 。
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