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公开(公告)号:KR1020080070126A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:KR1020070007750
申请日:2007-01-25
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C16/453 , C23C16/40
Abstract: A titanium oxide thin film and a method of manufacturing the same are provided to reduce heat energy and to form the thin film at low temperature, using PE(Plasma Enhanced) CVD, thereby depositing SiO2, SiNX, and amorphous silicon at low temperature easily. A vacuum pump(12) is connected with a vacuum chamber(11) to vacuumize the inside of the chamber. A pair of electrodes(13,14) are separated in the vacuum chamber to generate plasma discharge. An RF plasma generator(15) supplies power to the electrodes and generates the plasma. The vacuum chamber has a gas supply pipe for supplying argon, oxygen, and nitrogen gases. A gas tank is connected with a gas supply pipe(16). A compound generated by evaporating an organic titan compound is injected in the vacuum chamber through another gas supply pipe(17).
Abstract translation: 提供了一种氧化钛薄膜及其制造方法,以便使用PE(等离子体增强)CVD在低温下降低热能并形成薄膜,从而容易地在低温下沉积SiO 2,SiN x和非晶硅。 真空泵(12)与真空室(11)连接,以使室的内部真空。 一对电极(13,14)在真空室中分离以产生等离子体放电。 RF等离子体发生器(15)向电极供电并产生等离子体。 真空室具有用于供应氩气,氧气和氮气的气体供给管。 气罐与气体供给管(16)连接。 通过蒸发有机钛化合物产生的化合物通过另一气体供给管(17)注入真空室中。
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公开(公告)号:KR1020060018753A
公开(公告)日:2006-03-02
申请号:KR1020040067270
申请日:2004-08-25
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C01G23/04
Abstract: 본 발명에 따르면, 산화티타늄 박막은 증착대상물의 일측 상면에 APCVD(Atmosphere Pressure CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD)법 중 선택된 하나 이상의 공정에 의해 광촉매 물질이 코팅되는 것으로, 상기 CVD법을 적용하면 불순물이 제거된 양질의 박막을 얻을 수 있으며, 넓은 면적에 박막을 균일하게 증착시킬 수 있고, 저온에서도 박막을 증착시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 산화티타늄 박막의 제조방법은 증착대상물을 진공챔버에 장착하는 장착단계와, 광촉매 막을 형성하는 물질을 포함하는 유기티탄화합물과 이송 가스 및 산화제 가스를 혼합한 기체상태의 화합물을 기상반응을 일으킬 수 있도록 상기 진공챔버에 공급하는 공급단계와, 상기 기체상태의 화합물의 플라즈마 반응에 의해 상기 증착대상물의 표면에 광촉매 코팅막을 형성하는 박막형성단계를 포함한다.
산화티타늄, 박막, 증착대상물-
公开(公告)号:KR1020060018751A
公开(公告)日:2006-03-02
申请号:KR1020040067268
申请日:2004-08-25
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C03C17/245
CPC classification number: C03C17/2456 , C03C23/006 , C03C2217/71
Abstract: 본 발명에 다르면, 광촉매 코팅막은 광촉매물질로 이루어지며 가시광에 의해 활성화 되도록 저온 플라즈마 처리된 것으로, 이의 처리 방법은 플라즈마 생성기의 챔버에 광촉매 코팅막이 형성된 기체를 장착하는 제 1단계와, 상기 플라즈마 생성기의 챔버 내에 플라즈마화 기체를 주입하는 제2단계와,상기 플라즈마 생성기를 통하여 생성되는 저온 플라즈마를 이용하여 상기 광촉매 코팅막을 표면처리하여 가시광에서 반응되도록 하는 제3단계를 포함한다.
광촉매, 저온 플라즈마, 개질
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