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公开(公告)号：KR101407489B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120136970
申请日：2012-11-29
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H02N1/04 , F03G7/005 , H02N1/08 , H02N11/002
Abstract: 본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020140069565A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120136970
申请日：2012-11-29
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H02N1/04 , F03G7/005 , H02N1/08 , H02N11/002
Abstract: The present invention relates to an energy converting apparatus using liquid and, more specifically, to an apparatus and a method for converting mechanical energy into electric energy by applying the opposition phenomenon to electrowetting. The energy converting apparatus changes a surface in contact with liquid between a pair of electrodes and utilizes the change in the surface in contact with liquid for generating electric energy, so that electrodes complexly patterned on a channel or a lubricating layer are not required or blockage of a channel is prevented. Therefore, the energy converting apparatus can provide less trouble, reduce manufacturing costs, have simplified equipment, make a flexible element, and be easily applied to a large area by simplifying a structure of an element.
Abstract translation: 本发明涉及使用液体的能量转换装置，更具体地说，涉及通过将对立现象应用于电润湿来将机械能转换为电能的装置和方法。 能量转换装置改变与一对电极之间的液体接触的表面，并且利用与液体接触的表面的变化来产生电能，使得不需要在通道或润滑层上复杂地图案化的电极或阻塞 阻止通道。 因此，通过简化元件的结构，能量转换装置可以提供较少的故障，降低制造成本，简化设备，制造柔性元件，并且容易地应用于大面积。
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公开(公告)号：KR101322331B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
Abstract: 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160016424A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140100556
申请日：2014-08-05
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 투명전극을포함한반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 복수개의전극, 상기복수개의전극중 적어도일부사이에채널을형성하는채널영역, 및상기복수개의전극중 적어도일부와상기채널영역의적어도일부사이에형성되는인터레이어막을포함하되, 상기인터레이어막은메탈을포함하며, 상기인터레이어막에포함된상기메탈의일함수와상기채널영역에포함된채널영역물질의전자친화도의차이가 ± 0.5eV 이내이다.
Abstract translation: 提供一种包括透明电极的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：多个电极; 沟道区，在多个电极中的至少一些电极之间形成通道; 以及形成在所述沟道区域的至少一部分和所述至少一些所述电极之间的中间膜。 中间膜包括金属。 包括在层间膜中的金属的功函数与通道区域中包含的沟道区域材料的电子亲和力之间的差不超过±0.5eV。
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公开(公告)号：KR1020140037702A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120104186
申请日：2012-09-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L27/14616 , H01L29/78696 , H01L31/0324 , H01L45/141
Abstract: The present invention relates to a transparent electronic device having 2D transition metal dichalcogenides with multi-layers, an optoelectronic device, and a transistor device. Preferably, the present invention relates to form a channel layer between transparent layers by forming a multilayer which consisting of at least three layers of a single transition metal dichalcogenide. For this, a transparent electronic device using transition metal dichalcogenides with multi-layers includes electrodes made of a transparent conductive material, and a channel region which is formed between the electrodes by the transition metal dichalcogenides.
Abstract translation: 本发明涉及具有多层二维过渡金属二硫属元素的透明电子器件，光电器件和晶体管器件。 优选地，本发明涉及通过形成由至少三层单一过渡金属二硫属元素组成的多层，在透明层之间形成通道层。 为此，使用具有多层的过渡金属二硫属元素的透明电子器件包括由透明导电材料制成的电极和通过过渡金属二硫属元素形成在电极之间的沟道区域。
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公开(公告)号：KR101359350B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020110093075
申请日：2011-09-15
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C09K5/00 , C08L101/12 , C08J3/12
Abstract: 본 발명은 열전도소재를 개시한다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지 또는 스타이렌 수지로 형성되는 탄성입자; 및 상기 탄성입자의 표면에 결합하는 열전도성 입자;를 포함하는 열전도 소재가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120131674A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/085
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor array panel for an X-ray detector and a method for manufacturing a thin film transistor on a substrate are provided to simplify a process and stably drive a device by applying a device of a top gate structure to a TFT backplane panel. CONSTITUTION: A thin film transistor(120) has a top gate structure and is formed in each pixel region defined on a base substrate(110). The thin film transistor includes a source electrode(122B) and a drain electrode(122A) formed on the same layer as the source electrode. A photoelectric conversion device(140) is electrically connected to the thin film transistor. The photoelectric conversion device includes a pixel electrode(142), a photoconductor layer(144), and a bias electrode(146).
Abstract translation: 目的：提供一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板和用于在衬底上制造薄膜晶体管的方法，以通过将顶栅结构的器件施加到TFT背板来简化工艺并稳定地驱动器件 面板。 构成：薄膜晶体管（120）具有顶栅结构并且形成在限定在基底（110）上的每个像素区域中。 该薄膜晶体管包括与源电极形成在同一层上的源电极（122B）和漏电极（122A）。 光电转换装置（140）与薄膜晶体管电连接。 光电转换装置包括像素电极（142），光电导体层（144）和偏置电极（146）。
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公开(公告)号：KR101199289B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020110045575
申请日：2011-05-16
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
Abstract: PURPOSE: A polymer composite is provided to remove a space charge generated in an insulating material of a high voltage direct current cable for power transmission by comprising a partially reduced material of a graphene oxide. CONSTITUTION: A polymer composite comprises a graphene oxide partially reduced by 80-0.01%. The comprised amount of the partially reduced material of graphene oxide is 0.01-50 weight%. The size of the partially reduced material of graphene oxide is 15 um or less. A manufacturing method of the partially reduced material of graphene oxide is 15 um or less. A manufacturing method of the polymer composite comprises a step(S20) of manufacturing the partially reduced material of graphene oxide by partially reducing graphene oxide; a step(S30) of manufacturing a polymer composite comprising the partially reduced material. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S10) Manufacturing graphene oxide; (S20) Partial reduction graphene oxide; (S30) Manufacturing polymer composite by graphene oxide comprising partial reduced material
Abstract translation: 目的：提供一种聚合物复合材料，用于通过包括氧化石墨烯的部分还原的材料去除用于动力传递的高压直流电缆的绝缘材料中产生的空间电荷。 构成：聚合物复合材料包含部分减少80-0.01％的石墨烯氧化物。 氧化石墨烯的部分还原材料的含量为0.01-50重量％。 石墨烯氧化物的部分还原材料的尺寸为15μm或更小。 石墨烯氧化物的部分还原材料的制造方法为15μm以下。 聚合物复合材料的制造方法包括通过部分还原石墨烯氧化物制造氧化石墨烯的部分还原材料的步骤（S20） 制造包含部分还原材料的聚合物复合材料的步骤（S30）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S10）制造氧化石墨烯; （S20）部分还原石墨烯氧化物; （S30）通过包含部分还原材料的氧化石墨烯制造聚合物复合材料
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