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公开(公告)号：KR102225969B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140083814A
申请日：2014-07-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G02B5/223 , C09B57/10 , G02B1/04 , G02F1/133514 , G03F7/0007
Abstract: 본 발명은 녹색 염료를 포함하여 이루어지고, 상기 녹색 염료는 하기 화학식 1:
화학식 1
(상기 화학식 1에서, 상기 M은 Zn, Cu, Ni, Co, Fe 및 Al으로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R1 내지 R12는 각각 개별적으로 F, Cl, Br, 및 I으로 이루어진 군에서 선택된 할로겐기이고, 상기 R13 내지 R24는 각각 개별적으로 수소 또는 C
1 ~C
20 의 알킬기로 이루어짐)
로 표현되는 화합물로 이루어진 컬러 필터 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR102225981B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140083821A
申请日：2014-07-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: C09B47/18 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: C09B47/18 , G02B5/20 , G02F1/133514
Abstract: 본 발명은 녹색 염료를 포함하여 이루어지고, 상기 녹색 염료는 하기 화학식 1:
화학식 1
(상기 화학식 1에서, 상기 M은 Zn, Cu, Ni, Co, Fe 및 Al으로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R1 내지 R16은 각각 개별적으로 수소 또는 C
1 ~C
20 의 알킬기로 이루어짐)
로 표현되는 화합물로 이루어진 컬러 필터 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.-
公开(公告)号：WO2014084581A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/KR2013/010818
申请日：2013-11-27
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교 산학협력단
CPC classification number: H02N1/04 , F03G7/005 , H02N1/08 , H02N11/002
Abstract: 본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用液体的能量转换装置，更具体地说，涉及一种通过向电润湿施加相反现象将机械能转换为电能的方法和装置，其可以改变在一对 电极，并且使得与液体接触的表面的变化产生电能，以便防止通道堵塞，或者不需要以复杂的方式图案化到通道上的润滑层或电极，因此具有以下优点： 能够简化设备; 降低制造成本; 提供具有较少故障的能量转换装置; 使得能够提供一个灵活的元素; 并且通过简化元件的结构，能够容易地应用于大面积。
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公开(公告)号：WO2013157715A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/KR2012/010275
申请日：2012-11-30
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/208 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/26 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了使用低温工艺，氧化膜和电子器件制造氧化膜的方法。 根据本发明的实施方式的氧化膜的制造方法包括以氧化物溶液涂布基板，在惰性气体气氛下用紫外线照射氧化物膜的工序。
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公开(公告)号：WO2014088275A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/KR2013/011067
申请日：2013-12-02
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0023 , H01L51/0037 , H01L51/5206 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5392
Abstract: 본 발명은 능동 매트릭스 디스플레이의 화소 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 화소 전극 및 화소 정의층의 제조 공정을 간소화하고 화소 전극의 패터닝에 따른 화소 전극의 가장자리 부분에 형성되는 단자로 인한 문제를 해소하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 화소 구조는 베이스 기판, 복수의 화소 회로 전극, 절연층 및 복합층을 포함한다. 복수의 화소 회로 전극은 베이스 기판 위에 매트릭스 형태로 배열된다. 절연층은 복수의 화소 회로 전극의 외곽을 덮도록 베이스 기판의 상부에 형성된다. 그리고 복합층은 복수의 화소 회로 전극과 절연층의 상부를 덮도록 일체로 형성된다. 이때 복합층은 절연층에서 노출된 복수의 화소 회로 전극에 각각 연결되게 형성된 전도성의 화소 전극과, 화소 전극 외곽의 비전도성의 화소 정의층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法，其目的在于简化制造像素电极和像素限定层的工艺，并解决由在 像素电极的边缘部分通过图案化像素电极。 根据本发明的像素结构包括：基底; 多个像素电路电极; 绝缘层; 和复合层。 多个像素电路电极以矩阵形式布置在基底基板上。 绝缘层形成在基底基板上以覆盖多个像素电路电极的外周。 复合层整体地形成以覆盖多个像素电路电极和绝缘层的顶部。 在这种情况下，复合层具有：形成为分别与从绝缘层露出的多个像素电路电极连接的导电像素电极; 以及在像素电极的外周上限定层的非导电像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014081256A1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/KR2013/010716
申请日：2013-11-25
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교 산학협력단
IPC: H02N3/00
Abstract: 본 발명은 액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 하므로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用与液体接触面的变化的能量转换装置，更具体地说，涉及通过将电动润滑现象相反的现象转化为机械能而将电能转换成电能的方法和装置。 该能量转换装置具有简化的结构并降低制造成本，通过在一对电极之间改变与液体的接触表面并使用与液体的接触表面的变化来产生电能，从而可以防止通道阻塞 不需要在通道上复杂地图案化的润滑层或电极。
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7.发明申请외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지 및 이를 포함하는 기판의 외기 침투율 측정 장치 审中-公开用于测量室外空气穿透速率的反应材料盒和用于测量底板的室外空气穿透速率的装置，包括它们
公开(公告)号：WO2014193175A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/KR2014/004802
申请日：2014-05-29
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N27/205 , G01N15/0826 , G01N33/0004 , G01N33/0027
Abstract: 본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及根据本实施例的用于测量包括水，氧等的室外空气和用于测量室外空气渗透速率的反应材料盒的材料的穿透率的装置，包括： 反应部分包括与通过基底的室外空气接触时反应的反应物质; 容纳反应部分的盒体，其可与测量单元分离，用于测量与反应材料与室外空气的接触相对应的变化; 以及屏蔽装置，其屏蔽盒体，并且与盒体分离，用于反应材料和室外空气之间的接触。 当使用基于墨盒的气体渗透率测量装置和方法时，根据本发明，与常规技术相比，可以提供精确和可靠的数据，并且促进对新应用领域所必需的产品可靠性评估，例如 作为AMOLED等。 此外，基板接收部也以盒的形式制造，使得当测量不相对自由安装和支撑的柔性基板时，可以方便地在装置的外部进行操作，从而降低均匀性 测量者之间的错误。
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公开(公告)号：WO2021020695A2
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/KR2020/005608
申请日：2020-04-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는, 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함하는 하이브리드 파장변환체 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 하이브리드 파장변환체는 분산매질 내에 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함함으로써 단일 여기광에 의해서 적색광과 녹색광으로 동시에 파장 변환이 가능하고, 기존의 양자점 파장변환체에 비해 낮은 카드뮴 함량으로도 발광 파장대의 변화 없이 광학적으로 안정하고 색순도 및 발광성능이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020184825A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/KR2019/018760
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 상기 발광층은 제1 발광물질층과 제2 발광물질층이 교대로 배치되어 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 포함하는 발광 소자에 관한 것으로, 상기 발광물질층은 페로브스카이트층 또는 유기물층으로, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제2 발광물질층은 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다. 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 배치하여 적층구조를 가짐으로써, 에너지 준위를 제어함으로써 발광 소자의 전자-정공 재조합 구역을 조절하여 전기발광 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 제1 발광물질층과 제2 발광물질층의 에너지 준위를 제어함으로써 백색 발광소자를 제작할수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2021125412A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/KR2019/018289
申请日：2019-12-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 결점이 제어된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 물질, 이를 포함하는 파장 변환체 및 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 페로브스카이트 결정 내부에 포함된 중형의 1가 유기 양이온(A2)은 엔트로피적 효과로 인해 페로브스카이트 결정을 안정화시키고 결정 내부의 결점의 생성을 억제할 수 있으며, 페로브스카이트 결정 내부에 포함되지 못한 과량의 A2 양이온은 페로브스카이트 나노결정입자를 둘러싸는 형태의 구조를 형성하여 페로브스카이트 나노결정입자의 표면에서 생성되는 결점을 페시베이션함으로써, 광발광 양자효율, 발광 수명 및 안정성을 향상시키므로, 발광 소자의 발광층 또는 파장변환층에 유용하게 사용될 수 있다.
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