公开(公告)号：KR101332023B1

公开(公告)日：2013-11-25

申请号：KR1020110052337

申请日：2011-05-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 홍성제 ,  곽민기 ,  조현민 ,  이찬재 ,  김영석 ,  이정노 ,  김민선 ,  김종웅

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

Abstract: 유기 발광 다이오드 조명 장치에서, 기판 위에 형성되는 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 봉지 부재에 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극의 저항을 감소시키기 위한 보조 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR101322331B1

公开(公告)日：2013-10-28

申请号：KR1020110050014

申请日：2011-05-26

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김원근 ,  김영훈 ,  한철종 ,  권순형 ,  이정노 ,  오민석 ,  유병욱

IPC: H01L31/115

Abstract: 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.

公开(公告)号：KR101376732B1

公开(公告)日：2014-04-07

申请号：KR1020120104186

申请日：2012-09-19

Applicant: 경희대학교 산학협력단 ,  전자부품연구원

Inventor： 김선국 ,  김영훈 ,  이정노 ,  오민석 ,  유병욱

IPC: H01L29/786 ,  H01L31/09

Abstract: 본 발명은 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소, 이를 이용한 광전자 소자, 및 트랜지스터 소자에 관한 것으로서, 종래의 단층 전이금속 칼코겐화합물을 바람직하게는 3층 이상의 다층으로 구성하여 복수의 투명전극 사이에 채널층으로 형성한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 투명 전도성 물질로 이루어진 복수의 전극, 그리고, 다층 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides)에 의해 상기 복수의 전극 사이에 채널이 형성되는 채널영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소자가 개시된다.

公开(公告)号：KR1020130098739A

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020120020499

申请日：2012-02-28

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김원근 ,  김영훈 ,  이정노 ,  오민석 ,  김지완 ,  유병욱

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1237 ,  H01L29/42384

Abstract: PURPOSE: An inverter device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reproducibility of electrical characteristics by inducing an electrical characteristic difference between two thin film transistors through a gate insulation layer with a first thickness and a second thickness. CONSTITUTION: A gate electrode (120) is deposited on a substrate (110). A gate insulating layer (130) is deposited on the gate electrode with a first thickness. A semiconductor layer (140) is deposited on the gate insulation layer with the first thickness. A source electrode (152) and a drain electrode (154) are deposited on the semiconductor layer. The gate insulation layer is deposited on a gate electrode (120') with a second thickness. The first thickness is different from the second thickness. A semiconductor layer (140') is deposited on the gate insulation layer with the second thickness.

Abstract translation: 目的：提供一种使用薄膜晶体管的逆变器装置及其制造方法，通过经由具有第一厚度和第二厚度的栅绝缘层引起两个薄膜晶体管之间的电特性差异来提高电特性的再现性。 构成：栅极电极（120）沉积在衬底（110）上。 栅极绝缘层（130）以第一厚度沉积在栅电极上。 半导体层（140）以第一厚度沉积在栅极绝缘层上。 源电极（152）和漏电极（154）沉积在半导体层上。 栅极绝缘层沉积在具有第二厚度的栅电极（120'）上。 第一厚度不同于第二厚度。 半导体层（140'）以第二厚度沉积在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020130077313A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110145953

申请日：2011-12-29

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 한철종 ,  권순형 ,  이정노 ,  오민석 ,  김지완 ,  백승호

IPC: C09K11/00 ,  C09K11/08

Abstract: PURPOSE: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material is provided to reduce light loss out of a light transfer material by forming a clad layer having a low refractivity or high reflectivity. CONSTITUTION: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material (10) has at least one of nanofluorescent materials converting the wavelength and nanoquantum dots dispersed in the anisotropy light transmission material. The body has a fibrous form. One of the nanofluorescent materials and the nanoquantum dots are mixed and dispersed in a transparent polymer resin. The diameters of the nanofluorescent materials and nanoquantum dots are smaller than 100 nm. The nanoparticle-containing anisotropy light transmission material additionally includes a clad layer which is coated to surround the body. The clad layer is formed of a material which is smaller than the body.

Abstract translation: 目的：提供一种含纳米颗粒的各向异性透光材料，通过形成具有低折射率或高反射率的包覆层来减少光传输材料的光损失。 构成：含纳米颗粒的各向异性透光材料（10）具有分散在各向异性透光材料中的波长和纳米量点的纳米荧光材料中的至少一种。 身体有纤维状。 将纳米荧光材料和纳米量子点之一混合并分散在透明聚合物树脂中。 纳米荧光材料和纳米量子点的直径小于100nm。 含纳米颗粒的各向异性透光材料另外包括涂覆以包围主体的覆层。 包覆层由比本体小的材料形成。

公开(公告)号：KR101161582B1

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：KR1020110044962

申请日：2011-05-13

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김영훈 ,  김원근 ,  한철종 ,  이정노 ,  오민석

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  B32B15/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  B32B15/04 ,  H01L31/0224

Abstract: PURPOSE: A transparent optical multilayer and a transparent photovoltaic cell having the same are provided to achieve conductivity which is similar to that of metal and optically transparent by forming a transparent cathode. CONSTITUTION: An anode(120) is formed on a substrate(110). A photoactive layer(130) is formed on the anode. A metal buffer layer(140) is formed on the photoactive layer. A first electrode layer(150) is formed on the metal buffer layer. A second electrode layer(160) is formed on the first electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种透明光学多层膜和具有该透明光电池的透明光伏电池，以实现与金属类似的导电性，并通过形成透明阴极而具有光学透明性。 构成：阳极（120）形成在基板（110）上。 在阳极上形成光敏层（130）。 在光敏层上形成金属缓冲层（140）。 在金属缓冲层上形成第一电极层（150）。 在第一电极层上形成第二电极层（160）。

公开(公告)号：KR1020110057338A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090113697

申请日：2009-11-24

Applicant: 전자부품연구원 ,  주식회사 디엠에스

Inventor： 김민선 ,  이찬재 ,  곽민기 ,  이정노 ,  송병덕 ,  박춘성 ,  이진향

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C59/022 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nano pattern is provided to reduce manufacturing costs and time by simply forming nano sized patterns with an imprint lithography method. CONSTITUTION: A first mask layer is formed on a base(S1). The first mask is firstly removed(S4). The base is firstly etched(S5). A second mask layer is formed on the base(S7). The second mask layer is firstly removed and the first mask layer is secondly removed(S8-S9). The base is secondly removed(S10). The second mask layer is secondly removed(S11).

Abstract translation: 目的：提供一种形成纳米图案的方法，通过用压印光刻方法简单地形成纳米尺寸图案来降低制造成本和时间。 构成：在基座（S1）上形成第一掩模层。 首先去除第一个掩模（S4）。 首先蚀刻基底（S5）。 在基座上形成第二掩模层（S7）。 首先去除第二掩模层，并且第二掩模层被第二次去除（S8-S9）。 第二次移除基座（S10）。 第二掩模层被第二次去除（S11）。