中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

78 records (took 0.027 seconds)

    폴리실리콘막 및 그 형성 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리소자 및 그 제조 방법
    31.
    发明公开
    폴리실리콘막 및 그 형성 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리소자 및 그 제조 방법 无效
    聚硅氧烷膜及其制造方法，闪存存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090122860A

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：KR1020080050188

    申请日：2008-05-29

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 이태완 ,  최규진 ,  한정훈 ,  유진혁

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521

    Abstract: PURPOSE: A Polysilicon film, a forming method thereof, a flash memory device using the same, and a manufacturing method thereof are provided to suppress growth of a grain by repeating a process for forming nucleus on a top part during a process for growing a grain. CONSTITUTION: A polysilicon film(120A,120B) is formed by plasma, and has a grain(130A,130B) size less than 20nm. A substrate(110) is entered to a plasma chamber. A silicon source gas is injected to the chamber. A high frequency power is applied to the chamber. A dopant atom is contained in a grain boundary(140A,140B) of the polysilicon film. The dopant atom includes at least one among nitrogen atom or oxygen atom. The high frequency power is 5~9KW.

    Abstract translation: 目的：提供一种多晶硅膜及其制造方法，使用该多晶硅膜的闪存器件及其制造方法，以及其制造方法，用于通过在用于生长谷物的过程中重复在顶部形成核的工艺来抑制晶粒的生长 。 构成：通过等离子体形成多晶硅膜（120A，120B），并且具有小于20nm的晶粒（130A，130B）尺寸。 衬底（110）进入等离子体室。 硅源气体被注入到腔室中。 向腔室施加高频功率。 掺杂剂原子包含在多晶硅膜的晶界（140A，140B）中。 掺杂剂原子包括氮原子或氧原子中的至少一个。 高频功率为5〜9KW。

    반도체 소자의 갭필 방법
    32.
    发明公开
    반도체 소자의 갭필 방법 无效
    半导体器件中填隙的方法

    公开(公告)号：KR1020090001229A

    公开(公告)日：2009-01-08

    申请号：KR1020070065455

    申请日：2007-06-29

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 한정훈 ,  유진혁

    IPC: H01L21/762

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02274

    Abstract: The method of gap filling in a semiconductor device is provided to improve the property of device by filling completely the space between the micro-patterns. The semiconductor substrate(210) having a plurality of patterns is provided. The insulating layers(220,230) of the thickness are deposited by using the high density plasma on the semiconductor substrate. The insulating layer is selectively dry-etched with the predetermined thickness. The gap between a plurality of patterns is filled by repeating the step that deposits the insulating layer and etches. Patterns comprises the trench pattern which is formed on the semiconductor substrate in order to form the element isolation film, and the gate pattern of the transistor and the pattern between the metal wirings.

    Abstract translation: 提供半导体器件中的间隙填充的方法，以通过完全填充微图案之间的空间来改善器件的性能。 提供具有多个图案的半导体衬底（210）。 通过在半导体衬底上使用高密度等离子体沉积厚度的绝缘层（220,230）。 以预定厚度选择性地干蚀刻绝缘层。 通过重复沉积绝缘层和蚀刻的步骤来填充多个图案之间的间隙。 图案包括形成在半导体衬底上以形成元件隔离膜的沟槽图案，以及晶体管的栅极图案和金属布线之间的图案。

    화학 기상 증착 장치의 세정 방법
    33.
    发明公开
    화학 기상 증착 장치의 세정 방법 无效
    使用两种气体扩散器的化学气相沉积装置的清洗方法

    公开(公告)号：KR1020040110860A

    公开(公告)日：2004-12-31

    申请号：KR1020030040339

    申请日：2003-06-20

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 유진혁 ,  이용현 ,  한정훈

    IPC: H01L21/205

    Abstract: PURPOSE: A cleaning method for a chemical vapor deposition apparatus is provided to suppress the generation of particles during gas introduction by installing two gas injection portions for a first gas and a second gas/ a cleaning gas, respectively. CONSTITUTION: A first gas containing a silicon and a second gas reacting with the first gas are supplied to a chamber(110) through a first gas injector(130) and a second gas injector(140) which operate independently from each other. The first gas and the second gas are activated to be vaporized to a surface mounted on a susceptor(160) implemented in the chamber. A cleaning gas is supplied to inside the chamber through the second gas injector. The cleaning gas is activated to react with residual first and second gases to remove the residual gases from the chamber.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于化学气相沉积装置的清洁方法，用于通过分别为第一气体和第二气体/清洁气体安装两个气体注入部分来抑制在气体引入期间产生颗粒。 构成：通过第一气体注入器（130）和彼此独立地操作的第二气体注入器（140）将含有硅和与第一气体反应的第二气体的第一气体供应到室（110）。 第一气体和第二气体被激活以被蒸发到安装在实施在腔室中的基座（160）上的表面上。 清洁气体通过第二气体喷射器供应到室内。 清洁气体被激活以与剩余的第一和第二气体反应以从室中除去残余气体。

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    36.
    发明授权
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权

    公开(公告)号：KR101887072B1

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：KR1020120060810

    申请日：2012-06-07

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 한정훈 ,  서승훈 ,  이상돈 ,  황철주

    IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02

    Abstract: 본발명은기판에증착되는박막의증착균일도를증가시킬수 있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정공간을제공하는공정챔버; 적어도하나의기판을지지하도록상기공정챔버내에설치된기판지지부; 상기기판지지부를소정방향으로회전시키는구동부; 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 및상기기판지지부에국부적으로대향되도록상기챔버리드에설치되어공정가스를상기기판지지부상에국부적으로분사하는가스분사부; 및상기기판지지부의중심부에형성되어공정가스를외부로펌핑하는제 1 펌핑부를포함하여구성되는것을특징으로한다.

    기판 처리 장치
    39.
    发明公开
    기판 처리 장치 审中-实审
    基板处理设备

    公开(公告)号：KR1020170131318A

    公开(公告)日：2017-11-29

    申请号：KR1020170154424

    申请日：2017-11-20

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 한정훈 ,  김영훈 ,  황철주

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

    Abstract: 본발명은기판에증착되는박막의막질특성을균일하게하고박막의막질제어를용이하게할 수있는기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정공간을마련하는공정챔버; 상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 상기공정챔버내부에설치되어적어도하나의기판을지지하는기판지지부; 상기챔버리드에마련되어상기기판지지부상에정의된소스가스분사영역에소스가스를분사하는복수의소스가스분사모듈로이루어지는소스가스분사부; 상기챔버리드에마련되어상기기판지지부상에정의된반응가스분사영역에반응가스를분사하는복수의반응가스분사모듈로이루어지는반응가스분사부; 및상기챔버리드에마련되어상기소스가스분사부와상기반응가스분사부사이의공간에퍼지가스를분사하여상기소스가스분사부와상기반응가스분사부를공간적으로분할하기위한가스장벽을형성하는퍼지가스분사부를포함하여구성되며, 상기소스가스분사모듈의개수는상기반응가스분사모듈보다많은것을특징으로한다.

    Abstract translation: 基板处理装置和基板处理方法技术领域本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，其能够使沉积在基板上的薄膜的膜质量特性均匀化并且便于控制薄膜的膜质量， 。 覆盖处理室上部的室盖; 衬底支撑件，设置在处理室内以支撑至少一个衬底; 以及多个源气体注入模块，其设置在所述腔室盖中并且被配置为将源气体注入到限定在所述基板支撑部分上的源气体注入区域中; 以及多个反应气体注入模块，所述多个反应气体注入模块设置在所述腔室盖中并且构造成将反应气体注入到限定在所述基板支撑部分上的反应气体注入区域中; 和净化气体注入单元，用于在所述腔室中的特征，导致净化气体注入到空间上，其中所述源气体喷射和反应气体喷射副形成用于将源气体喷射和所述空间的反应气体注入部件的阻气性 并且源气体注入模块的数量大于反应气体注入模块的数量。

    기판 처리 장치
    40.
    发明授权
    기판 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101561675B1

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：KR1020140142872

    申请日：2014-10-21

    Applicant: 주성엔지니어링(주)

    Inventor： 허승회 ,  한정훈

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

    Abstract: 본발명은플라즈마공간과소스가스분사공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에설치되어기판을지지하는기판지지부; 상기기판상에플라즈마를분출시키기위한플라즈마형성공간; 상기기판상에소스가스(Source Gas)를분사하기위한소스가스분사공간; 및상기공정챔버의상부에설치되며, 상기기판지지부쪽으로일정한높이를가지도록나란하게돌출되어공간적으로분리되는상기플라즈마형성공간과상기소스가스분사공간을마련하는공간형성부재를포함하여구성될수 있다.

Patent Agency Ranking