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公开(公告)号：WO2013180453A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/KR2013/004679
申请日：2013-05-28
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 본 발명은 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 마주하는 전원 전극 및 접지 전극을 포함하여 이루어져 상기 전원 전극과 상기 접지 전극 사이에서 플라즈마 방전 공간이 형성되고, 상기 플라즈마 방전 공간은 상기 기판 지지부에 의해 지지되는 기판 상의 박막 형성 영역과 오버랩되지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，包括：处理室; 基板支撑单元，其设置在所述处理室的内部，以支撑至少一个基板，并且所述基板支撑单元被构造成沿预定方向旋转; 室盖，其在覆盖处理室的上部的同时与基板支撑单元相对设置; 以及气体注入单元，其连接到室盖并且设置有用于将气体喷射到衬底上的多个气体注入模块。 这里，多个气体注入模块中的每一个包括彼此面对的电源电极和接地电极; 在电源电极和接地电极之间形成等离子体放电空间; 并且等离子体放电空间不与由基板支撑单元支撑的基板上的薄膜形成区域重叠。
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公开(公告)号：WO2013095030A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011228
申请日：2012-12-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , B05D3/044 , C23C16/509 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간과 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간이 분리되도록 형성되어 상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，其中等离子体空间和源气体喷射空间彼此分离，以增加薄膜材料的均匀性，并且能够容易地控制 薄膜材料的薄膜性能。 根据本发明的基板处理装置包括：处理室; 基板支撑单元，其可旋转地布置在所述处理室中以支撑多个基板; 以及电极单元，其中将等离子体喷射到基板上的等离子体形成空间和用于将源气体喷射到基板上的源气体喷射空间彼此分离，电极单元设置在基板支撑单元上方。
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公开(公告)号：WO2014007572A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/KR2013/005986
申请日：2013-07-05
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/509 , H01J37/32541 , H01J37/32568
Abstract: 본 발명은 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전원 전극은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，包括：处理室; 基板支撑单元，其布置在所述处理室内部，以便支撑至少一个基板，并且构造成沿预定方向旋转; 腔室盖，其布置成与衬底支撑单元相对并且覆盖处理室的顶部; 以及气体注入单元，其连接到所述室盖并且具有用于将气体注入到所述基板上的多个气体注入模块。 每个气体注入模块包括：具有等离子体反应空间的接地电极框架; 以及形成在接地电极框架内部以与接地电极框架协作以便引起等离子体放电的电力电极。 功率电极被构造为使得基板支撑单元的边缘处的第二侧的高度高于在基板支撑单元的中心处的第一侧的高度。
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公开(公告)号：WO2014030973A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/KR2013/007593
申请日：2013-08-23
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 기판에 증착되는 박막의 막질 특성을 균일하게 하고 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 마련하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하고 이동시키는 기판 지지부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 소스 가스 분사 영역에 소스 가스를 분사하는 소스 가스 분사부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 반응 가스 분사 영역에 반응 가스를 분사하는 반응 가스 분사부; 및 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 반응 가스 분사 영역 사이에 정의된 퍼지 가스 분사 영역에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 분사부를 포함하여 구성되며, 상기 퍼지 가스 분사부와 상기 기판 사이의 거리는 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부 각각과 상기 기판 사이의 거리보다 가까운 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够使沉积在基板上的薄膜具有均匀特性并且能够容易地控制薄膜质量的基板处理装置和基板处理方法。 根据本发明的基板处理装置包括：具有处理空间的处理室; 用于覆盖处理室的顶部的室盖; 衬底支撑单元，布置在所述处理室内部，以便支撑并移动至少一个衬底; 源气体喷射单元，其布置在所述室盖中，以将源气体喷射到限定在所述基板支撑单元上的所述源气体喷射区域; 反应气体喷射单元，其布置在所述室盖中，以将反应气体喷射到限定在所述基板支撑单元上的反应气体喷射区域; 以及布置在所述室盖中的吹扫气体喷射单元，以便将清洗气体喷射到限定在所述源气体喷射区域和所述反应气体喷射区域之间的吹扫气体喷射区域。 吹扫气体喷射单元和基板之间的距离短于源气体喷射单元和基板之间的距离以及反应气体喷射单元和基板之间的距离。
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公开(公告)号：WO2013180452A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/KR2013/004678
申请日：2013-05-28
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205 , H01L31/18
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/32051
Abstract: 본 발명은 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 활성화된 소스 가스를 국부적으로 분사하는 가스 분사부를 포함하며, 상기 가스 분사부는 플라즈마 형성 가스에 의해 플라즈마를 형성하고, 상기 플라즈마가 형성되는 플라즈마 영역의 일부 영역에 소스 가스를 분사하여 상기 소스 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够增加沉积在基板上的薄膜的沉积均匀性并且容易控制薄膜质量的基板处理装置和方法。 根据本发明的基板处理装置包括：处理室; 衬底支撑单元，设置在所述处理室的底表面上以支撑至少一个衬底; 覆盖处理室的上部以与基板支撑单元相对的室盖; 以及气体注入单元，其设置在所述室盖上，以便局部地面对所述基板支撑单元，所述气体注入单元将活化的源气体局部地注入到所述基板上。 气体注入单元通过使用等离子体形成的气体来产生等离子体，以在其中产生等离子体的等离子体区域的一部分中注入源气体，从而起动源气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102029952B1
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：KR1020120057041
申请日：2012-05-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR102014877B1
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：KR1020120057047
申请日：2012-05-30
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR101931655B1
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：KR1020170154424
申请日：2017-11-20
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 기판에 증착되는 박막의 막질 특성을 균일하게 하고 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 마련하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 소스 가스 분사 영역에 소스 가스를 분사하는 복수의 소스 가스 분사 모듈로 이루어지는 소스 가스 분사부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 반응 가스 분사 영역에 반응 가스를 분사하는 복수의 반응 가스 분사 모듈로 이루어지는 반응 가스 분사부; 및 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부 사이의 공간에 퍼지 가스를 분사하여 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부를 공간적으로 분할하기 위한 가스 장벽을 형성하는 퍼지 가스 분사부를 포함하여 구성되며, 상기 소스 가스 분사 모듈의 개수는 상기 반응 가스 분사 모듈보다 많은 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101830322B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020120001237
申请日：2012-01-04
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본발명은플라즈마를분사하는공간과소스가스를분사하는공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에회전가능하게설치되어복수의기판을지지하는기판지지부; 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을이용해상기각 기판상에소스가스(Source Gas)와반응가스가서로분리되도록분사하여상기복수의기판상에박막물질을증착하는전극부를포함하여구성되고, 상기복수의전극모듈각각은상기기판상에반응가스를분사하기위한적어도하나의반응가스분사공간, 및상기반응가스분사공간과공간적으로분리되어상기기판상에소스가스를분사하기위한적어도하나의소스가스분사공간을포함하여구성하여구성될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法来增加薄膜材料的均匀性，以用于与所述源气体喷射的区域用于注入分离血浆的空间，并促进薄膜材料的薄膜的质量控制，本发明 2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备处理室， 衬底支撑件，可旋转地安装在处理室中以支撑多个衬底; 覆盖处理室的上部以面对基板支撑件的室盖; 并且通过包括被喷涂到源气体（源气体）和到相应的基板相互分离的多个电极模块在上腔室盖存款规则的间隔被安装的薄膜材料在所述多个基板的反应性气体的电极 配置和被分离成至少一种反应气体喷射空间，和反应性气体喷射空间和空间在各银装置中，多个电极模块板，至少一个的喷射反应气体在该衬底上注入源气体 并为源气提供源气注入空间。
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